【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】以晶片级生产光学传感器的方法和光学传感器本专利技术涉及一种以晶片级生产光学传感器的方法和一种光学传感器。光学传感器是将光或光的变化转换成电子信号的电子检测器。它们被用于许多工业和消费者应用中。由于环境光传感器(ALS)光学传感器通常被用于根据环境光的强度来自动控制显示器的亮度,这既是为了用户的舒适度,也是为了节省手持装置中的电池功率。光学传感器应该对来自大范围角度的照射到传感器孔径的光进行强有力的响应。同时,角度的范围或视场不应该太宽,这是因为当光以大角度入射到传感器表面时,许多光学传感器容易出现误差。另一个误差来源构成了不是源自周围环境而是来自装置本身内的光,例如,来自屏幕显示器的杂散光、移动电话中的背光或来自相邻有源传感器发射的光。这导致光学串扰并最终降低信噪比。封装技术旨在减少上述误差的来源。传感器封装件中的孔径定义了限制角度的范围,并减少了周围环境和相邻电子组件的光学串扰。然而,目前的开放式腔体封装技术要么是复杂的并且因此是昂贵的,要么是不能被用于大多数晶片级应用,这是因为纵横比和引脚尺寸的要求可能是关键的(或两者兼而有之)。本专利技术的目的是提供一种以晶片级产生光学传感器的方法,该方法减少了上述限制和误差源,并添加了更多的灵活性。此外,本专利技术的另一目的是提供一种具有改进特性的光学传感器,例如,减少光学串扰。这个目的是通过独立权利要求的主题来实现的。进一步的发展和实施例在从属权利要求中被描述。根据本原理的一个方面,一种以晶片级生产光学传感器的方法包括以下步骤。提供了具有主顶表面和主背表面的晶片。至少一个第一集成电路被布置在晶片的顶表面处或附近。第 ...
【技术保护点】
一种以晶片级生产光学传感器的方法,该方法包括以下步骤:‑提供具有主顶表面(10)和主背表面(13)的晶片(1);‑在所述晶片的顶表面(10)处或附近布置具有至少一个光敏组件(12)的至少一个第一集成电路(11);‑在所述晶片(1)中提供用于电接触背表面(13)的至少一个衬底通孔(14);‑通过使用第一结构化的模具工具在所述晶片(1)的顶表面(10)上方通过对第一模具材料进行晶片级模制来形成第一模具结构(2),使得所述第一模具结构(2)至少部分地包围所述光敏组件(12);以及‑随后通过使用平坦或结构化的第二模具工具在所述第一模具结构(2)上方通过对第二模具材料进行晶片级模制来形成第二模具结构(2),使得所述第二模具结构(3)至少部分地包围所述第一模具结构(2),其中所述第二模具材料被施加到所述第二模具工具以形成所述第二模具结构(3)并且在所述第一模具结构(21)的顶表面处或附近留下孔径(30)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.23 EP 15178053.31.一种以晶片级生产光学传感器的方法,该方法包括以下步骤:-提供具有主顶表面(10)和主背表面(13)的晶片(1);-在所述晶片的顶表面(10)处或附近布置具有至少一个光敏组件(12)的至少一个第一集成电路(11);-在所述晶片(1)中提供用于电接触背表面(13)的至少一个衬底通孔(14);-通过使用第一结构化的模具工具在所述晶片(1)的顶表面(10)上方通过对第一模具材料进行晶片级模制来形成第一模具结构(2),使得所述第一模具结构(2)至少部分地包围所述光敏组件(12);以及-随后通过使用平坦或结构化的第二模具工具在所述第一模具结构(2)上方通过对第二模具材料进行晶片级模制来形成第二模具结构(2),使得所述第二模具结构(3)至少部分地包围所述第一模具结构(2),其中所述第二模具材料被施加到所述第二模具工具以形成所述第二模具结构(3)并且在所述第一模具结构(21)的顶表面处或附近留下孔径(30)。2.根据权利要求1所述的方法,其中,-通过使用光学透明的模具材料作为第一模具材料,所述第一模具结构(2)被制成至少部分透明的;并且-通过使用光学不透明的模具材料作为第二模具材料,所述第二模具结构(3)被制成至少部分不透明的。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,-所述第一模具工具包括至少第一模具腔体,特别是圆锥形或另外的锥形的第一模具腔体;-所述第一模具工具被放置在所述晶片(1)的顶表面(10)处或附近;并且-将所述第一模具材料经由间隙施加到腔体上以形成所述第一模具结构(2)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在所述第一模具结构的顶表面(21)处或附近将所述第二模具工具放置在所述晶片(1)上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中在所述第二模具结构(32)的顶表面处或附近将一个或多个附加的平坦或结构化的模具层,特别是一个或更多的扩散层,施加到所述晶片(1)。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中在对第一模制结构和第二模制结构(2,3)进行晶片级模制之前或之后,-包括至少一个金属层的再分布层(15)被布置在所述晶片(1)的背表面(15)上;并且-所述至少一个衬底通孔(14)被电连接到所述再分布层(15)。7.根据权利要求5所述的方法,其中所述再分布层被设置有用于附接一个或多个凸块(16)的凸块下金属化层,特别地在对所述第一模制结构和所述第二模制结构进行晶片级模制之前或之后被...
【专利技术属性】
技术研发人员:哈拉尔德·埃奇迈尔,格雷戈尔·托施科夫,托马斯·波德纳,弗朗茨·施兰克,
申请(专利权)人:AMS有限公司,
类型:发明
国别省市:奥地利,AT
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