The invention discloses a medium temperature sintered high Q value microwave dielectric material, and the target compound expression is Li2TiO3 x w.t.%MgF2, where x = 2~8. First, Li2CO3 and TiO2 are batching according to the stoichiometric Li2TiO3. After ball milling, drying and sieving, it is prefired at 700~900 C, and then the mass percentage content is 2 ~ 8% MgF2. Then, the granulation is made, then the pressure is made to make the blank, and the blank is sintered at 1000 degrees C 1200 C, and the high Q value Li2TiO3 based microwave dielectric material is made. The invention has realized medium temperature sintering (
【技术实现步骤摘要】
一种中温烧结高Q值微波介质材料
本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,特别涉及一种新型中温烧结高Q值微波介质材料及其制备方法
技术介绍
微波介质材料可用于制作微波基板、谐振器、滤波器和贴片天线等微波电路中的关键组件,随着无线通信技术的不断发展,对原料成本低廉的高Q值微波介质材料的需求日益增长。对稳频用的谐振器来说,高Q值可以提高频率控制精度,抑制回路中的电子噪声:对滤波器来说,高Q值可以提高通带边缘信号频率相应陡度,提高频带的利用率,因此,高Q值微波介质材料在现代无线应用中必不可少。尽管传统的高Q值复合钙钛矿介质材料如Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)和Ba(Zn1/3Ta2/3)O3(BZT)被广泛研究,但高的烧结温度(>1400℃)、苛刻的制备条件、昂贵的五氧化二钽价格限制了其在微波/毫米波领域的发展。最近有研究表明,具有岩盐结构的锂基Li2TiO3微波介质材料在毫米波段具有优异的微波介电性能(εr~22.14、Qf~63,525GHz,τf~+20.3ppm/℃),原料相对便宜,制备工艺简单易行,但在(002)面易出现解理现象,表面存在微裂纹,严重影响了Li2TiO3的Qf值,导致其在实际应用中不能满足基站的要求,且烧结温度相对较高(~1300℃)。因此,提高Li2TiO3的Qf值,同时降低其烧结温度,成为目前亟待解决的问题。微波介质材料可用于制作微波基板、谐振器、滤波器和贴片天线等微波电路中的关键组件,随着无线通信技术的不断发展,对原料成本低廉的高Q值微波介质材料的需求日益增长。对稳频用的谐振器来说,高Q值可以提高频率控 ...
【技术保护点】
1.一种中温烧结高Q值微波介质材料,目标合成物表达式为Li2TiO3‑x w.t.%MgF2,其中x=2~8。上述中温烧结高Q值微波介质材料的制备方法,以MgF2、TiO2和Li2CO3为原料,采用固相法,具体实施步骤如下:(1)将Li2CO3和TiO2按化学计量式Li2TiO3进行配料,将粉料放入聚酯球磨罐中,加入无水乙醇和氧化锆球后,球磨4~24小时;(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中,于100~120℃烘干,然后过40目筛;(3)将步骤(2)过筛后的粉料放入氧化铝坩埚内置于中温炉中,于700~900℃预烧,保温2~8小时,然后过40目筛;(4)将步骤(3)过筛后的粉料外加质量百分比含量为2~8%的MgF2和质量百分比含量为0.7%的PVA粉末进行混合,放入聚酯球磨罐中,加入无水乙醇和氧化锆球后,球磨4~24小时进行造粒;(5)将步骤(4)造粒后的的粉料放入干燥箱中,于100~120℃烘干4~6小时,然后过80目筛;(6)将步骤(5)过筛后的粉料用粉末压片机以4~8MPa的压力制成生坯;(7)将步骤(6)的生坯于1000℃‑1200℃烧结,保温2~8小时,制成中温烧结高Q值 ...
【技术特征摘要】
1.一种中温烧结高Q值微波介质材料,目标合成物表达式为Li2TiO3-xw.t.%MgF2,其中x=2~8。上述中温烧结高Q值微波介质材料的制备方法,以MgF2、TiO2和Li2CO3为原料,采用固相法,具体实施步骤如下:(1)将Li2CO3和TiO2按化学计量式Li2TiO3进行配料,将粉料放入聚酯球磨罐中,加入无水乙醇和氧化锆球后,球磨4~24小时;(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中,于100~120℃烘干,然后过40目筛;(3)将步骤(2)过筛后的粉料放入氧化铝坩埚内置于中温炉中,于700~900℃预烧,保温2~8小时,然后过40目筛;(4)将步骤(3)过筛后的粉料外加质量百分比含量为2~8%的MgF2和质量百分比含量为0.7%的PVA粉末进行混合,放入聚酯球磨罐中,加入无水乙醇和氧化锆球后,球磨4~24小时进行造粒;(5)将步骤(4)造粒后的的...
【专利技术属性】
技术研发人员:李玲霞,杜明昆,于仕辉,孙正,乔坚栗,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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