【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种从半导体衬底加工装置的碳化硅部件清除自由碳的方法，此碳化硅部件是多孔的，且包括内部和暴露表面，此碳化硅部件在内部和暴露表面上包括自由碳，此方法包括对碳化硅部件进行处理，以便至少基本上清除暴露表面上的所有自由碳。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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