半导体器件制造技术

揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片和金属柱。所述金属柱具有第一端和第二端。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。所述第一端具有第一宽度。所述第二端具有第二宽度。所述金属柱具有腰部宽度。所述第一宽度大于所述腰部宽度。所述第二宽度大于所述腰部宽度。所述金属柱具有一侧表面。所述侧表面向内弯曲或向外弯曲。

semiconductor device

A semiconductor device is revealed. The semiconductor device includes redistribution structure, processor chip and metal column. The metal column has a first end and a second end. The first end of the metal column is connected to the redistribution structure. The first end has a first width. The second end has a second width. The metal column has the width of the waist. The first width is larger than the width of the waist. The second width is larger than the width of the waist. The metal column has a side surface. The side surface is bent or curved outwards.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种晶圆级芯片尺寸封装(waferlevelchipscalepackages(WLCSP))。
技术介绍
在半导体产业中，芯片(die)内的集成密度成长迅速。芯片包括大量的主动与被动电子器件，因此可在所述芯片中执行多种功能。可在硅晶圆上通过半导体制程来行程所述电子器件。在完成所述电子器件的制程后，可将所述晶圆分离成多个芯片。之后对每一芯片进行封装处理，进而在所述芯片外形成保护性封装。所述芯片封装也可作为芯片和印刷电路板间的连接介面。积体电路的常见应用包括行动电话系统、电视系统、个人电脑系统与网路系统。已发展出多种封装类型，例如双列直插管脚封装(DIP)、四方形平面封装(QFP)、球栅阵列(BGA)及晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。DIP在两平行侧边上有连接管脚。DIP通常使用通孔安装或插座，以供放置于印刷电路板上。DIP通常包括填充于金属引线框架的绝缘材料。QFP通常会有翅状引线由所述封装的四周延伸。QFP的接点只能位于所述封装的周边区域，因此其管脚数目受限。BGA可使用整个表面以形成接点阵列，而使得其能够提供更高的球数。所述接点阵和所述芯片间的长度较短，这对高速信号传输更为有利。WLCSP的封装器件尺寸和芯片尺寸几乎相等。WLCSP通常小于BGA封装。但是，现存的WLCSP的结构形状不佳，造成信号完整性(integrity)以及结构稳定性不好。所以，业界非常需要新的WLCSP，来达到较佳的信号完整性以及结构稳定性。
技术实现思路
专利技术人在观察到上述的技术问题后，提出了本技术，以解决上述的一个或多个技术问题。本技术的一个目的在于提供一种半导体器件，其金属柱两端有较大的连接区域，可达到较佳的信号完整性以及结构稳定性。本技术的另一个目的是提供一种半导体器件，其金属柱能够通过焊料凸块连接到DRAM模块，可提供更好的扩充性。根据本技术一态样，揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片以及金属柱。所述处理器芯片具有有源侧和背侧。所述有源侧朝向第一方向。所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构。所述金属柱具有第一端、第二端和腰部。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。所述第一端朝向所述第一方向。所述第一端具有第一宽度。所述第二端具有第二宽度。所述腰部具有腰部宽度。所述第一宽度大于所述腰部宽度。所述第二宽度大于所述腰部宽度。所述金属柱具有侧表面。所述侧表面向内弯曲。根据本技术另一态样，揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片以及金属柱。所述处理器芯片具有有源侧和背侧。所述有源侧朝向第一方向。所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构。所述金属柱具有第一端、第二端及腰部。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。所述第一端朝向所述第一方向。所述第一端具有第一宽度。所述第二端具有第二宽度。所述腰部具有腰部宽度。所述第一宽度大于所述第二宽度。所述第二宽度大于所述腰部宽度。所述金属柱具有侧表面。所述侧表面向内弯曲。相比于现有技术，本技术的技术方案具备以下有益效果：金属柱两端有较大的连接区域，可达到较佳的信号完整性以及结构稳定性。金属柱能够通过焊料凸块连接到DRAM模块，可提供更好的扩充性。附图说明附图1是半导体器件一实施方式的示意图；附图2是重分布结构的剖视图；附图3是另一种重分布结构的剖视图；附图4是半导体器件一实施方式的示意图；附图5是连接结构的剖视图；附图6是另一种连接结构的剖视图；附图7是一通孔的剖视图与上视图；附图8是两个通孔的剖视图与上视图；附图9是两个通孔的剖视图；附图10是三个通孔的剖视图与上视图；附图11是通孔区的剖视图和两个通孔的上视图；附图12是通孔区的剖视图和四个通孔的上视图；附图13是通孔区孔的剖视图和三个通孔的上视图；附图14是五个通孔的上视图；附图15是五个通孔的上视图；附图16是多个通孔的上视图；附图17是多个通孔的上视图；附图18是连接结构的剖视图；附图19是具有DRAM模块的半导体器件的示意图；附图20是重分布结构一部分的示意图；附图21是半导体器件的侧视图；附图22是芯片和重分布结构间的连接结构的一实施例的示意图；附图23是芯片和重分布结构间的连接结构的另一实施例的示意图；附图24是芯片和重分布结构间的连接结构的另一实施例的示意图；附图25是芯片和重分布结构间的连接结构的另一实施例的示意图；附图26是芯片和重分布结构间的连接结构的另一实施例的示意图；附图27是芯片和重分布结构间的连接结构的另一实施例的示意图；附图28是重分布结构一部分的示意图；附图29是重分布结构中金属层的一实施例的示意图；附图30是重分布结构中金属层的另一实施例的示意图；附图31是重分布结构中金属层的另一实施例的示意图；附图32是半导体器件的上视图；附图33是具有DRAM模块的半导体封装的示意图；附图34是重分布结构的详细图式；附图35金属柱的一实施例的示意图；附图36金属柱的另一实施例的示意图；附图37是位于金属柱一端的焊料凸块的示意图；附图38是位于金属柱一端的焊料凸块的示意图；附图39是半导体器件的示意图；附图40是半导体器件的示意图；附图41是重分布结构的详细图式；附图42是一导电通孔的上视图及与剖视图；附图43是一导电通孔的上视图及与剖视图；附图44是多个导电通孔的剖视图；附图45是多个导电通孔的剖视图；附图46是导电通孔的上视图；附图47是导电通孔的上视图；附图48是导电通孔的上视图；附图49是导电通孔的上视图；以及附图50是导电通孔的上视图。具体实施方式附图1是半导体器件一实施例的示意图。附图2是重分布结构的剖视图。附图3是另一种重分布结构的剖视图。附图4是半导体器件一实施方式的示意图。附图5是连接结构的剖视图。附图6是另一种连接结构的剖视图。附图7是一通孔的剖视图与上视图。附图8是两个通孔的剖视图与上视图。附图9是两个通孔的剖视图。附图10是三个通孔的剖视图与上视图。附图11是通孔区的剖视图和两个通孔的上视图。附图12是通孔区的剖视图和四个通孔的上视图。附图13是通孔区孔的剖视图和三个通孔的上视图。附图14是五个通孔的上视图。附图15是五个通孔的上视图。附图16是多个通孔的上视图。附图17是多个通孔的上视图。附图18是连接结构的剖视图。根据一实施方式，参照附图1和附图5，揭示一种连接结构500。所述连接结构500包括导电单元205、焊料凸块206、第一绝缘层501、第二绝缘层502、第三绝缘层503以及多个通孔1602。所述导电单元205具有凸缘509。所述导电单元205包括折边506、倾斜侧壁507以及底部508。所述焊料凸块206位于所述导电单元205上。所述焊料凸块206和所述导电单元205直接接触。所述凸缘509在所述折边506与所述倾斜侧壁507接合处为弯曲状(由所述导电单元205上方观察)。所述第一绝缘层501位于所述折边506下方。所述第二绝缘层502位于所述导电单元205的所述底部508下方。所述第三绝缘层503位于所述第二绝缘层502下方。所述第三绝缘层503具有通孔区512。所述多个通孔1602位于所述通孔区512中。所述通孔区512位于所述导电单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：重分布结构；处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述有源侧朝向第一方向，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构；以及金属柱，所述金属柱设置在所述处理器芯片旁，所述金属柱具有第一端、第二端和腰部，所述金属柱以所述第一端连接到所述重分布结构，所述第一端朝向所述第一方向，所述第一端具有第一宽度、所述第二端具有第二宽度、所述腰部具有腰部宽度，所述第一宽度大于所述腰部宽度、所述第二宽度大于所述腰部宽度，所述金属柱具有侧表面，所述侧表面向内弯曲。

【技术特征摘要】
2016.08.29 US 62/380,997;2016.08.31 US 15/253,011;1.一种半导体器件，其特征在于，包括：重分布结构；处理器芯片，所述处理器芯片具有有源侧和背侧，所述有源侧朝向第一方向，所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构；以及金属柱，所述金属柱设置在所述处理器芯片旁，所述金属柱具有第一端、第二端和腰部，所述金属柱以所述第一端连接到所述重分布结构，所述第一端朝向所述第一方向，所述第一端具有第一宽度、所述第二端具有第二宽度、所述腰部具有腰部宽度，所述第一宽度大于所述腰部宽度、所述第二宽度大于所述腰部宽度，所述金属柱具有侧表面，所述侧表面向内弯曲。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括钝化层、绝缘层和多个导电柱，所述钝化层位在所述处理器芯片的有源侧上，所述绝缘层位在所述钝化层上，所述重分布结构通过所述导电柱连接到所述处理器芯片，所述导电柱穿过所述绝缘层，所述重分布结构具有前表面，所述绝缘层具有侧表面，所述重分布结构的前表面、所述绝缘层的侧表面和所述钝化层形成一凹部，所述凹部填充有模塑材料。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，其中所述绝缘层的侧表面向外弯曲。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，其中所述绝缘层的侧表面向内弯曲。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，其中所述钝化层的一边缘和所述处理器芯片的一边缘基本上对齐，所述绝缘层的侧表面具有最远点，且所述绝缘层的最远点和所述钝化层的所述边缘间有水平位移。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述重分布结构包括金属层，所述金属层包括接地区，所述接地区由上方视角包括至少一孔洞。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴澄玮，
申请(专利权)人：吴澄玮，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71