一种减小功率管米勒效应的电路制造技术

一种减小功率管米勒效应的电路，包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地，在功率管T1栅极与源级之间跨接有寄生电容Cdg，在功率管T1的栅极与漏级之间跨接有寄生电容Cgs；该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2。功率开关管可工作在比较理想的状态，电路的可靠性有很大的提高，发热量降到了最低，不会出现二次导通现象。 1

A circuit to reduce the Miller effect of the power tube

A circuit to reduce the Miller effect of the power tube, including the power tube T1, the gate of the power tube T1 is grounded through the resistance R4, the parasitic capacitance Cdg is crossed between the T1 gate and the source level of the power pipe, and the parasitic capacitance Cgs is crossed between the gate and the leakage level of the power pipe T1; the gate of the power tube T1 is connected to the emission pole of the transistor G1, and the work is connected. The gate of the rate tube T1 is also connected to the cathode of the diode D1. The anode of the diode D1 is connected to the base of the triode G1, and there is a resistance R2 at the cross level between the triode G1 base and the collector. The power switch tube can work in a relatively ideal state, the reliability of the circuit is greatly improved, the calorific value is reduced to the lowest, and the two conduction phenomena will not appear. One

【技术实现步骤摘要】
一种减小功率管米勒效应的电路
本技术涉及电子领域，具体涉及一种减小功率管米勒效应的电路。
技术介绍
目前在MOSFET或IGBT的应用中，为了减少米勒效应带来的功率管发热严重或二次导通的问题，普遍采用的方法是加大功率管的驱动电流(功率)，通过调节功率管GS充放电回路的参数，达到减小米勒效应的影响产生的发热或二次导通。这个方法虽然可行，但必须加大驱动电流，驱动电路的成本会增加很多。米勒效应的描述，如图1为原理图。其中，T1是功率MOSFET管或IGBT管。虚线连接的Cdg和Cgs是T1的D与G以及G与S的寄生电容，Cdg＞Cgs。就目前的电子技术来说，寄生电容是不可避免的。在功率管T1由截止进入导通的过程中，触发脉冲上升沿开始Vgs↑--Vds↓。Vds下降过程中，原来存入Vds中的电荷开始放电，放电回路见图1虚线。过程中在Cgs上形成的电压是下正上负。这个电压与原先输入的电压叠加，和成电压将比原来的VGS下降很多，甚至使T1关闭。随着Cdg放电结束，VGS又恢复上升，T1又开始重新导通，如此循环几次后，T1才处于稳定的导通状态，这就是米勒效应。过程中G点的电压波形如图2。从t0开始，Vgs上升到t1时，由于Cds放电作电，到t2时，Vgs下降，严重时可关断T1,过后Vgs又重新上升，T1又开始导通，直到t3时，才进入稳定导通状态。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，提出一种减小功率管米勒效应的电路，具体技术方案如下：一种减小功率管米勒效应的电路，其特征在于：包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地；该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2；该功率管T1的栅极还经电阻R3与三极管G2的集电极相连，在所述电阻R3的两端并联有电容C3；该三极管G2的基极依次经电阻R5和电容C2与功率管T1的源级相连，三极管G2的基极还与二极管D2的阳极相连，该二极管D2的阴极与三极管G2的发射极相连。为更好的实现本技术，可进一步为：在所述三极管G2的发射极与地之间接有滤波电容C1，所述功率管T1的源级经电阻R6与电源相连。本技术的有益效果为：功率开关管可工作在比较理想的状态，电路的可靠性有很大的提高，发热量降到了最低，不会出现二次导通现象。附图说明图1为米勒效应等价原理图；图2为图1中节点G的电压波形图；图3为实用电路结构图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图3所示：一种减小功率管米勒效应的电路，包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地，通电时，在功率管T1栅极与源级之间形成有寄生电容Cdg，在功率管T1的栅极与漏级之间形成有寄生电容Cgs；该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2；该功率管T1的栅极还经电阻R3与三极管G2的集电极相连，在电阻R3的两端并联有电容C3；该三极管G2的基极依次经电阻R5和电容C2与功率管T1的源级相连，三极管G2的基极还与二极管D2的阳极相连，该二极管D2的阴极与三极管G2的发射极相连。在三极管G2的发射极与地之间接有滤波电容C1，功率管T1的源级经电阻R6与电源相连。本技术工作原理：三极管G2、电阻R3、电容C3、二极管D2、电阻R5和电容C2是为了消除米勒效应增加的元件，此处功率管T1为MOS管，寄生电容Cgs的电压为Vgs，寄生电容Cdg电压为Vds。当触发脉冲上升沿到来时，电压Vgs开始上升，充电回路是：Q点—电阻R1—二极管D1—G点—S点。功率管T1开始导通，电压Vds开始下降。此时寄生电容Cdg开始放电，放电回路是D点—功率管T1—S点—寄生电容Cgs—G点，此时，电压Vgs有下降的趋势。同时，电容C2开始充电，充电回路是A点—G2发射结—C点—电阻R5—电容C2—D点—功率管T1—S点，因为这个充电电流经过了G2的发射结，便有一个放大了β倍的电流Ic，该处为G2的放大倍数。Ic流过的路径是A点—G2—F点---电容C3—G点—寄生电容Cgs—S点。可知，寄生电容Cdg放充电流流经寄生电容Cgs时是下正上负，而Ic流经寄生电容Cgs的电流是上正下负，如果把电容C2、电阻R5、电容C3个电阻R3调整到最佳状态，此两路电流可完全抵消，从而消除了米勒效应。可以在G点得到很接近理想的触发脉冲波形，功率管T1可工作在最佳状态。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减小功率管米勒效应的电路，其特征在于：包括功率管T1，该功率管T1的栅极经

【技术特征摘要】
1.一种减小功率管米勒效应的电路，其特征在于：包括功率管T1，该功率管T1的栅极经电阻R4接地；该功率管T1的栅极与三极管G1的发射极相连，该功率管T1的栅极还与二极管D1的阴极相连，该二极管D1的阳极与三极管G1的基极相连，在三极管G1基极与集电极之间跨级有电阻R2；该功率管T1的栅极还经电阻R3与三极管G2的集电极相连，在所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡云平，李泽辉，
申请(专利权)人：重庆瑜欣平瑞电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50