结型场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种结型场效应管，包括：P型衬底；P型衬底上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区；第一N型轻掺杂区两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区和作为源极的第二N型重掺杂区；第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间设有氧化层，氧化层位于第一N型轻掺杂区的上表面；氧化层的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区，第一N型轻掺杂区的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区，背栅与正栅位置对应；还包括覆盖于正栅、漏极、源极和氧化层正上方的二氧化硅绝缘层；正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层。本实用新型专利技术结构简单，易于制备。在维持较小的夹断电压的同时提高电流导通能力，提高工作电压范围。

【技术实现步骤摘要】
结型场效应管
本技术属于电子元器件
，具体来说涉及一种结型场效应管。
技术介绍
场效应管是一种电压放大器件，它具有三个电极：源极、栅极和漏极。场效应管包括结型场效应管（JFET）和金属-氧化物场效应管（MOSFET）。实践中，最为常见的是n沟道的JFET。其基本结构是在N型半导体的两侧扩散成两个P型掺杂区，构成两个PN结。这两个P型掺杂区即JFET的栅极，夹在两个P型掺杂区之间的N型半导体区即JFET的沟道，N型半导体的两端分别为JFET的源极和漏极。现有市场上的场效应管其主要通过夹断电压主要取决于N沟道的杂质浓度，无法兼顾电流导通能力、击穿电压和夹断电压。因此，如何提供一种新型的场效应管，能够在维持较小的夹断电压的同时提高电流导通能力，提高工作电压范围，是本领域技术人员需要研究的方向。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种场效应管，能够在维持较小的夹断电压的同时提高电流导通能力，大幅提高工作电压范围。一种结型场效应管，包括：P型衬底；所述P型衬底上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区；所述第一N型轻掺杂区两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区和作为源极的第二N型重掺杂区；所述第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间设有氧化层，所述氧化层位于第一N型轻掺杂区的上表面；所述氧化层的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区，所述第一N型轻掺杂区的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区，所述背栅与正栅位置对应；还包括二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层覆盖于所述正栅、漏极、源极和氧化层的正上方；所述正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层。通过采用这种技术方案：将结型场效应管的背栅之间形成在N型沟道和P型衬底之间、并与正栅位置对应。在栅极施加负电压时，正栅PN结的耗尽区和背栅PN结的耗尽区随负压的增大纵向延伸。因此，能够获得较小的夹断电压。而设置二氧化硅绝缘层可以有效提高场效应管的防击穿性能，提高工作电压范围。优选的是，上述结型场效应管中：还包括场极板，所述场极板设于漏极上和正栅靠近漏极一侧。通过采用这种技术方案：当漏极承受高压时，场极板下方的N沟道表面感应空穴形成P型半导体，与N沟道构成反向偏置的PN结，进一步提高结型场效应管的漏源击穿电压。更优选的是，上述结型场效应管中：所述场极板采用多晶钛构成。与现有技术相比，本技术结构简单，易于制备。能够在维持较小的夹断电压的同时提高电流导通能力，大幅提高工作电压范围。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：图1为实施例1的结构示意图；各附图标记与部件名称对应关系如下：1、P型衬底；2、第一N型轻掺杂区；3、第一N型重掺杂区；4、第二N型重掺杂区；5、氧化层；6、第一P型重掺杂区；7、第二P型重掺杂区；8、二氧化硅绝缘层；9、场极板；具体实施方式为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步描述。如图1所示为现有技术的结构：一种结型场效应管，包括：P型衬底1；所述P型衬底1上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区2；所述第一N型轻掺杂区2两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区3和作为源极的第二N型重掺杂区4；所述第一N型重掺杂区3和第二N型重掺杂区4之间设有氧化层5，所述氧化层5位于第一N型轻掺杂区2的上表面；所述氧化层5的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区6，所述第一N型轻掺杂区2的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区7，所述背栅与正栅位置对应；还包括二氧化硅绝缘层8和场极板9，所述二氧化硅绝缘层8覆盖于所述正栅、漏极、源极和氧化层5的正上方；所述正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层8。所述场极板9设于漏极上和正栅靠近漏极一侧。所述场极板9采用多晶钛构成。以上所述，仅为本技术的具体实施例，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域技术的技术人员在本技术公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结型场效应管，其特征在于包括：P型衬底（1）；所述P型衬底（1）上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区（2）；所述第一N型轻掺杂区（2）两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区（3）和作为源极的第二N型重掺杂区（4）；所述第一N型重掺杂区（3）和第二N型重掺杂区（4）之间设有氧化层（5），所述氧化层（5）位于第一N型轻掺杂区（2）的上表面；所述氧化层（5）的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区（6），所述第一N型轻掺杂区（2）的下表面设有作为背栅的第二P型重掺杂区（7），所述背栅与正栅位置对应；还包括二氧化硅绝缘层（8），所述二氧化硅绝缘层（8）覆盖于所述正栅、漏极、源极和氧化层（5）的正上方；所述正栅、漏极和源极通过引脚导出二氧化硅绝缘层（8）。

【技术特征摘要】
1.一种结型场效应管，其特征在于包括：P型衬底（1）；所述P型衬底（1）上表面设有作为沟道的第一N型轻掺杂区（2）；所述第一N型轻掺杂区（2）两端分别设有作为漏极的第一N型重掺杂区（3）和作为源极的第二N型重掺杂区（4）；所述第一N型重掺杂区（3）和第二N型重掺杂区（4）之间设有氧化层（5），所述氧化层（5）位于第一N型轻掺杂区（2）的上表面；所述氧化层（5）的上表面设有作为正栅的第一P型重掺杂区（6），所述第一N型轻掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：任留涛，李菲，禹久赢，
申请(专利权)人：超致上海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31