一种高可靠性集成电路板的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法，分别在集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗为间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：在真空压力为‑0.09～‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干，其中，烘干温度为40～60℃。本发明专利技术在集成电路板的关键工序前，能够将电路板表面，以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净，且对集成电路板没有任何的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性集成电路板的制备方法
本专利技术涉及集成电路板领域。更具体地说，本专利技术涉及一种高可靠性集成电路板的制备方法。
技术介绍
集成电路作为电子产品中的核心部件，其质量的好坏直接决定了到电子整机产品的性能和可靠性的高低。在集成电路的制备过程中，其表面粘附的颗粒、有机物、金属等污染物严重影响器件的性能。例如：(1)颗粒性污染物--灰尘、棉绒和焊锡球等。其中，尤其是焊锡球是一种焊接缺陷，如果设备的振动使大量小焊锡球聚集到一个部位上，便可能引起电短路。(2)非极性污染物--松香树脂、石蜡及波峰焊上使用的抗氧化油，还有操作者遗留下的化妆品或洗手剂等。非极性污染物会影响集成电路板的外观，且易导致接触不良。(3)极性沾污物--卤化物、酸和盐等，极性沾污物易导致介质击穿、漏电、元件/电路腐蚀等现象。随着集成电路板中单元图案的日益微型化以及集成度的日益提高，污染物对集成电路板的影响也愈加突出。但现有的集成电路板清洗技术存在清洗效果不佳或硅片在清洗过程中被腐蚀等现象，目前因清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种高可靠性集成电路板的制备方法，其在集成电路板的关键工序前，能够将电路板表面，以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净，且对集成电路板没有任何的腐蚀，可显著提高集成电路板的使用寿命和可靠性。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法，分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ的频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；间歇式的操作可避免长时间超声操作引起的集成电路板的老化，并且本申请文件采用较高的频率对集成电路板进行清洗，超声波的穿透能力强，对集成电路板内部或狭小的缝隙起到良好的清洁效果；并且超声装置中网状清洗篮的孔径要高于30mm，否则会影响超声清洗的效果。步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：采用真空烘箱将集成电路板烘干，其中真空烘箱的真空压力为-0.09～-0.05Mpa，烘干温度为40～60℃，在真空条件下，可实现集成电路板在较低温度下的快速干燥，且干燥条件温和，避免集成电路在高温下的老化。优选的是，其中，所述清洗液包括如下重量组份：本申请文件中，超声波配合清洗液可去除集成电路板表面微米级的污物，并且对集成电路板没有任何的损伤。优选的是，其中，所述步骤2中压缩空气的压力为0.08～0.15Mpa。优选的是，其中，所述步骤1中清洗液的温度维持在35～40℃，清洗条件温和，减少清洗对集成电路板造成的损伤。优选的是，其中，所述步骤2中纯水的电导率小于0.1us/cm，防止水中的微量元素或微生物改变集成电路的电特性或最终产品的性质。优选的是，其中，所述步骤1中的集成电路板的超声清洗在氮气气氛的保护下进行，以提供集成电路板在清洗过程的保护作用。优选的是，其中，所述步骤3的真空烘箱为双电机水平循环送风方式，以提高箱体内部的温度均匀度，保证集成电路板的质量。优选的是，其中，所述步骤3的烘干在氮气保护下进行，先提供集成电路板真空干燥的真空环境，再通入氮气防止集成电路板的老化。本专利技术至少包括以下有益效果：(1)本专利技术在集成电路板的关键工序前，能够将电路板表面，以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净，清洗效率高，耗时短；(2)本专利技术制备得到的集成电路板洁净度高，可有效防止由于杂质污染而导致的集成电路产品发生表面擦伤、短路、图形断线、接触不良等现象，可显著提高集成电路板的使用寿命和可靠性；(3)本专利技术技术方案操作温和，集成电路芯片没有任何的腐蚀作用，工艺简单，适用性广，易于推广。本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。<实例1>在集成电路板的制备过程中，分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在35℃、80kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗3min，其中超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，其中，网状清洗篮的孔径高于30mm，所述清洗液包括如下重量组份：脂肪醇聚氧乙烯醚15份；十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠10份；羟基丙酸甲酯8份；乙酸乙酯5份；二甲氧基乙烷3份；甲基环氧乙烷3份；香叶醇2份；松醇2份；辛甘醇1份；步骤3：采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板，然后采用0.08Mpa的压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤4：采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干，其中真空烘箱的真空压力为-0.09Mpa，烘干温度为40℃，所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。将本实例1清洗后的集成电路板经显微镜放大检测，表面洁净，未见灰尘、油污、指纹等污染物，且集成电路板未见腐蚀痕迹。<实例2>在集成电路板的制备过程中，分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在40℃、120kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗5min，其中超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，其中，网状清洗篮的孔径高于30mm，所述清洗液包括如下重量组份：脂肪醇聚氧乙烯醚20份；十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠15份；羟基丙酸甲酯10份；乙酸乙酯8份；二甲氧基乙烷7份；甲基环氧乙烷7份；香叶醇5份；松醇5份；辛甘醇3份；步骤2：采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板，然后采用0.15Mpa的压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干，其中真空烘箱的真空压力为-0.05Mpa，烘干温度为60℃，所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。将本实例2清洗后的集成电路板经显微镜放大检测，表面洁净，未见灰尘、油污、指纹等污染物，且集成电路板未见腐蚀痕迹。<实例3>在集成电路板的制备过程中，分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在38℃、100kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗4min，其中超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，其中，网状清洗篮的孔径高于30mm，所述清洗液包括如下重量组份：脂肪醇聚氧乙烯醚18份；十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠12份；羟基丙酸甲酯9份；乙酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高可靠性集成电路板的制备方法，其特征在于，分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ的频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：在真空压力为‑0.09～‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干，其中，烘干温度为40～60℃。

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性集成电路板的制备方法，其特征在于，分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ的频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：在真空压力为-0.09～-0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干，其中，烘干温度为40～60℃。2.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法，其特征在于，所述清洗液包括如下重量组份：3.如权利要求1所述的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊超，
申请(专利权)人：苏州赛源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32