有机化合物、有机发光二极管和有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机化合物、有机发光二极管和有机发光显示装置。本发明专利技术提供了下式的有机化合物以及包含所述有机化合物的有机发光二极管和OLED装置。

Organic compounds, organic light-emitting diodes and organic light emitting display devices

The invention relates to organic compounds, organic light emitting diodes and organic light emitting display devices. The invention provides a lower organic compound and an organic light-emitting diode and an OLED device containing the organic compound.

【技术实现步骤摘要】
有机化合物、有机发光二极管和有机发光显示装置本申请要求于2016年11月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2016-0162201号的权益，其通过引用并入本文。
本专利技术涉及有机化合物和有机发光二极管，并且更具体地涉及具有高三重态能量和长寿命的有机化合物以及使用该有机化合物的有机发光二极管和有机发光显示(OLED)装置。
技术介绍
近来，对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置之中，广泛引入可称为有机电致发光装置的OLED装置。OLED装置通过如下来发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入有机发光层，使电子与空穴复合，产生激子，并使激子从激发态转变为基态。柔性基板例如塑料基板可以用作形成元件的基础基板。由于OLED装置不需要背光组件，因此OLED装置重量轻且功耗低。此外，OLED装置可以在比操作其他显示装置所需的电压更低的电压例如10V或更低下工作。另外，OLED装置足以产生全色图像。有机发光层可具有单层结构。或者，为了提高发光效率，有机发光层可具有多层结构。例如，有机发光层可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。EML包含掺杂剂作为发射体。然而，由于掺杂剂的发光效率因集中猝灭问题而迅速降低，因此在包括仅具有掺杂剂的EML的OLED装置中存在限制。因此，EML还包含三重态能量大于掺杂剂的主体。例如，在包含磷光发射材料的有机发光二极管中，来自阳极的空穴和来自阴极的电子在主体中复合，并且在主体中形成的单个激子转变成掺杂剂的单重态或三重态。另外，主体中的三重态激子转变成掺杂剂的三重态。为了实现从主体到掺杂剂的有效能量转移，主体的三重态能量需要大于掺杂剂的三重态能量。当主体的三重态能量小于掺杂剂的三重态能量时，产生从掺杂剂到主体的能量逆转移，从而降低发光效率。例如，对于蓝色光发射，需要具有高三重态能量(T1>3.0eV)的主体，并且可使用式1-1或式1-2的基于氧化磷的化合物作为蓝色主体。[式1-1][式1-2]然而，式1-1和/或式1-2的主体具有低的稳定性，从而有机发光二极管具有非常短的寿命。即，由于苯环中的碳原子(C)与磷原子(P)之间的键能低于蓝色光的能量，因此主体化合物在有机发光二极管的工作期间分解。因此，显示装置的上述主体存在限制。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及有机化合物、使用该有机化合物的有机发光二极管和OLED装置，其基本上消除了由于相关领域的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本专利技术的一个目的是提供具有高三重态能量和稳定性的有机化合物。本专利技术的另一个目的是提供具有改进的发光效率和寿命的有机发光二极管和OLED。本专利技术的另外的特征和优点将在下面的描述中进行阐述，并且部分特征和优点将根据描述而变得明显，或者可通过实践本专利技术来学习。本专利技术的目的和其他优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和达到。为了实现所述和其他优点，根据本专利技术的目的，如本文中体现和宽泛地描述的那样，本专利技术提供了下式的有机化合物：其中R选自氢和咔唑。在本专利技术的另一方面中，本专利技术提供了有机发光二极管，其包括第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间且包含有机化合物的发光材料层，有机化合物具有下式：其中R选自氢和咔唑。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了有机发光显示装置，其包括：基板；有机发光二极管，其在基板之上且包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及在第一电极与第二电极之间的有机发光层；以及在基板与有机发光二极管之间且连接至有机发光二极管的薄膜晶体管，其中，有机发光层包含下式的有机化合物：并且其中R选自氢和咔唑。应当理解，前面的一般描述和以下详细描述均为示例性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明为了提供对本专利技术的进一步理解并被并入本说明书且构成本说明书的一部分而包含的附图示出了本专利技术的实施方案，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术的OLED装置的示意性截面图；图2是根据本专利技术的有机发光二极管的示意性截面图；图3A至3E是根据本专利技术的有机化合物的NMR图。具体实施方式现在将详细参考优选实施方案，其示例在附图中示出。图1是根据本专利技术的OLED装置的示意性截面图，以及图2是根据本专利技术的有机发光二极管的示意性截面图。如图1和2所示，OLED装置100包括基板110、在基板110之上的有机发光二极管D、在基板110与有机发光二极管D之间的薄膜晶体管(TFT)Tr。TFTTr连接至有机发光二极管D。基板110可为玻璃基板或柔性塑料基板。在基板110上形成缓冲层120，并在缓冲层120上形成TFTTr。缓冲层120可省略。在缓冲层120上形成半导体层122。半导体层122可包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层122包含氧化物半导体材料时，可在半导体层122之下形成遮光图案(未示出)。到半导体层122的光可被遮光图案遮蔽或阻挡，从而可以防止半导体层122的热劣化。当半导体层122包含多晶硅时，杂质可能被掺杂到半导体层122的两侧。在半导体层122上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在半导体层122的中心之上的栅极绝缘层124上形成由导电材料例如金属形成的栅电极130。在图1中，在基板110的整个表面上形成栅极绝缘层124。或者，栅极绝缘层124可被图案化为具有与栅电极130相同的形状或相似的形状。在包括栅电极130的基板110的整个表面上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物或有机绝缘材料例如苯并环丁烯或光丙烯酸类物质形成。层间绝缘层132包括使半导体层122的两侧暴露的第一和第二接触孔134和136。第一和第二接触孔134和136位于栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。在图1中，第一和第二接触孔134和136延伸到栅极绝缘层124中。或者，当栅极绝缘层124被图案化为具有与栅电极130相同的形状时，第一和第二接触孔134和136仅通过层间绝缘层132而不通过栅极绝缘层124形成。在层间绝缘层132上形成由导电材料例如金属形成的源电极140和漏电极142。源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此间隔开，并且通过第一和第二接触孔134和136分别接触半导体层122的两侧。半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成TFTTr，并且TFTTr充当驱动元件。在图1中，栅电极130、源电极140和漏电极142位于半导体层122之上。即，TFTTr具有共面结构。或者，在TFTTr中，栅电极可位于半导体层之下，并且源电极和漏电极可位于半导体层之上，使得TFTTr可具有逆交错结构。在这种情况下，半导体层可包含非晶硅。尽管未示出，但是栅极线和数据线设置在基板110上或上方并且彼此交叉以限定像素区域。另外，电连接至栅极线和数据线的开关元件可设置在基板110上。开关元件电连接至作为驱动元件的TFTTr。此外，可在基板110上或上方形成平行于栅极线或数据线且与栅极线或数据线间隔开的电源线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下式的有机化合物：

【技术特征摘要】
2016.11.30 KR 10-2016-01622011.一种下式的有机化合物：其中R选自氢和咔唑。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物选自以下：3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中被R取代的咔唑部分相对于单个咔唑部分以间位或对位连接至吡啶部分。4.一种有机发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和在所述第一电极与所述第二电极之间且包含有机化合物的有机发光层，所述有机化合物具有下式：其中R选自氢和咔唑。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述有机化合物选自以下：6.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中被R取代的咔唑部分相对于单个咔唑部分以间位或对位连接至吡啶部分。7.根据权利要求4所述的有机发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹大伟，金捘演，崔东勋，崔树娜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，高丽大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR