化学气相沉积系统的捕气装置制造方法及图纸

本发明专利技术有关一种应用于化学气相沉积系统的捕气装置（Ｔｒａｐ Ｕｎｉｔ），它具有一第一进气口，用于通过一连接至所述捕气装置的泵抽真空而使一气体流入所述捕气装置；一第一出气口，用于通过所述泵抽真空而使已经过过滤的所述气体流出所述捕气装置；一第一层滤网，是置于所述捕气装置内，用以过滤流入所述捕气装置的气体；以及一第二层滤网，它置于所述捕气装置内并包覆于所述第一层滤网之外，用以过滤流入所述捕气装置的气体。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种用于化学气相沉积系统的捕气装置(Trap Unit)，特别是指用于有机硅玻璃类化学气相沉积系统的捕气装置。半导体制造过程中机台设备零件的定期维护(Period Maintenance，PM)关系着晶片制造的产出，若需要利用相当多时间来更换设备零件的话，不仅浪费维护成本且浪费人力与降低机台生产力。其中化学气相沉积系统的捕气装置(Trap Unit)即为一典型例子，捕气装置于化学气相沉积系统中扮演着过滤气体的角色，用于将未完全反应的气体或副产物过滤而吸附于捕气装置内。为进一步说明现有的化学气相沉积系统的结构，请参阅附图说明图1以获得更详尽的了解。当数个晶片送入炉管装置11中，并通入反应气体(未示于图中)于炉管装置中，则反应气体于高温下将会通过化学气相沉积方式成长所欲沉积的薄膜。然而，要进行成长薄膜前，必须先通过一泵17抽真空以将炉管装置11的压力降低至一适当工作低压下，待稳定后才可进行化学气相沉积。因为泵17的抽真空，炉管装置11中的未完全反应气体或副产物会流经管路一12、管路二13与管路三14，最后经由一捕气装置(Trap Unit)上方进气口151进入所述捕气装置15中。其中捕气装置15主要功能在于将未完全反应气体或副产物过滤而吸附于捕气装置之内，以避免未完全反应气体或副产物附着管壁而影响抽气，或通过主阀门(Main Valve)16进入泵17造成过载。然而，捕气装置的吸附能力有限，当捕气装置吸附过量气体或副产物时，会因过滤能力减弱而增加泵负载，并且无法降低炉管装置压力至所需工作条件，不仅造成产品合格率下降，甚至有可能造成产品报废。所以当膜厚累积至一设定值时就需要更换已有沉积物附着的捕气装置15、管路一12、管路二13与管路三14。然而，现有的这种更换操作需耗费约6~7小时，致使机台生产力降低。请参阅图2，图中示出现有的捕气装置(Trap Unit)的结构。当未完全反应气体或副产物由管路三14通过捕气装置(Trap Unit)上方进气口151进入捕气装置14后，气体与副产物则通过叶片21的过滤而吸附于其上，然而此种现有的叶片式捕气装置吸附效率并不理想，致使炉管装置控压不稳、产品品质无法提升；此外吸附量并不高，使得需经常更换捕气装置，若副产物中含有硼、磷、砷等类的有毒物质的话，更换频率越高则越易造成工作的危险性。如上所述，现有的捕气装置存在以下的缺点1.捕气装置更换频率高，致使降低机台生产力、易造成工作的危险性。2.捕气装置吸附效率不理想，致使炉管装置控压不稳、产品品质无法提升。本专利技术的主要目的在于提供一种可延长更换周期的捕气装置，以提升机台生产力并降低人力的耗费。本专利技术的次要目的在于提供一种可有效过滤而吸附气体与副产物的捕气装置，以确保炉管装置控压稳定和维持产品品质。本专利技术的又一目的在于提供一种可预防气体与副产物进入泵的捕气装置，以延长泵寿命。本专利技术的再一目的在于提供一种可提升工作安全性的捕气装置，以降低人员更换捕气装置的危险性。为实现上述目的，本专利技术的用于化学气相沉积系统的捕气装置，其特点是，它包括一第一进气口，用于通过一连接至所述捕气装置的泵抽真空而使一气体流入所述捕气装置；一第一出气口，用于通过所述泵抽真空而使已经过过滤的所述气体流出所述捕气装置；以及一滤网，它置于所述捕气装置内，用于过滤流入所述捕气装置的气体。为实现上述目的，本专利技术提供一种用于化学气相沉积系统的捕气装置，其特点是，它包括一第一进气口，用于通过一连接至所述捕气装置的泵抽真空而使一气体流入所述捕气装置；一第一出气口，用于通过所述泵抽真空而使已经由过滤的所述气体流出所述捕气装置；一第一层滤网，它置于所述捕气装置的内，用于过滤流入所述捕气装置的气体；以及一第二层滤网，它置于所述捕气装置的内并包覆于所述第一层滤网的外，用于过滤流入所述捕气装置的气体。依据上述构想，其中所述第一进气口是位于所述捕气装置顶部的侧面，并通过数个管路连接至一炉管装置。依据上述构想，其中所述炉管装置是为用于化学气相沉积有机硅玻璃类于数个晶片表面之上。依据上述构想，其中所述有机硅玻璃类是选自二氧化硅(Silicon Dioxide)、硼硅玻璃(Boron Silicon Glass，BSG)、磷硅玻璃(Phosphorus Silicon Glass，PSG)、硼磷硅玻璃(Boron Phosphorus Silicon Glass，BPSG)与砷硅玻璃(ArsenicSilicon Glass，AsSG)。依据上述构想，其中所述第一出气口是位于所述捕气装置底部的下方，并通过数个管路连接至一主阀门(Main Valve)，并进而连接至一泵。依据上述构想，其中所述第一层滤网为一中空圆柱形滤网。依据上述构想，其中所述第二层滤网为一半弧形滤网。依据上述构想，其中所述第二层滤网为一上半部为半弧形而下半部为中空圆柱形的滤网。依据上述构想，其中所述第一层滤网的网目大小为1.5mm×1.5mm。依据上述构想，其中所述第二层滤网的网目大小为1.0mm×1.0mm。为实现上述目的，本专利技术另一方面提供一种捕气系统，其特征在于，它包括一炉管装置，用于化学气相沉积有机硅玻璃类于数个晶片表面之上；一第一管路，用于将所述第一管路的一端连接至所述炉管装置；一第二管路，用于将所述第二管路的一端连接至所述第一管路的另一端；以及一捕气装置，它具有一顶部的侧面进气口以连接至所述第二管路的另一端，并通过一连接至所述捕气装置的泵抽真空而使一气体流入所述捕气装置，一底部的下方出气口以通过所述泵抽真空而使已经过过滤的所述气体流出所述捕气装置，一置于所述捕气装置内的第一层滤网以过滤流入所述捕气装置的气体，以及一第二层滤网，它置于所述捕气装置内并包覆于所述第一层滤网外以过滤流入所述捕气装置的气体。依据上述构想，其中所述有机硅玻璃类是选自二氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃与砷硅玻璃。依据上述构想，其中所述捕气装置的底部的下方出气口是通过数个管路连接至一主阀门，并进而连接至一泵。依据上述构想，其中所述第一层滤网为一中空圆柱形滤网。依据上述构想，其中所述第二层滤网为一半弧形滤网。依据上述构想，其中所述第二层滤网为一上半部为半弧形而下半部为中空圆柱形的滤网。依据上述构想，其中所述第一层滤网的网目大小为1.5mm×1.5mm。依据上述构想，其中所述第二层滤网的网目大小为1.0mm×1.0mm。采用本专利技术的上述技术方案，其优点是可延长捕气装置的更换周期、提升机台生产力、降低人力的耗费，并能有效吸附气体与副产物，以确保炉管装置控压稳定、维持产品品质，更可预防气体与副产物进入泵的捕气装置，以延长泵寿命。为更清楚理解本专利技术的目的、特点和优点，下面将结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细的说明。图1是现有的化学气相沉积系统的结构示意图；图2是现有的捕气装置的剖视示意图；图3(a)是本专利技术一较佳实施例的用于捕气装置内的单层滤网的立体图；图3(b)与(c)分别为本专利技术的第二和第三较佳实施例的用于捕气装置内的双层滤网的分解立体图；图4是本专利技术的捕气装置剖视示意图；图5是本专利技术捕气装置与双层滤网组立后的俯视图；以及图6是本专利技术的化学气相沉积系统的结构示意图。本专利技术是关于一种用于化学气相沉积系统的捕气装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学气相沉积系统的捕气装置（Ｔｒａｐ Ｕｎｉｔ），其特征在于，它包括： 一第一进气口，用于通过一连接至所述捕气装置的泵抽真空而使一气体流入所述捕气装置； 一第一出气口，用于通过所述泵抽真空而使已经过过滤的所述气体流出所述捕气装置；以及 一滤网，它置于所述捕气装置内，用于过滤流入所述捕气装置的气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜立峰，胡志生，林则佑，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]