使用脒基金属的原子层沉积制造技术

一种形成含金属的薄膜的方法，包括：使加热底材交替暴露于一种或多种挥发性脒基金属化合物蒸气，然后暴露于还原性气体或蒸气，以在底材的表面上形成金属涂层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及用于在固体底材上沉积含金属的保形薄膜的材料和方法，并且薄膜尤其是含铜、钴和铁金属或其氧化物或氮化物的薄膜。本专利技术可用于制造微电子器件。2.相关技术的说明当需要改善半导体微电子器件的速率和功能时，需要新型材料。例如，需要具有较高电导率的材料以形成集成电路中晶体管之间的线路。与铝相比，铜具有更高的电导率，并且在防止电迁移方面具有更好的稳定性。因此，铜变得越来越普遍地用于硅半导体。这种趋向公开在互联网http//public.itrs.net/Feils/2001ITRS/Home.htm的半导体国际技术发展蓝图中。铜连接线路还必须被保形设置在例如细孔结构中，并且产生的薄膜必须具有高度均匀的厚度。如果存在厚度差异，由于铜的粗糙表面产生增加的电子散射，槽或通道中铜的电导率将会降低。高质量的阻挡层/粘附层需要具有非常光滑的表面。适于制造光滑、保形层的一个方法是“原子层沉积”，或ALD(又名原子层磊晶)。ALD方法使用两种或多种不同气相前体沉积固体材料薄层。薄膜即将沉积于其上的底材的表面暴露于一定剂量的前体的蒸气。然后前体所有未反应的多余蒸气用泵抽出。接下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：R·G·格登，B·S·利姆，
申请(专利权)人：哈佛学院院长等，
类型：发明
国别省市：