半导体元件制造技术

本公开涉及一种半导体元件。该半导体元件包含一栅极区域、一源极/漏极区域、以及位于该栅极区域与该源极/漏极区域之间的一绝缘层。该源极/漏极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段、延伸平行于该第一区段的一第二区段、以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本公开涉及一种具有多终端晶体管布局的半导体元件。
技术介绍
大部分晶体管的简化构造具有三个主要组件，称为绝缘层、半导体层以及电极，电极包含源极、漏极与栅极电极。源极接点与漏极接点是直接与半导体层接触，而栅极接点是通过绝缘层而与半导体层分离。可使用许多不同的结构布局制造晶体管。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包含一栅极区域、一源极/漏极区域以及位于该栅极区域与该源极/漏极区域之间的一绝缘层。该源极/漏极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段、延伸平行于该第一区段的一第二区段、以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。在一实施例中，该第三区段延伸于一第二方向，该第二方向不同于该第一方向。例如，该第二方向垂直于该第一方向。在另一实施例中，该源极/漏极区域包含一第一源极/漏极终端、一第二源极/漏极终端以及一第三源极/漏极终端。这些终端未与该栅极区域重叠。在另一实施例中，该第一源极/漏极终端与该栅极区域定义一第一晶体管，该第二源极/漏极终端与该栅极区域定义一第二晶体管，以及该第三源极/漏极终端与该栅极区域定义一第三晶体管。在另一实施例中，该第三区段的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：一栅极区域；一源极/漏极区域；以及一绝缘层，位于该栅极区域与该源极/漏极区域之间；其中该源极/漏极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段，延伸平行于该第一区段的一第二区段，以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。

【技术特征摘要】
2016.11.14 US 62/421,435;2017.08.18 US 15/680,7511.一种半导体元件，包括：一栅极区域；一源极/漏极区域；以及一绝缘层，位于该栅极区域与该源极/漏极区域之间；其中该源极/漏极区域包含延伸于一第一方向的一第一区段，延伸平行于该第一区段的一第二区段，以及连接于该第一区段与该第二区段之间的一第三区段。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三区段延伸于一第二方向，该第二方向不同于该第一方向。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第二方向垂直于该第一方向。4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该源极/漏极区域包含未与该栅极区域重叠的一第一源极/漏极终端、一第二源极/漏极终端以及一第三源极/漏极终端。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一源极/漏极终端与该栅极区域定义一第一晶体管，该第二源极/漏极终端与该栅极区域定义一第二晶体管，以及该第三源极/漏极终端与该栅极区域定义一第三晶体管。6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第三区段的一端部连接至该第二区段的一端部。7.如权利要求4所述的半导体元件，另包括一第四源极/漏极终端。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第四源极/漏极终端与该栅极区域定义一第四晶体管。9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三区段位置接近该第一区段与该第二区段上的源极/漏极终端，并与该第一区段与该第二区段上的该源极/漏极终端一起定义一充电电流路径。10.如权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑士嵩，
申请(专利权)人：创王光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71