具有不同熔化温度的互连结构的封装体制造技术

一种封装体(100)包括：至少一个电子芯片(102)；第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；以及包封材料(108)，所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分，其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。

【技术实现步骤摘要】
具有不同熔化温度的互连结构的封装体
本专利技术涉及多种封装体、一种车辆、一种使用方法以及一种制造封装体的方法。
技术介绍
例如用于汽车应用的功率模块为功率器件(通常是包括一个或两个以上集成电路构件的电子芯片形式的功率半导体装置)提供物理容纳。功率模块的集成电路构件的例子是绝缘栅双极晶体管(IGBT：Insulated-GateBipolarTransistor)和二极管。对于这种和其它封装体，期望在封装期间以高的空间精度、重复性和可靠性实施各种元件堆叠。此外，还期望封装体的设计不会受到太多约束的过度限制。然而，这是传统方法难以实现的。
技术实现思路
可能需要一种可以高度自由地制造的可靠的封装体。根据一个示例性实施例，提供了一种封装体，其包括：至少一个电子芯片；第一散热体，所述至少一个电子芯片通过第一互连结构安装在所述第一散热体上；第二散热体，所述第二散热体通过第二互连结构安装在所述至少一个电子芯片上或上方；以及可选的包封材料，所述包封材料包封所述至少一个电子芯片的至少一部分、第一散热体的一部分和第二散热体的一部分，其中，所述第一互连结构被配置成相比所述第二互连结构具有不同的熔化(或再融化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装体(100)，包括：●至少一个电子芯片(102)；●第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；●第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。

【技术特征摘要】
2016.11.14 DE 102016121801.41.一种封装体(100)，包括：●至少一个电子芯片(102)；●第一散热体(104)，所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上；●第二散热体(106)，所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方；其中，所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。2.根据权利要求1所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括包封材料(108)，所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分。3.根据权利要求1或2所述的封装体(100)，其中，所述第一互连结构(170)包括以下组中的一个：钎焊结构和烧结结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第二互连结构(172)包括以下组中的一个：钎焊结构和烧结结构。5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)在所述至少一个电子芯片(102)与所述第二散热体(106)之间包括至少一个导电间隔体(126)，特别是至少一个导电导热间隔体(126)。6.根据权利要求5所述的封装体(100)，其中，所述第二互连结构(172)将所述至少一个电子芯片(102)与所述至少一个导电间隔体(126)直接连接。7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100)，其中，至少所述第一互连结构(170)包括Pb基钎焊材料或SnSb基钎焊材料。8.根据权利要求5或7所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)包括将所述至少一个导电间隔件体(126)与所述第二散热体(106)直接连接的第三互连结构(174)。9.根据权利要求8所述的封装体(100)，其中，所述第三互连结构(174)包括以下组中的一个：熔焊结构、钎焊结构和烧结结构。10.根据权利要求8或9所述的封装体(100)，其中，所述第三互连结构(174)被配置为相比所述第一互连结构(170)和所述第二互连结构(172)中的至少一个具有更低的熔化温度。11.根据权利要求10所述的封装体(100)，其中，所述第二互连结构(172)和所述第三互连结构(174)被配置为相比所述第一互连结构(170)具有更低的熔化温度。12.根据权利要求7至11中任一项所述的封装体(100)其中，所述第二互连结构(172)和所述第三互连结构(174)中的至少一个包括Pb基材料或Ag基材料、特别是SnAg。13.根据权利要求7至12中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第一互连结构(170)、所述第二互连结构(172)和所述第三互连结构(174)中的一个被配置为相比所述第一互连结构(170)、第二互连结构(172)和第三互连结构(174)中的其它两个具有更高的熔化温度。14.根据权利要求7至13中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第一互连结构(170)、所述第二互连结构(172)和所述第三互连结构(174)中的两个被配置为相比所述第一互连结构(170)、第二互连结构(172)和第三互连结构(174)中的剩余的一个具有更高的熔化温度。15.根据权利要求1至14中任一项所述的封装体(100)，其中，所述封装体(100)被配置用于双面冷却。16.根据权利要求1至15中任一项所述的封装体(100)，其中，所述第一散热体(104)和所述第二散热体(106)中的至少一个包括电绝缘层(110...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·格拉斯曼，J·赫格尔，A·凯斯勒，I·尼基廷，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE