一种晶闸管的铝蒸发装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管的铝蒸发装置
本技术涉及晶闸管
，尤其涉及到一种晶闸管的铝蒸发装置。
技术介绍
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极:阳极，阴极和门极;晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的制备方法有金属铝的蒸发涂覆工艺,目前晶闸管芯片的铝蒸发装置，主要是将铝源放置在铜制的坩埚内，然后采用10KV的高速电子束轰击熔融，使固态的铝变成汽态，铜制的坩埚的空腔内盛装有冷却水。由于现有铝源直接放置在盛有冷却水的铜制坩埚内，导致了在蒸发过程中，加热电源功率15KW加到85%，蒸发速率只有10埃/秒左右，蒸发时间长达8.5H左右，效率低下，金属膜质量差，生产成本高。
技术实现思路
本技术的目的提供一种晶闸管的铝蒸发装置，蒸发速率提高到1微米/60秒，高压电源功率（15KW）从原来85%降到30%左右。蒸发30微米铝层厚度原来需要8.5小时而现在只要30分钟左右，蒸发的金属膜质量优良、致密性好，工作效率翻了十几倍，同时极大的节约电能和消耗。为解决现有技术存在的问题，本技术提供一种晶闸管的吕蒸发装置，该装置包括：第一坩埚、第二坩埚，所述第一坩埚为中空的腔体结构，所述腔体的底部为密封的结构，所述腔体的相对的侧壁上分别设置有所述第一坩埚的进水口和出水口，所述腔体的顶部向腔体的底部凹陷形成第...
【技术保护点】
一种晶闸管的铝蒸发装置，其特征在于，包括第一坩埚、第二坩埚，所述第一坩埚为中空的腔体结构，所述腔体的底部为密封的结构，所述腔体的相对的侧壁上分别设置有所述第一坩埚的进水口和出水口，所述腔体的顶部向腔体的底部凹陷形成第二坩埚的放置空间。
【技术特征摘要】
1.一种晶闸管的铝蒸发装置，其特征在于，包括第一坩埚、第二坩埚，所述第一坩埚为中空的腔体结构，所述腔体的底部为密封的结构，所述腔体的相对的侧壁上分别设置有所述第一坩埚的进水口和出水口，所述腔体的顶部向腔体的底部凹陷形成第二坩埚的放置空间。2.根据权利要求1所述的晶闸管的铝蒸发装置，其特征在于，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：高建峰，
申请(专利权)人：杭州西风半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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