星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺，该生产线包括Ａ面进出片室、Ｂ面进出片室、Ａ面旋转真空室、Ｂ面旋转真空室、Ａ面第一溅射工作室、Ｂ面第一溅射工作室、中间连接室、Ａ面旋转回架装置、Ｂ面旋转回架装置；Ａ面进出片室、Ａ面第一溅射工作室分别与Ａ面旋转真空室相衔接；Ｂ面进出片室、Ｂ面第一溅射工作室分别与Ｂ面旋转真空室相衔接；中间连接室二端分别与Ａ面旋转真空室、Ｂ面旋转真空室相衔接。生产工艺中，通过同时进行二个方向的生产流程控制，共用主要的生产设备，使相对同样产能的现有生产线，本发明专利技术的生产线占地面积小，投入设备成本大大降低，生产维护成本也大幅度降低，经济效益与社会效益十分显著。

【技术实现步骤摘要】
星型双回转磁控溅射导电玻璃镀膜生产线及生产工艺
本专利技术涉及一种ITO导电玻璃镀膜生产线及相关生产工艺。
技术介绍
磁控溅射镀膜技术经过几十年的发展已经进入到相对成熟的阶段，它 具有溅射温升低、溅射速率高、膜层致密以及附着力好等优点而备受青睐。 特别是在一些大型镀膜生产线上的成功应用进一步奠定了它在镀膜领域重 要地位。随着平板显示器产业的飞速发展，在2004年中国LCD显示器的 产量首次超过了 CRT,在该领域是一种大面积的镀膜技术，还不只是被镀 工件的镀膜面积大到几平方米，而是考虑一套镀膜设备整个的生产能力和 质量的平稳。它所面临的主要问题有①薄膜均匀性的控制，包括薄膜厚 度、薄膜成分与薄膜特性的均匀性；②连续生产的条件下，薄膜制备的可 重复性与薄膜特性的一致性；③如何控制和减少薄膜的区缺陷；④生产节 拍的提高使得产能增加从而可以一定程度上降低成本。同样随着低辐射率 膜(LOW-E)、建筑玻璃、自清洁玻璃、薄膜太阳电池等日益的发展普及， 大面积的磁控溅射镀膜的应用领域正在不断的扩大。纵观国内的大面积磁 控溅射镀膜生产线的结构已经比较落后，特别是ITO导电玻璃生产线的设 计还停留在以前较传统的设计方式。以下是现有技术中的几种典型的ITO导电玻璃生产线1、 采用直线形式(IN-LINE型)这种结构的磁控溅射生产线应用很广泛，有单面和双面镀膜之分。其中单面主要考虑到结构布置简单，基片载体运行可靠性高，加热均匀性有所改善；双面主要考虑到增加产能节约 生产成本。这种结构其上下片的净化车间分别在生产线的两端，基片载体 回送装置在真空室外面沿转用的轨道回架，其生产线结构请参阅附图1。2、 国内的生产线结构虽然没有大的改观，但在吸收了一些国外的先进设计思想以后也进行了改进，采用了旋转真空室结构，即单面回转式磁控 溅射镀膜生产线。其真空室做成一室两工作点形式，即用隔板做成两个独 立的空间，通过旋转室的回转来完成连续的镀膜过程。它的上下片室共用一个净化间，通过净化间内的回转装置实现基片载体的循环运行。也就是 说整个的镀膜过程基片载体不用暴露到生产车间，而只在真空室体和百级净化间空间内运行。这种结构设计的思想其实就是将单面IN-LINE线进行 "对折"然后增加旋转真空室来起连接过渡。因此较单面IN-LINE线而言有具有如下的优势①整个生产线长度大大减少，而且减少一个千级净化 间其占地面积有大的降低；②基片载体回送装置没有暴露在生产车间不会 造成基片载体的污染有利于镀膜质量的改善。其生产线结构请参阅附图2。3、在国外有一种"星"型的结构设计，同样采用单室双工作点的室和 旋转真空室。它将几个真空室在不同方向上与旋转室连接形成一个"星" 型的结构，其分支可视不同的工艺要求进行增减，每个分支的室数量也可 增减。室都采用模块化设计以方便安装和重新组合。这种结构同样具有占 地面积小的优点，而且灵活性又有了很大的提高。还可适用于镀制别的产 品，比如多层膜的沉积。其生产线结构请参阅附图3。上述现有技术中，存在一些问题及缺陷。采用单面或双面IN-LINE结 构主要有以下的缺点①生产线较长占地面积大；②上下片净化车间分离 在两端，进一步增加占地面积和建设成本；③基片载体回送装置暴露在生 产车间会受到污染，不利于沉膜质量改善；④生产线的安装不方便，由于 太长(国内普遍采用9真空室)安装的精度不容易保证，基片载体运行易 受阻。采用单面环式结构的主要缺点是①结构灵活性差，加工产品的范围 不广；②生产节拍不高，产能低从而增加了成本。采用单回转"星"型结构同样存在产能不高的缺陷，而且分支不能太 多，所以镀膜室的数量不会太多，灵活性受到一定的限制。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服以上现有技术的不足，提供一种星型双回 转磁控溅射ITO导电玻璃镀膜生产线及生产工艺，可以增加设备的灵活性， 提高产能，拓宽了应用的产品范围。为实现上述目的，本专利技术提出星型双回转磁控溅射ITO导电玻璃镀膜 生产线，包括A面进出片室、B面进出片室、A面旋转真空室、B面旋转 真空室、A面第一溅射工作室、B面第一溅射工作室、中间连接室、A面 旋转回架装置、B面旋转回架装置；所述A面进出片室、A面第一溅射工作室分别与所述A面旋转真空室相衔接；所述B面进出片室、B面第一溅 射工作室分别与所述B面旋转真空室相衔接；所述中间连接室二端分别与 所述A面旋转真空室、B面旋转真空室相衔接。上述的生产线，还包括A面第二溅射工作室，与所述A面旋转真空室 相衔接。还包括B面第二溅射工作室，与所述B面旋转真空室相衔接。上述的生产线，所述中间连接室包括第一通道、第二通道，所述第一 通道包括相衔接的预热室、镀膜室、过渡室，所述第二通道包括相衔接的 预热室、镀膜室、过渡室；所述二通道并行反向、分别连接于所述A面旋 转真空室、B面旋转真空室之间。上述的生产线，还包括A面旋转回架装置、B面旋转回架装置，所述 A面旋转回架装置与所述A面进出片室相衔接，所述B面旋转回架装置与 所述B面进出片室相衔接。同时，本专利技术提出了一种星型双回转磁控溅射ITO导电玻璃镀膜生产 工艺，包括二个相互独立、同时运行、方向相反的流程A基片载体依次 经A面回架旋转装置、A面进出片室、A面旋转真空室、预热室、A面旋 转真空室、中间连接室、B面旋转真空室、B面溅射工作室、B面旋转真 空室、B面进出片室、B面回架旋转装置，完成ITO镀膜；B基片载体依 次经B面回架旋转装置、B面进出片室、B面旋转真空室、预热室、B面 旋转真空室、中间连接室、A面旋转真空室、A面溅射工作室、A面旋转 真空室、A面进出片室、A面回架旋转装置，完成ITO镀膜。上述的生产工艺，所述A面溅射工作室包括A面第一溅射工作室、A 面第二溅射工作室，可实现对基片载体的多次溅射ITO镀膜。所述B面溅 射工作室包括B面第一溅射工作室、B面第二溅射工作室，可实现对基片 载体的多次溅射ITO镀膜。上述的生产工艺，所述中间连接室设有第一通道、第二通道，该二通 道设置有镀膜室，实现对所述基片的镀膜处理。所述镀膜室实现二氧化硅 镀膜或银镀膜。由于采用了以上的方案，带来了如下的有益效果在整条生产线中，同时进行的二个方向的生产通过流程控制，共用主 要的生产设备，使相对同样产能的现有技术的生产线，本专利技术的整条生产 线占地面积小，投入设备成本大大降低，生产、维护成本也大幅度降低， 经济效益与社会效益十分显著。由于有两个进出片工作点，整个工艺路线朝两个方向同时进行，其产 能可以得到很大的提高。本专利技术工艺路线的灵活多变，镀膜工作点多，工艺可变性强，可通过调整不同工艺路线来满足不同产品的需求，比如0LED用IT0导电玻璃就可 能涉及到Ag膜的制备，还有其它多层膜的开发，镀膜工作点就可以实现多 种类靶材的溅射。中间连接室的镀膜室可以根据所需工艺的要求进行变换， 包括靶材的更换以及整个溅射装置的更换，均采用模块化设计，所以更换 起来很方便，结构新颖、紧凑，安装和维护便捷；无须将整个的镀膜室更 换只需要将靶门等一些部件加以更换重组即可。由于后续镀膜在相对独立的溅射空间，膜层的质量得到进一步保证。附图说明附图l:传统直线型大型连续镀膜生产线原理图i 附图2:单面回转式大型连续镀膜生产线原理图； 附图3:"本文档来自技高网...

【技术保护点】
星型双回转磁控溅射ＩＴＯ导电玻璃镀膜生产线，其特征是：包括Ａ面进出片室、Ｂ面进出片室、Ａ面旋转真空室、Ｂ面旋转真空室、Ａ面第一溅射工作室、Ｂ面第一溅射工作室、中间连接室、Ａ面旋转回架装置、Ｂ面旋转回架装置；所述Ａ面进出片室、Ａ面第一溅射工作室分别与所述Ａ面旋转真空室相衔接；所述Ｂ面进出片室、Ｂ面第一溅射工作室分别与所述Ｂ面旋转真空室相衔接；所述中间连接室二端分别与所述Ａ面旋转真空室、Ｂ面旋转真空室相衔接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许生，徐升东，庄炳河，曹志刚，高文波，
申请(专利权)人：深圳豪威真空光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]