一种含不对称萘二杂环共轭聚合物及其在有机光电器件中的应用制造技术

本发明专利技术属于高分子光电材料技术领域，公开了一种含不对称萘二杂环共轭聚合物及其在有机光电器件中的应用。本发明专利技术的含不对称萘二杂环共轭聚合物结构如下：

【技术实现步骤摘要】
一种含不对称萘二杂环共轭聚合物及其在有机光电器件中的应用
本专利技术属于高分子光电材料
，特别涉及一种含不对称萘二杂环共轭聚合物及其在有机光电器件中的应用。
技术介绍
随着全球对于能源需求的逐年增加，石油、煤炭等传统能源的日益枯竭，以及对保护地球生态环境的需要，全世界越来越多的科学家将研究集中在氢气、太阳能等取之不尽用之不竭的可再生清洁能源。已经成熟的无机硅、砷化镓、磷化铟等基于无机材料的光伏器件已经在市场上占有主导地位，然而由于其对材料纯度的要求高，加工过程中会产生高能耗及污染等问题，且其价格非常昂贵，因此在追求低成本和绿色环保的今天，其大规模应用受到了限制。有机光电器件作为一种新型薄膜光伏电池技术，具有全固态、光伏材料性质可调范围宽、可实现半透明、柔性电池、具有大面积低成本制备潜力等突出优点。有机材料的光伏性能可调范围宽，可利用化学手段对材料的能级、载流子迁移率以及吸收等性能进行有效的调控。有机/聚合物光伏器件可采用打印、印刷等方法进行加工，可借鉴传统塑料的加工工艺，通过卷对卷滚动加工流程制造大面积、柔性的薄膜光伏器件，该生产工艺能够有效降低光伏电池的制造成本。有机光电器件几乎不受环境和场地限制，在许多场合可将光能转换为电能，同时与无机半导体光伏器件有非常强的互补性，无疑具有巨大的商业开发价值和市场竞争力。因此有机光电器件的研究引起了广泛关注，以有机光电器件为核心的科学研究已经成为一个世界范围内竞争激烈的材料科学前沿研究领域。在众多光电材料中，含苯并杂环基团的光电材料在有机电致发光、有机太阳电池、化学和生物传感器以及有机场效应晶体管等材料中已经得到了广泛的应用。与苯并杂环相比，萘二杂环具有两个苯并杂环相连的结构，因此它具有苯并杂环基本优点的同时，还具有更大的刚性平面、更强的缺电子性。此外，不对称的萘二杂环结构还具有一些特殊性能。本专利技术设计合成了一系列含不对称萘二杂环有机半导体材料，并将其用于有机光电器件中，展现出了良好的载流子迁移率与器件效率。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点与不足，本专利技术的首要目的在于提供一种含不对称萘二杂环共轭聚合物。本专利技术另一目的在于提供上述含不对称萘二杂环共轭聚合物在有机光电器件中的应用。本专利技术的目的通过下述方案实现：一种含不对称萘二杂环共轭聚合物，结构如下：其中，聚合度n为小于100万的正整数；A1、A2为不同的五元杂环；R1、R2、R3、R4相同或不同的分别为烷基链；D为给电子共轭单元。所述的D具有如下结构的一种或一种以上：进一步地，所述的R1、R2、R3、R4相同或不同的分别为C1～40的直链、支链或者环状烷基链；所述C1～40的直链、支链或者环状烷基链中的一个或一个以上碳原子可被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、甲基、乙基、甲氧基、硝基取代；所述C1～40的直链、支链或者环状烷基链中的一个或一个以上氢原子可被氟原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、甲基、乙基、甲氧基、硝基取代。进一步地，所述的A1、A2不同的分别具有如下结构的一种或一种以上：本专利技术的含不对称萘二杂环共轭聚合物可通过Stille聚合反应得到。本专利技术还提供上述含不对称萘二杂环共轭聚合物在有机光电器件中的应用。所述有机光电器件的结构如图1所示，由衬底、阳极、阳极界面层、光吸收层、阴极界面层、阴极依次层叠构成。具体为所述有机光电器件中的光吸收层含有本专利技术所述的含不对称萘二杂环共轭聚合物。所述有机光电器件中，阳极材料优选为铝、银、金、钙/铝合金或钙/银合金、氧化锡铟(ITO)。所述有机光电器件中，阳极界面层优选为有机共轭聚合物(如聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或无机半导体。所述有机光电器件中，阴极优选为金属、金属氧化物(如氧化铟锡导电膜(ITO)、掺杂二氧化锡(FTO)、氧化锌(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO))和石墨烯及其衍生物中的至少一种。所述有机光电器件中，衬底优选为玻璃、柔性材料(如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯对苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或其他聚酯材料)、金属、合金和不锈钢薄膜中的至少一种。本专利技术的共轭聚合物主链为不对称萘二杂环和给电子共轭单元。不对称萘二杂环具有刚性的平面结构，利于更好的π-π堆积效应、更好的平面性和缺电子性，有利于电荷的传输，可以应用于高迁移率电子器件，得到更好的性能。本专利技术相对于现有技术，具有如下的优点及有益效果：(1)本专利技术设计合成了一系列新型不对称萘二杂环有机半导体材料，这类有机半导体可以很好的调节光电性质，具有良好的光电性能。(2)所述的新型不对称萘二杂环共轭聚合物具有良好的热稳定性。(3)不对称萘二杂环具有刚性的平面结构，利于更好的π-π堆积效应、更好的平面性和缺电子性，有利于电荷的传输，可以应用于高迁移率电子器件，得到更好的性能。附图说明图1为有机光电器件结构示意图。图2为本专利技术新型不对称萘二杂环共轭聚合物(P1、P2、P3)的紫外-可见光-近红外吸收谱图。图3为电池结构为ITO阴极/阳极界面层/活性层/阴机界面层/阳极(正装结构)时，活性层含本专利技术共轭聚合物(P1、P2、P3)时电池器件的电流-电压曲线图。图4为本专利技术的共轭聚合物的热失重曲线。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。下列实施例中涉及的物料均可从商业渠道获得。实施例1(1)单体M1按照文献[Polymer,2015,67:40-46.]公开的方法合成。(2)单体M2，M3，M4按照文献[ChemistryofMaterials,2015,27(15):5230-5237.]公开的方法合成。(3)聚合物P1、P2、P3的合成：将单体M1(0.5mmol)和单体M2(0.5mmol)加入到25mL两口烧瓶中，通入氮气保护，加入8mL甲苯。抽换气两次后加入5mgPd(PPh3)4，95℃反应12h后用甲醇将聚合物沉淀出来，洗涤三次。得深色聚合物P1，产率74.5％。1HNMR(CDCl3500MHz):δ:7.20-6.90(m,6H),4.13-3.50(m,6H),2.00-1.85(m,4H),1.05-1.30(br,26H),0.87(t,15H).GPC:Mn＝45.8KDa,Mw＝96.2KDa,PDI＝2.1.Elem.Anal.:C,67.86；H,7.12；N,7.61；S,17.42.将单体M1(0.5mmol)和单体M3(0.5mmol)加入到25mL两口烧瓶中，通入氮气保护，加入10mL甲苯。抽换气两次后加入7mgPd(PPh3)4，95℃反应12h后用甲醇将聚合物沉淀出来，洗涤三次。得深色聚合物P2，产率72.9％。1HNMR(CDCl3500MHz):δ:7.18-6.85(m,6H),4.12-3.60(m,6H),2.05-1.85(m,4H),1.05-1.30(br,26H),0.87(t,15H).GPC:Mn＝47.5KDa,Mw＝118.7KDa,PDI＝2.5.Elem.Anal.:C,70.31；H,7.38；N,7.88；O,3.60；S,10.83.将单体M1(0.5mmol)和单体M4(0.5mmol)加入到25本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于结构如下：

【技术特征摘要】
1.一种含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于结构如下：其中，聚合度n为小于100万的正整数；A1、A2为不同的五元杂环；R1、R2、R3、R4相同或不同的分别为烷基链；D为给电子共轭单元。2.根据权利要求1所述的含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于所述的D具有如下结构的一种或一种以上：3.根据权利要求1所述的含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于：所述的R1、R2、R3、R4相同或不同的分别为C1～40的直链、支链或者环状烷基链。4.根据权利要求3所述的含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于：所述C1～40的直链、支链或者环状烷基链中的一个或一个以上碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、甲基、乙基、甲氧基、硝基取代。5.根据权利要求3所述的含不对称萘二杂环共轭聚合物，其特征在于：所述C1～40的直链、支链或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄飞，胡志诚，应磊，曹镛，
申请(专利权)人：华南协同创新研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44