无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法技术

是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的无电解镀金浴保持在７０－９０℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法，是将碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第１补充成分定期地补充，还对由于镀敷处理消耗了金的镀浴，只补充氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第２补充成分的无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法。采用本发明专利技术的方法，不引起由于镍表面进行晶界侵蚀导致的外观不良，可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力，还可长期、稳定地维持控制由于镀敷处理消耗氰化金盐的无电解镀金浴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。 技术背景金是金属中离子化倾向最小，即最稳定而难生锈的金属。另外不 仅如此，由于导电性也好而广泛用于电子工业领域。置换镀金广泛地 作为印刷电路基板的电路或集成电路封装的实装部分或端子部分等的 最终表面处理使用。具体地，例如有以下的方法，分别有以下的特征。(1) ENfG ( Electroless Nickel Immersion Gold:无电解镍/置换金) 是在基底无电解镀镍被膜上形成置换镀金被膜的方法。 -可防止铜的扩散，防止镍的氧化，提高电路或端子的耐腐蚀性。可在软钎焊时使用。ENIG处理后，通过实施加厚的金也可在引线接合法(wire bonding )中使用。-引线接合法的场合，在镀敷处理后进行加热处理，但由此导致 镍在金被膜上扩散。为了防止镍扩散，在镍/置换金被膜上再实施无电 解镀金，通过增加金的膜厚解决镍的扩散。(2 ) DIG ( Direct Immersion Gold:直接置换金) 是在铜上直接形成置换镀金被膜的方法。-可防止铜的氧化、防止铜的扩散、提高电路或端子的耐腐蚀性。 '也可在软钎焊、引线接合法中使用。 与镍/金或镍/把/金相比，长期可靠性稍差，但可在不太施加热 负荷的条件(热处理温度低，重熔(卩7口一)次数少等的条件)下 充分使用。'由于是简单的工艺，故成本低。(3 ) ENEPIG ( Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold:无电解镍/无电解钯/置换金) 是在基底无电解镀镍被膜与置换镀金被膜之间设无电解镀钯被 膜的方法。-可防止铜的扩散，防止镍的氧化和扩散，提高电路或端子的耐 腐蚀性。 最适合于近年发展的无铅软钎焊(因为无铅焊锡与锡铅共晶焊 锡相比，软钎焊时需要热负荷，对于镍/金接合特性降低的缘故)。适合于引线接合法。 即使是不增厚金膜厚度也不产生镍扩散。-适用于既使使用镍/金可以解决、但拟进一步提高可靠性的场合。 置换镀金由于利用与镍等的基底的镀浴中的氧化还原电位差使金 析出，故由于金侵蚀镍发生氧化(溶出)造成的腐蚀点。这种氧化造 成的腐蚀点在其后的焊锡软熔时，成为使焊锡层的锡与镍连接时的阻 碍因素，有使强度等的接合特性降低的问题。为了解决该问题，特开2004-137589号公报(专利文献1)公开 了含有醛的亚硫酸盐加成物的无电解镀金浴；国际公开第2004/111287 号小册子(专利文献2)公开了含有羟基烷基磺酸盐的镀金浴。这些 技术都是以抑制基底金属的腐蚀为目的。然而，使用如国际公开第2004/111287号小册子(专利文献2)所 述的三亚乙基四胺那样的存在氨基(-NH2)的伯胺化合物时，由于进 行镍表面的晶界腐蚀，故金的被覆力降低，产生被膜外观变红这种问 题。专利文献l:特开2004-137589号公才艮 专利文献2:国际公开第2004/111287号小册子 专利文献3:特开2002-226975号公才艮 专利文献4:特许第2538461号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供不引起由于镍 表面晶界侵蚀进行而导致的外观不良，长期稳定地维持控制可得到良 好被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力的方法，还提供长 期稳定地维持控制由于镀敷处理消耗了氰化金盐的无电解镀金浴。本专利技术人通过使用含有作为金成分的氰化金盐，作为还原剂成分的甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及下述通式(1)或(2) R广NH匿C2H4-NH-R2 ( 1 ) R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4 ( 2 ) (式(1)及(2)中，R,、 R2、 R3及R4表示-OH、 -CH3、 CH2OH、 -C2H4OH、 -CH2N ( CH3) 2、 CH2NH ( CH2OH )、 -CH2NH ( C2H4OH )、 -C2H4NH( CH2OH )、 -C2H4NH( C2H4OH )、 -CH2N( CH2OH )2、 -CH2N (C2H4OH) 2、 -C2H4N (CH2OH) 2或画<:2114 (C2H4OH ) 2，可以相 同也可以不同。n是l-4的整数。)表示的胺化合物的无电解镀金浴，发现难以产生如上述的镍表面的晶 界腐蚀，明白了这些的镀浴不论有无镀敷作业，因氰和作为还原剂成 分的甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及上述通式(1)或(2)表示的胺化 合物都慢慢地从镀浴中消失，故有引起浴分解的问题。因此，发现通 过按适宜的浓度比率不断少量地补充这些消失成分可以解决上述问 题。即，本专利技术提供以下的。 [1，其是在将含有氰化金 盐、络合剂、曱醛合酸式亚硫酸盐加成物及下述通式(1)或(2) R广NH-C2H4-NH画R2 ( 1 ) R3-(CH2-NHC2H4-NHCH2)nR4 ( 2 ) (式(1)及(2)中，R!、 R2、 R3及R4表示-OH、 -CH3、 CH2OH、 -C2H4OH、 -CH2N ( CH3) 2、 -CH2NH ( CH2OH )、 -CH2NH ( C2H4OH )、 -C2H4NH( CH2OH )、 -C2H4NH( C2H4OH )、 -CH2N( CH2OH )2、 -CH2N (C2H4OH) 2、 -C2H4N (CH2OH) 2或-<:2114 (C2H4OH ) 2，可以相同也可以不同。n是l-4的整数。)表示的胺化合物的无电解镀金浴保持在70-90。C的状态下，稳定地维 持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法，其特征在于，将碱性氰 化物和上述曱醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第1补充成分 定期地补充。[2上述[1所述的，其特征 在于，使上述碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的 补充比率成为碱性氰化物甲醛合酸式亚硫酸盐加成物胺化合物= (0.5-5) :1: ((U 5)(摩尔比)进行补充。[3上述[2I所述的，其特征 在于，将上述第1补充成分按其甲醛合酸式亚硫酸盐加成物基准，分 成每小时1-20次补充建浴时的浓度的0.1 5摩尔％。[41上述[lj至[31的任何一项所述的无电解镀金浴的镀敷能力维持 控制方法，其特征在于，对由于镀敷处理消耗了金的镀浴，进一步补 充上述氰化金盐、曱醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第2补 充成分。[51上述[4所述的，其特征 在于，使上述氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的补 充比率，成为氰化金盐甲醛合酸式亚硫酸盐加成物胺化合物=1: (0.1~5 ) : ( 0.5~5 )(摩尔比)进行补充。6I上述5I所述的，其特征 在于，将上述第2补充成分按其曱醛合酸式亚硫酸盐加成物基准，分 成每小时1 20次补充建浴时的浓度的0.1~5摩尔％。7上述[31或I61所述的，其 特征在于，上述曱醛合酸式亚硫酸盐加成物的1次的补充量为每1L 镀浴在2毫摩尔以下。[8上述llj至[7的任何一项所述的无电解镀金浴的镀敷能力维持 管理方法，其特征在于，用同摩尔量的甲醛代替上述甲醛合酸式亚硫 酸盐加成物补充上述补充的曱醛合酸式亚硫酸盐加成物的一部分或全部。根据本专利技术，不引起由于镍表面进行晶界侵蚀而导致的外观不良， 可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观本文档来自技高网...

【技术保护点】
无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法，其是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及下述通式（１）或（２）Ｒ↓［１］－ＮＨ－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］－ＮＨ－Ｒ↓［２］（１）Ｒ↓［３］－（ＣＨ↓［２］－ＮＨ－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］－ＮＨ－ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－Ｒ↓［４］（２）（式（１）及（２）中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］及Ｒ↓［４］表示－ＯＨ、－ＣＨ↓［３］、－ＣＨ↓［２］ＯＨ、－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＯＨ、－ＣＨ↓［２］Ｎ（ＣＨ↓［３］）↓［２］、－ＣＨ↓［２］ＮＨ（ＣＨ↓［２］ＯＨ）、－ＣＨ↓［２］ＮＨ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＯＨ）、－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＮＨ（ＣＨ↓［２］ＯＨ）、－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＮＨ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＯＨ）、－ＣＨ↓［２］Ｎ（ＣＨ↓［２］ＯＨ）↓［２］、－ＣＨ↓［２］Ｎ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＯＨ）↓［２］、－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］Ｎ（ＣＨ↓［２］ＯＨ）↓［２］或－Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］Ｎ（Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］ＯＨ）↓［２］，可以相同也可以不同，ｎ是１－４的整数），表示的胺化合物的无电解镀金浴保持在７０－９０℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法，其特征在于，将碱性氰化物和上述甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第１补充成分定期地补充。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木曾雅之，小田幸典，黑坂成吾，上玉利彻，西条义司，田边克久，
申请(专利权)人：上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]