化学镀金浴制造技术

本发明专利技术公开了一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，能够以一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐以及异丙基肼盐酸盐等所构成的组中选择的至少一种。少一种。

【技术实现步骤摘要】
化学镀金浴


[0001]本专利技术涉及一种化学镀金浴。

技术介绍

[0002]金具有仅次于银、铜的高电导率，热压合的连接性等物理性质优异，并且耐氧化性、耐化学性等化学性质也优异。因此，在电子工业领域，用金进行的镀金被作为印刷线路板的电路、IC封装体的安装部分或端子部分等的最终表面处理法而广泛使用。近年来，伴随着电子部件的小型化、高密度化，较适宜使用不需要导线而功能性等优异的化学镀覆法。
[0003]作为该化学镀覆法，例如使用化学镀镍浸金法(Electroless Nickel Immersion Gold：ENIG)。通过使用该ENIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、置换镀金膜的镀膜。例如，还使用化学镀镍钯浸金法(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold：ENEPIG)。通过使用该ENEPIG法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、化学镀钯膜以及置换镀金膜的镀膜。
[0004]作为在这些化学镀覆法中使用的还原置换型化学镀金浴，例如有人提出以下化学镀金浴。该化学镀金浴含有水溶性金化合物、络合剂和还原剂，作为稳定剂添加了聚乙烯醇和/或聚乙烯吡咯烷酮。并且，通过使用如此的构成，能够仅在金属部分形成良好的镀金膜，适合用于陶瓷IC或封装体等的镀金处理(例如，参照专利文献1)。
[0005]专利文献1：日本专利公报专利第2927142号

技术实现思路

[0006]－专利技术要解决的技术问题－
[0007]此处，在上述现有化学镀金浴中，由于金难以在镀钯膜上析出，因此存在以下问题：在微小的端子部分等，镀金膜的形成不充分，难以形成均匀的镀金膜。
[0008]为了在镀镍膜上形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜，需要在对被镀覆物上形成置换镀金膜后，再使用上述化学镀金浴来形成化学镀金膜，因此存在需要两道工序的问题。
[0009]于是，鉴于上述问题，本专利技术的目的在于：提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。
[0010]－用于解决技术问题的技术方案－
[0011]为达成上述目的，本专利技术所涉及的化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所构成的组中选择的至少一种。
[0012]－专利技术的效果－
[0013]根据本专利技术，能够提供一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。
具体实施方式
[0014]以下，说明本专利技术的化学镀金浴。
[0015]＜化学镀金浴＞
[0016]本专利技术的化学镀金浴是一种含有金供给源即亚硫酸金盐、络合剂即硫代硫酸盐、还原剂即抗坏血酸类以及还原剂即肼类的化学镀金浴。
[0017](亚硫酸金盐)
[0018]本专利技术的化学镀金浴为无氰浴(Non
‑
Cyan Bath)，作为金供给源，使用不含有氰基的水溶性金化合物即亚硫酸金盐(例如，亚硫酸金钠)。
[0019]镀浴中的亚硫酸金盐的浓度以金基准计优选为0.5～2g/L。在小于0.5g/L的情况下，有时镀覆析出速度会降低，在大于2g/L的情况下，有时镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性会下降。
[0020](络合剂)
[0021]络合剂是用于使金在化学镀金浴中的溶解性稳定化的物质，在本专利技术的化学镀金浴中，使用硫系化合物作为络合剂。作为该硫系化合物，使用硫代硫酸盐(硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵等)和亚硫酸盐(亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵等)。需要说明的是，这些络合剂既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。
[0022]镀浴中的硫代硫酸盐的浓度优选为0.5～10g/L。在小于0.5g/L的情况下，有时作为络合剂的效果不充分，在大于10g/L的情况下，对化学镀镍膜的局部腐蚀增加而会在化学镀镍膜的腐蚀部分与化学镀金膜之间产生间隙，因此有时镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性下降。
[0023]从抑制镀金膜对化学镀镍膜的贴紧性的下降并且抑制在化学镀镍膜或化学镀钯膜的表面发生腐蚀的观点来看，优选亚硫酸金盐中的金和硫代硫酸盐的质量比为金:硫代硫酸盐＝1:0.5～1:10。
[0024](还原剂)
[0025]还原剂用于还原金供给源即亚硫酸金盐，使金析出，在本专利技术的化学镀金浴中，作为还原剂，同时使用肼类和抗坏血酸类。
[0026]肼类是用于促进在镍膜上和钯膜上形成镀金膜的物质，特别是用于促进在ENEPIG法中的镀钯膜上形成镀金膜的物质。
[0027]作为该肼类，能举例：己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼(Dodecanediohydrazide)、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼等。需要说明的是，这些肼类既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。
[0028]镀浴中的肼类的浓度优选为0.5～15g/L。这是因为在低于0.5g/L的情况下，有时镀覆速度不够快。一般而言，镀覆速度与还原剂的浓度成正比例地提升，但在大于15g/L的
情况下，镀覆速度与浓度就不会再那么成正比地提升，因此有时镀浴的浴稳定性降低。
[0029]抗坏血酸类是用于提升镀金在借助上述肼类析出的镀金膜上的析出性、促进镀金膜的形成的物质，通过该抗坏血酸类能够形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜。
[0030]作为该抗坏血酸类，能举例：抗坏血酸、抗坏血酸磷酸钠等碱金属盐、抗坏血酸磷酸镁等碱土金属盐、以及抗坏血酸2－葡萄糖苷等酯类等。需要说明的是，这些抗坏血酸类既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。
[0031]镀浴中的抗坏血酸类的浓度优选为1～20g/L。这是因为，在小于1g/L的情况下，有时镀覆速度不够快，在大于20g/L的情况下，有时镀覆速度与浓度便不再那么成正比例地提升，镀浴的浴稳定性降低。
[0032]在本专利技术的化学镀金浴中，作为还原剂，同时使用促进在镍膜上和钯膜上形成镀金膜的肼类、以及提升镀金在借助肼类而析出的镀金膜上的析出性、促进镀金膜的形成的抗坏血酸类，因此，在ENIG法及ENEPIG法的任一方法中，都能够用一道工序来形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学镀金浴，其含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：所述肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所构成的组中选择的至少一种。2.根据权利要求1所述的化学镀金浴，其特征在于：所述抗坏血酸类为从抗坏血酸、抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中小百合，前川拓摩，田邉克久，柴山文德，
申请(专利权)人：上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：