大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，它包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室等组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架等组成，出片区由出片平移架等组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜的技术方案，它克服了传统透明导电膜生产线，透过率范围不高，无传送室，基片装载架的传送速度转换比小，生产效率较低等缺陷。它适合用于各类显示面板、太阳能面板和装饰面板的透明导电膜、抗反射膜、高反射膜等大面积镀膜的生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种真空镀膜生产线，尤其涉及用于大面积光学介质膜和透明导电膜组成的 抗反射导电膜，并能实现基片装载连续循环和不间断生产大面积抗反射导电膜产品的连续磁 控溅射镀膜生产线。
技术介绍
现有传统的导电膜玻璃生产线采用的工艺为在玻璃基板上镀氧化硅(Si02)隔离层和透 明导电层(一般采用镀氧化铟锡IT0透明导电膜)。例如中国专利号为01258489. 4授权公告 号为CN2516564Y的技术专利，公开了一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在 线联镀装置，该装置设计有中频反应磁控溅射Si02镀膜室、气体隔离装置、ITO镀膜室，前、 后端过渡真空室分别接有扩散泵，气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成， 连接中频反应磁控溅射Si02镀膜室的隔离室接有分子泵，与ITO镀膜室相连的隔离室接有扩 散泵，ITO镀膜室接有分子泵。该连续磁控溅射镀膜生产线为传统透明导电膜生产线，这种 生产线的局限在于其一，只具有简单的一个Si02镀膜室和一个IT0透明导电膜镀膜室，所 形成的透明导电膜在可见光范围内的透过率一般在89%_90%范围内，不能生产具有高透射 率的抗反射导电膜玻璃产品；其二，在反应溅射镀膜室(Si02溅射镀膜室)和透明导电膜溅 射镀膜室(IT0溅射镀膜室)的两端没有传送室，基片装载架的传送速度快慢转换比小，生 产效率较低；其三，反应溅射膜镀膜室(Si02溅射镀膜室)和透明导电膜镀膜室(IT0溅射镀 膜室)之间只有两个真空隔离室，并且没有阀门隔离，气氛隔离效果不明显，因此不适合进 行其它新产品的工艺开发；其四，进片区和出片区的高真空抽气室没有独立的抽气系统，影 响生产在线上下工序的整体同步联接；其五，生产线采用扩散泵进行高真空抽气，不利于高 质量透明导电膜的生产。目前工业上制造大面积抗反射导电膜的方法有两种，其一，直接购买使用溶胶一凝胶法 (Sol—Gel法)制备的抗反射膜，再进行透明导电膜镀膜，形成抗反射导电膜；其二，采用 现有的大面积导电膜溅射镀膜生产线，通过反复多次溅射镀膜，形成由高低折射率组成的抗 反射膜和导电膜。但是这两种方法都存在着很多问题，对于Sol-Gel法制备抗反射导电膜存 在以下问题(1) Sol-Gel法制备的抗反射膜工艺复杂，生产成本高；(2) Sol-Gel法镀膜 的材料有限，抗反射膜堆的结构设计不易改变；(3) Sol-Gel法制备透明导电膜的技术还不成熟，不能一次完成制备抗反射膜与镀透明导电膜，如采用Sol-Gel法制备抗反射膜还需要 再采用溅射的方法镀透明导电膜；而现有的透明导电膜生产线制备抗反射导电膜也存在以下 问题(A)采用现有的大面积导电膜镀膜生产线镀抗反射膜，由于溅射镀膜的沉积速率低， 需要反复镀膜，有的抗反射膜堆设计需要反复镀膜几十次；(B)现有的反应溅射靶Si靶与 ITO靶的结构和尺寸不一致，不适合产品工艺的变化；(C)现有生产线使用的膜层结构太复 杂，不适合大批量连续生产。随着高清晰显示技术在平板显示领域日益广泛的应用，高质量的大面积抗反射导电膜也 随着市场的需求正在稳步增长。然而这类技术的基本原理就是采用镀了多层抗反射导电膜的 玻璃替代普通的透明导电膜玻璃。但目前能够实现大批量生产大面积抗反射导电膜生产的设 备都存在工艺复杂、成本较高的特点。
技术实现思路
针对上述情况，本专利技术的目的在于提供一种适合大批量生产，低生产成本，溅射沉积速 率高，工艺通用性好，可以广泛用于各类显示面板玻璃的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射 镀膜生产线，用该生产线生产出的产品，具有高透射率，而且膜层结构简单、反射色度均匀 和较优良的导电性能。为了实现上述目的， 一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，它包括在机座 横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室、前过渡室、前传送室、介质 膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室v、隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II、导电膜镀膜室、后传送室和后过渡室组成的真空室组区 以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架、进片架组成，出片区由出片室、出片架 i、出片架n、出片平移架组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并 与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产 环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。 为了实现结构优化，其进一步的措施是磁导向传送装置包括设置在运行环路上的传动机组，该传动机组经同步传送带与动密封 装置上的同步轴传动联接，连接于同步轴端的同步传送轮，经固定座、连接座和连接销固联 于运行环路上的磁导向座及设置在磁导向座上的导向座磁铁和经同步传送轮带动且由导向座 磁铁导向运行的装载架。装载架包括一摩擦导杆和经摩擦导杆上的下绝缘块连接的立式装载框，所述装载架的上 端设有上绝缘块和适配于导向座磁铁的工件架导向磁铁，所述装载架的下端经同步传送轮及摩擦导杆传动且上端通过工件架导向磁铁无接触运行于两块导向座磁铁之间。 立式装载框通过上、下绝缘块与装载架和大地之间保持电绝缘连接。介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室 V的腔体的镀膜室门处设有至少十对孪生磁控溅射靶并且每对孪生磁控溅射耙均设有两路以 上的进气管。导电膜镀膜室的腔体的镀膜室门处设有至少四个直流磁控溅射钯并且每两个直流磁控溅 射耙均设有两路以上的进气管。前过渡室设有连接预抽室的前过渡室阀I 、连接前传送室的前过渡室阀II并与前过度室 抽气系统相连接；所述后过渡室设有连接出片室的后过渡室阀II、连接后传送室的后过渡室 阀I并与后过度室抽气系统相连接。前传送室、介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室v、隔离传送室i、隔离室、隔离传送室n、导电膜镀膜室及后传送室均与分子 泵组及高真空维持泵组依次相连。预抽室连接有预抽室抽气系统、预抽室阀、前过渡室阀I和预抽室充气阀；所述隔离室 连接有隔离室阀I、隔离室阀II;所述出片室连接有出片室抽气系统、出片室阀、后过渡室阀n和出片室充气阀。预抽室、前过渡室、前传送室、介质膜镀膜室i、介质膜镀膜室n、介质膜镀膜室ni、 介质膜镀膜室w、介质膜镀膜室v、隔离传送室i、隔离室、隔离传送室n、导电膜镀膜室、 后传送室、后过渡室内均设有运行速度检测装置。本专利技术采用包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室等 组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架等组成，出片区由出片 平移架等组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行 架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路，实现基片的 大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜的技术方案，它克服了传统透明导电膜生产线，透 过率范围不高，无传送室，基片装载架的传送速度转换比小，生产效率较低等缺陷。本专利技术相比现有技术所产生的有益效果(i)本专利技术的生产线，具有独立的介质膜镀膜室，即介质膜镀膜室i、介质膜镀膜室 n、介质膜镀膜室m、介质膜镀膜室iv和介质膜镀膜室v，并可以安装至少十对的孪生磁控本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于它包括在机座（１）横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室（２１）、前过渡室（２２）、前传送室（２３）、介质膜镀膜室Ⅰ（２４ａ）、介质膜镀膜室Ⅱ（２４ｂ）、介质膜镀膜室Ⅲ（２４ｃ）、介质膜镀膜室Ⅳ（２４ｄ）、介质膜镀膜室Ⅴ（２４ｅ）、隔离传送室Ⅰ（２５ａ）、隔离室（２６）、隔离传送室Ⅱ（２５ｂ）、导电膜镀膜室（２７）、后传送室（２８）和后过渡室（２９）组成的真空室组区（２）以及紧邻的进片区（３）、出片区（４），所述进片区（３）由进片平移架（３１）、进片架（３２）组成，所述出片区（４）由出片室（４１）、出片架Ⅰ（４ａ）、出片架Ⅱ（４ｂ）、出片平移架（４２）组成，于所述真空室组区（２）、进片区（３）和出片区（４）上设置磁导向传送装置（５）并与适配的工件回行架（６）组成沿装载架镀膜运行方向（Ａ）和装载架回行运行方向（Ｂ）连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭爱云，朱选敏，孙桂红，祝海生，
申请(专利权)人：郭爱云，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
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