基于GaN材料的垂直结构LED芯片及LED灯制造技术

本发明专利技术提供一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。本发明专利技术的有益效果包括：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。

【技术实现步骤摘要】
基于GaN材料的垂直结构LED芯片及LED灯
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片及LED灯。
技术介绍
LED光源在照明领域受到越来越普遍地应用。通常LED光源通过LED发光芯片配合荧光粉发出各种颜色的光。现有技术中，单独的发光芯片只能发出单色的光，若需合成其他颜色的光就需要将不同颜色的发光芯片混合在一起，并填充大量的荧光粉，这样就存在可靠性差、封装难度大的问题。此外，光线入射到荧光粉胶层中会出现强烈的散射现象，使得荧光粉胶层对光线的吸收作用，导致大量光线被反射，即透射过荧光粉层的光线会显著减少。因此，如何设计出一种新型的LED芯片就变得极其重要。
技术实现思路
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本专利技术提出了一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。

【技术特征摘要】
1.一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括SiO2隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间。3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述公共正电极组件包括：第一金属接触层，设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上表面；反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述蓝光发光组件依次包括：第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：左瑜，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61