金属氧化物半导体晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种金属氧化物半导体晶体管。所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分位于所述漏区的栅极氧化层上方的第二部分、及连接于所述第一部分与第二部分之间的第三部分，所述第三部分包括迂回结构，使得所述迂回结构的长度大于所述第一部分与所述第二部分之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别地，涉及一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。
技术介绍
金属氧化物半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的基本器件，其广泛适用于各种集成电路中。然而，现有金属氧化物半导体(MOS)晶体管的制作方法当前面对的最主要问题之一是，随着器件特征尺寸的缩小(栅极宽度)，沟道的长度越来越短，同样的阱区浓度下，越短的沟道长度，源极和漏极即越容易发生穿通，造成较大的漏电，从而影响器件的可靠性。若采取多栅的结构，沟道长度会明显增加，但不可避免的会带来沟道电阻增大，器件导通电阻上升的问题，从而影响器件的可靠性。特别是低压器件，表现会更加明显，对器件可靠性的影响更大。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。一种金属氧化物半导体晶体管，其包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分位于所述漏区的栅极氧化层上方的第二部分、及连接于所述第一部分与第二部分之间的第三部分，所述第三部分包括迂回结构，使得所述迂回结构的长度大于所述第一部分与所述第二部分之间的距离。

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区的栅极氧化层上方的第一部分、至少部分位于所述漏区的栅极氧化层上方的第二部分、及连接于所述第一部分与第二部分之间的第三部分，所述第三部分包括迂回结构，使得所述迂回结构的长度大于所述第一部分与所述第二部分之间的距离。2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述第一部分及所述第二部分均为条形部，所述第一部分的条形部与所述第二部分的条形部相互平行。3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述迂回结构包括多个，所述多个迂回结构并行连接于所述第一部分及所述第二部分之间。4.如权利要求3所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：相邻两个迂回结构的间距大于每个迂回结构的最大宽度。5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：所述迂回结构的形状为方波形、波浪形、锯齿形、或者环形部与直条部交替连接的形状。6.如权利要求1所述的金属氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44