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本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管。所述金属氧化物半导体晶体管包括P型阱区、形成于所述P型阱区表面的源区与漏区、形成于所述源区与漏区上及所述P型阱区上的栅极氧化层、形成于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅包括至少部分位于所述源区...
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