一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法技术

本发明专利技术是一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法，包括以下步骤：首先采用改进的Hummers法制备出氧化石墨烯；将制备的氧化石墨烯制备热还原为石墨烯；将还原的石墨烯进行酸化和氧化，得到的产物在水热合成仪中水热条件下去氧化，即可得到石墨烯量子点；将复合后的石墨烯量子点均匀地涂覆于载玻片上，进行干燥，得到石墨烯量子点增强薄膜。本发明专利技术提供一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法，通过采用改进的Hummers法制备出氧化石墨烯，石墨烯量子点溶于去离子水中与聚丁二酸丁二醇酯进行复合，制备出的石墨烯量子点增强薄膜避免了传统石墨烯量子点薄膜存在的强度相对不足的缺陷，有效增强了使用效果，提高了它在工程中的应用范围。

Preparation method of graphene quantum dot reinforced film

The present invention is a preparation method of graphene quantum dot enhancement film, including the following steps: first, the improved Hummers method is used to prepare graphene oxide; the prepared graphene oxide is prepared by heat reduction to graphene, the reduced graphene is acidified and oxidized, and the obtained product is in the hydrothermal condition of the hydrothermal synthesizer. The graphene quantum dots can be obtained by deoxidation, and the composite graphene quantum dots are evenly coated on the slides and dried to obtain the graphene quantum dot enhanced film. The invention provides a preparation method of graphene quantum dot enhanced film, and graphene oxide is prepared by an improved Hummers method. The graphene quantum dots are dissolved in deionized water and polybutylene dibutylene dibutylate, and the prepared graphene quantum dot reinforced film is avoided by the existence of the traditional graphene quantum dot film. The deficiency of relative strength has effectively enhanced the use effect and improved its application in engineering.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法
本专利技术涉及纳米材料
，尤其涉及一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法。
技术介绍
石墨烯量子点是三维尺度限域的零维纳米材料，作为一种新型的量子点，由于其显著的量子限域效应和边界效应，使其具有良好的化学惰性、生物相容性和较低的生物毒性，可以取代传统在半导体量子点，应用到生物成像、疾病检测、光电器件等领域。然而，目前制备的石墨烯量子点薄膜存在强度相对不足，导致使用效果欠佳，严重影响了它在工程中的应用。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，而提供一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先采用改进的Hummers法制备出氧化石墨烯，冰浴条件下，向石墨粉和硝酸锂中缓慢添加浓硫酸，冷却后加入高锰酸钾溶液，然后缓慢加入双氧水，得到亮黄色溶液，趁热过滤，滤饼用NaOH溶液洗涤，并用稀HCl将pH调至中性，离心得到沉淀，在烘箱中干燥得到氧化石墨；(2)控制温度范围为80-89℃，将步骤(1)中制备的氧化石墨烯与NaBH4反应制备热还原为石墨烯，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先采用改进的Hummers法制备出氧化石墨烯，冰浴条件下，向石墨粉和硝酸锂中缓慢添加浓硫酸，冷却后加入高锰酸钾溶液，然后缓慢加入双氧水，得到亮黄色溶液，趁热过滤，滤饼用NaOH溶液洗涤，并用稀HCl将pH调至中性，离心得到沉淀，在烘箱中干燥得到氧化石墨；(2)控制温度范围为80‑89℃，将步骤(1)中制备的氧化石墨烯与NaBH4反应制备热还原为石墨烯，反应时间为10‑14h；(3)将步骤(2)中还原的石墨烯加入到含有浓硫酸和浓硝酸的混酸中并在超声波清洗仪中进行酸化和氧化，超声时间控制为24‑36h，得到的产物在水热合成仪中水...

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯量子点增强薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先采用改进的Hummers法制备出氧化石墨烯，冰浴条件下，向石墨粉和硝酸锂中缓慢添加浓硫酸，冷却后加入高锰酸钾溶液，然后缓慢加入双氧水，得到亮黄色溶液，趁热过滤，滤饼用NaOH溶液洗涤，并用稀HCl将pH调至中性，离心得到沉淀，在烘箱中干燥得到氧化石墨；(2)控制温度范围为80-89℃，将步骤(1)中制备的氧化石墨烯与NaBH4反应制备热还原为石墨烯，反应时间为10-14h；(3)将步骤(2)中还原的石墨烯加入到含有浓硫酸和浓硝酸的混酸中并在超声波清洗仪中进行酸化和氧化，超声时间控制为24-36h，得到的产物在水热合成仪中水热条件下去氧化，即可得到石墨烯量子点；(4)将步骤(3)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：司荣美，潘中海，刘彩风，
申请(专利权)人：天津宝兴威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12