一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，该装置设置在板式PECVD设备的内部，板式PECVD设备的内部还设有石墨框，该石墨框上设有硅片，装置包括设置在板式PECVD设备内部并位于石墨框下方的支架、设置在支架上的工作台以及设置在工作台上并与硅片相适配的检测机构。与现有技术相比，本实用新型专利技术通过检测机构对镀膜后的硅片进行监控，及时发现镀膜后硅片的色差、碎片、隐裂、镀膜不均匀等问题，以便及时取出不合格硅片，避免不合格硅片在后续的系统检测过程中引发设备故障，保证了生产过程的正常进行，提高了生产产能。

【技术实现步骤摘要】
一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置
本技术属于晶硅太阳能电池
，涉及一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置。
技术介绍
随着当今社会绿色能源理念的不断推广，光伏太阳能电池已得到大众越来越多的关注。为了提高晶体硅太阳能电池的效率，减少太阳能电池表面的反射，需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0的空气中，其对光的反射率可达到30％左右。通过改善其表面结构可在一定程度上降低反射率，但仍存在反射率较高的问题，特别是在多晶硅电池制造工艺中，使用各向同性的酸腐蚀液，若腐蚀过深，其对表面反射率降低的效果不明显。因此，在工业化应用中，SiNx膜被用作硅表面的减反射膜。SiNx膜的最佳折射率为1.9-2.3左右，膜厚为77-93nm左右，是一种较为优良的减反射膜。此外，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化作用，减少了表面不饱和的悬挂键，进而减少了表面能级。因此，在硅的表面镀SiNx膜，具有两个作用：一是减少表面对可见光的反射；二是起到表面钝化作用。在太阳能电池的硅表面镀SiNx膜的方法主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，该装置设置在板式PECVD设备(1)的内部，所述的板式PECVD设备(1)的内部还设有石墨框(2)，该石墨框(2)上设有硅片，其特征在于，所述的装置包括设置在板式PECVD设备(1)内部并位于石墨框(2)下方的支架(3)、设置在支架(3)上的工作台(4)以及设置在工作台(4)上并与硅片相适配的检测机构。

【技术特征摘要】
1.一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，该装置设置在板式PECVD设备(1)的内部，所述的板式PECVD设备(1)的内部还设有石墨框(2)，该石墨框(2)上设有硅片，其特征在于，所述的装置包括设置在板式PECVD设备(1)内部并位于石墨框(2)下方的支架(3)、设置在支架(3)上的工作台(4)以及设置在工作台(4)上并与硅片相适配的检测机构。2.根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，其特征在于，所述的检测机构包括设置在工作台(4)上并与硅片相适配的硅片形貌检测组件。3.根据权利要求2所述的一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，其特征在于，所述的硅片形貌检测组件包括设置在工作台(4)上的摄像头(5)以及与摄像头(5)电连接的显示器。4.根据权利要求3所述的一种用于太阳能电池PECVD镀膜的检测装置，其特征在于，所述的摄像头(5)上设有照明光源(6)。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：康海晶，陶智华，郑飞，张忠卫，阮忠立，
申请(专利权)人：上海神舟新能源发展有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31