双功能反应设备制造技术
【技术实现步骤摘要】
双功能反应设备
本专利技术涉及反应设备
，特别是涉及一种双功能反应设备。
技术介绍
目前常用的薄膜生长设备有MOCVD、PECVD和管式炉等。其中MOCVD和PECVD的设备价格昂贵、维护成本高，同时工艺过程复杂、生产效率较低。管式炉设备成本低廉，且可以一次同时容纳批量反应物进行反应，但受设备工艺条件所限，其使用范围较窄，限于在特定气氛条件下的薄膜生长或退火。当前的管式炉设备一般只能支持反应物表面的材料层生长反应，而对于去除反应物表面材料层的刻蚀反应，由于设备组件一般无法在高温、易腐蚀的环境下工作而无法支持。而采用一般的等离子干法刻蚀或者湿法刻蚀则存在设备昂贵及维护成本高的问题。此外，管式炉设备的反应一般在高温下进行，因此在反应过程结束后，设备内部还处于高温状态，需要关闭加热系统，等待炉体温度下降到室温后才可卸载反应物，并装载下一批反应物进行反应，这也影响了设备的利用效率。因此，有必要提出一种新的反应炉设备，解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种双功能反应设备，用于解决现有技术中的的管式炉设备存在的功能单一及利用效...
【技术保护点】
一种双功能反应设备，其特征在于，所述双功能反应设备包括：双功能反应炉、气源柜及排气柜；其中，所述双功能反应炉用于待处理基底表面材料层的生长及刻蚀，所述双功能反应炉包括：用于放置待处理基底的炉管；炉体，位于所述炉管外围；加热装置，位于所述炉体内，且位于所述炉管外围；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体或刻蚀气体的进气口组件；排气口，与所述炉管内部相连通；用于将所述炉管与外部连通或隔离，并向所述炉管内传入或传出所述待处理晶圆的炉门组件，所述炉门组件位于所述炉管的至少一端部；供气系统，位于所述气源柜内，所述供气系统包括进气管路及供气源，所述供气源用于提供所述生长气...
【技术特征摘要】
1.一种双功能反应设备，其特征在于，所述双功能反应设备包括：双功能反应炉、气源柜及排气柜；其中，所述双功能反应炉用于待处理基底表面材料层的生长及刻蚀，所述双功能反应炉包括：用于放置待处理基底的炉管；炉体，位于所述炉管外围；加热装置，位于所述炉体内，且位于所述炉管外围；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体或刻蚀气体的进气口组件；排气口，与所述炉管内部相连通；用于将所述炉管与外部连通或隔离，并向所述炉管内传入或传出所述待处理晶圆的炉门组件，所述炉门组件位于所述炉管的至少一端部；供气系统，位于所述气源柜内，所述供气系统包括进气管路及供气源，所述供气源用于提供所述生长气体或所述刻蚀气体，所述进气管路一端与所述进气口组件相连接，另一端与所述供气源相连接；排气系统，位于所述排气柜内，所述排气系统包括排气管路及动力泵，所述排气管路一端与所述排气口相连接，另一端与所述动力泵相连接；所述气源柜顶部设有第一排风口，所述气源柜内还设有第一风量调节板，所述第一风量调节板设置于所述第一排风口处；所述排气柜顶部设有第二排风口，所述排气柜内还设有第二风量调节板，所述第二风量调节板设置于所述第二排风口处。2.根据权利要求1所述的双功能反应设备，其特征在于：所述进气口组件包括：与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体或生长液体的第一进气口；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀气体或刻蚀液体的第二进气口。3.根据权利要求1所述的双功能反应设备，其特征在于：所述进气口组件包括：与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长气体的第一进气口；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入生长液体的第二进气口；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀气体的第三进气口；与所述炉管内部相连通，且用于向所述炉管内通入刻蚀液体的第四进气口。4.根据权利要求1所述的双功能反应设备，其特征在于：所述双功能反应炉还包括冷却装置，所述冷却装置包括：冷却管路，位于所述加热装置的外围，且与所述加热装置具有间距；冷媒源，与所述冷却管路相连通。5.根据权利要求1所述的双功能反应设备，其特征在于：所述双功能反应炉为卧式管式炉。所述炉门组件包括：装卸传送装置，所述装卸传送装置包括滑轨及用于放置所述待处理待处理基底的承载台，所述滑轨位...
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