多层薄膜电容器制造技术

技术编号:17941940 阅读:24 留言:0更新日期:2018-05-15 21:45
本发明专利技术提供一种多层薄膜电容器,所述多层薄膜电容器包括通过分离层在竖直方向上彼此分离的第一多层主体和第二多层主体。所述第二多层主体设置在所述第一多层主体的下表面上,所述第一多层主体构成顶部电容器,且所述第二主体构成底部电容器。第一外部端子、第二外部端子和第三外部端子可设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体和所述第二多层主体的内电极层。

Multilayer film capacitor

The invention provides a multilayer film capacitor, the multilayer film capacitor including the first multi-layer body and second multi-layer bodies which are separated from each other in the vertical direction by the separation layer. The second multi-layer body is set on the lower surface of the first multi-layer body, the first multi-layer body constitutes a top capacitor, and the second main body constitutes a bottom capacitor. The first external terminal, the second external terminal and the third external terminal can be arranged on the upper surface of the first multi-layer body and connected to the inner electrode layer of the first multi-layer body and the more than 2 layer body.

【技术实现步骤摘要】
多层薄膜电容器本申请要求分别于2016年10月28日以及于2016年11月10日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0142170号以及第10-2016-0149448号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种多层薄膜电容器,更具体地,涉及一种焊盘侧(land-side)电容器(LSC)型多层薄膜电容器。
技术介绍
近来,为了支持安装在智能电话中的下一代应用处理器(AP)或电源管理集成电路(PMIC)的轻薄化,比普通多层陶瓷电容器(MLCC)薄的多层薄膜电容器的开发已增多。具体地,根据抑制在智能电话在高频带内操作时所产生的噪声的解耦电容器的轻薄化,已难以抑制在普通多层陶瓷电容器中产生的噪声。因此,对多层电容器的要求已持续增加。期望将开发一种焊盘侧电容器(LSC)型多层薄膜电容器,用于解耦并用于控制根据装置的驱动操作的重复性由于高频率导致的电力波动。日本专利特开第2013-229582号公报已公开了一种薄膜电容器,其用于根据对于上述多层薄膜电容器的增加的开发的趋势提高在内电极层和连接电极之间的电连接的稳定性,以努力提高薄膜电容器的连接的可靠性。然而,该参考文献没有提供除由根据现有技术的薄膜电容器所提供的功能以外的附加功能。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种多层薄膜电容器,所述多层薄膜电容器即使在由一个片构成的情况下也能够实现电容的灵活性,也能够提供可由根据现有技术的薄膜电容器所提供的功能。根据本公开的一方面,一种多层薄膜电容器可包括第一多层主体和第二多层主体、第一外部端子、第二外部端子和第三外部端子以及分离层。所述第一多层主体具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构。所述第二多层主体设置在所述第一多层主体的下表面上并具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构。所述第一外部端子、第二外部端子和第三外部端子设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体的所述内电极层和所述第二多层主体的所述内电极层。所述第一多层主体和所述第二多层主体可通过设置在所述第一多层主体和所述第二多层主体之间的所述分离层在竖直方向上彼此分开。根据本公开的另一方面,一种多层薄膜电容器可包括第一多层主体和第二多层主体、第一外部端子、第二外部端子、第三外部端子和第四外部端子。所述第一多层主体具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构。所述第二多层主体设置在所述第一多层主体的下表面上并具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构。所述第一外部端子、第二外部端子、第三外部端子和第四外部端子设置在所述第一多层主体的上表面上。在这种情况下,通过所述第一多层主体形成的电容可不同于通过所述第二多层主体形成的电容。根据本公开的又一方面,一种多层薄膜电容器包括第一主体和第二主体、电容分离部以及一个或更多个外电极层。所述第一主体包括交替的介电材料层与电极材料层的堆叠件。所述第二主体包括交替的介电材料层和电极材料层的堆叠件。所述电容分离部设置在沿所述第一主体的介电材料层与电极材料层的堆叠件的堆叠方向堆叠的所述第一主体和所述第二主体之间。所述一个或更多个外电极层分别电连接到所述第一主体中的所述电极材料层以及所述第二主体中的所述电极材料层中的一层或更多层。根据本公开的又一方面,一种多层薄膜电容器包括第一主体和第二主体以及第一外部端子和第二外部端子。所述第一主体包括交替的介电层和内电极层的堆叠件。所述第二主体与所述第一主体分开并包括交替的介电层和内电极层的堆叠件。所述第一外部端子和第二外部端子沿着所述第一主体中的交替的介电层和内电极层的堆叠件的堆叠方向设置在所述第一主体的上方,所述第一外部端子电连接到所述第一主体的所述内电极层中的一层或更多层,且所述第二外部端子电连接到所述第二主体中的所述内电极层的一层或更多层。根据本公开的另一方面,一种多层薄膜电容器包括第一主体和第二主体以及一个或更多个外电极层。所述第一主体和第二主体分别包括交替的介电层和内电极层的堆叠件。所述一个或更多个外电极层分别电连接到所述第一主体中的所述内电极层和所述第二主体中的所述内电极层的一层或更多层。所述第一主体和所述第二主体彼此分开并沿所述第一主体的介电层和内电极层的所述堆叠件的堆叠方向堆叠。所述第一主体和所述第二主体之间的介电层的设置是不对称的。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特点及优点将被更清楚地理解,在附图中:图1是示出根据第一示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图2是示出根据第二示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图3是示出根据第三示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图4是示出根据第四示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图5A至图5D是示出分别根据第一示例性实施例至第四示例性实施例的变形示例性实施例(第五示例性实施例)的多层薄膜电容器的示意性截面图;图6是示出根据第六示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图7是示出根据第七示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图8是示出根据第八示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图9是示出根据第九示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图10是示出根据第十示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图11是示出根据第十一示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图12是示出根据第十二示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图;图13A至图13G是示出分别根据第六示例性实施例至第十二示例性实施例的变形示例性实施例(第十三示例性实施例)的多层薄膜电容器的示意性截面图。具体实施方式在下文中,将描述根据示例性实施例的多层薄膜电容器。然而,本公开不限于此。第一示例性实施例图1是示出根据第一示例性实施例的多层薄膜电容器的示意性截面图。参照图1,多层薄膜电容器100可包括第一多层主体1和第二多层主体2,第一多层主体1具有其中介电层和内电极层沿厚度(T)方向交替地堆叠的结构,第二多层主体2设置在第一多层主体1的下表面上并具有其中介电层和内电极层沿厚度(T)方向交替地堆叠的结构。在本公开中,厚度(T)方向指的是介电层和内电极层堆叠所沿的方向。第一多层主体和第二多层主体可如其中的介电层和内电极层那样在同一厚度(T)方向上彼此堆叠。第一多层主体1和第二多层主体2可通过相同的制造工艺形成。制造第一多层主体1和第二多层主体2的方法没有具体限制。然而,在制造工艺中,由于在多层薄膜电容器100内,第一多层主体1是上部多层主体且第二多层主体2是下部多层主体,因此,可能适于在形成第二多层主体2之后完成第一多层主体1。将描述形成第一多层主体1和第二多层主体2的工艺的示例。首先,可准备硅(Si)晶圆W,并且SiO2层S可形成在Si晶圆上。然后,可通过薄膜堆叠工艺顺序并反复地堆叠第一内电极层2a、介电层2c和第二内电极层2b。第一内电极层2a和第二内电极层2b可由从Pt、Ir、Ru、Cu、IrO2等组成的组中选择的金属形成,并且介电层2c可由从BaTiO3、钛酸锶钡(BST)、Pb(Zr,Ti)O3[PZT]基材料、PNZT基材料以及SiO2基材料组成的组中选择的介电材料形成。第一内电极层2a和第二内电极层2b以及介电层2c中的每者本文档来自技高网...
多层薄膜电容器

【技术保护点】
一种多层薄膜电容器,包括:第一多层主体,具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第二多层主体,设置在所述第一多层主体的下表面上并具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第一外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体的所述内电极层;第二外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体的所述内电极层以及所述第二多层主体的所述内电极层;第三外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第二多层主体的所述内电极层;及分离层,设置在所述第一多层主体和所述第二多层主体之间,以使所述第一多层主体和所述第二多层主体在竖直方向上彼此分开。

【技术特征摘要】
2016.10.28 KR 10-2016-0142170;2016.11.10 KR 10-2011.一种多层薄膜电容器,包括:第一多层主体,具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第二多层主体,设置在所述第一多层主体的下表面上并具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第一外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体的所述内电极层;第二外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第一多层主体的所述内电极层以及所述第二多层主体的所述内电极层;第三外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并连接到所述第二多层主体的所述内电极层;及分离层,设置在所述第一多层主体和所述第二多层主体之间,以使所述第一多层主体和所述第二多层主体在竖直方向上彼此分开。2.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,所述第一多层主体包括第一内电极层和第二内电极层,所述第一多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层与设置在所述第一多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层之间的各介电层交替地设置,所述第二多层主体包括第一内电极层和第二内电极层,所述第二多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层与设置在所述第二多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层之间的各介电层交替地设置,所述第一多层主体的所述第一内电极层通过第一过孔连接到所述第一外部端子,所述第二多层主体的所述第一内电极层通过第三过孔连接到所述第三外部端子,并且所述第一多层主体的所述第二内电极层和所述第二多层主体的所述第二内电极层通过第二过孔连接到所述第二外部端子,使得所述第二过孔穿过所述第一多层主体和所述第二多层主体二者。3.如权利要求2所述的多层薄膜电容器,其中,所述第二过孔由一组多电极孔构成,并且各电极孔从所述第二外部端子的下表面延伸直到所述第二多层主体中的同一第二内电极层。4.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,所述第一多层主体包括第一内电极层和第二内电极层,所述第一多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层与设置在所述第一多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层之间的各介电层交替地设置,所述第二多层主体包括第一内电极层和第二内电极层,所述第二多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层与设置在所述第二多层主体的所述第一内电极层和所述第二内电极层之间的各介电层交替地设置,所述第一多层主体的所述第一内电极层通过第一过孔连接到所述第一外部端子,所述第二多层主体的所述第一内电极层通过第三过孔连接到所述第三外部端子,所述第一多层主体的所述第二内电极层和所述第二多层主体的所述第二内电极层通过第二过孔连接到所述第二外部端子,并且所述第二过孔由一组多电极孔构成,并且所述组中的至少一个电极孔和另一电极孔延伸到不同的内电极层。5.如权利要求4所述的多层薄膜电容器,其中,所述至少一个电极孔延伸到所述第一多层主体的所述第二内电极层,所述另一电极孔延伸到所述第二多层主体的所述第二内电极层。6.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,所述第二外部端子包括至少两个导电层,并且设置在所述至少两个导电层的最下部的第一导电层的表面面积大于设置在所述第一导电层上的第二导电层的表面面积。7.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,堆叠在所述第一多层主体中的介电层的数量等于堆叠在所述第二多层主体中的介电层的数量。8.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,通过所述第一多层主体中的所述内电极层与所述第一外部端子和所述第二外部端子形成的电容等于通过所述第二多层主体中的所述内电极层与所述第二外部端子和所述第三外部端子形成的电容。9.如权利要求1所述的多层薄膜电容器,其中,所述分离层具有绝缘特性,并包括SiO2或SiNx基材料。10.一种多层薄膜电容器,包括:第一多层主体,具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第二多层主体,设置在所述第一多层主体的下表面上并具有多个内电极层和介电层交替地堆叠的结构;第一外部端子和第二外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并通过过孔连接到所述第一多层主体,以形成电容;及第三外部端子和第四外部端子,设置在所述第一多层主体的上表面上并通过过孔连接到所述第二多层主体,以形成电容。11.如权利要求10所述的多层薄膜电容器,其中,通过所述第一多层主体与所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的连接形成的电容与通过所述第二多层主体与所述第三外部端子和第四外部端子之间的连接形成的电容不同。12.如权利要求10所述的多层薄膜电容器,其中,所述第一多层主体和所述第二多层主体的介电层的材料彼此相同,并且堆叠在所述第一多层主体中的介电层的数量多于堆叠在所述第二多层主体中的介电层的数量。13.如权利要求10所述的多层薄膜电容器,其中,堆叠在所述第一多层主体和所述第二多层主体中的介电层的数量彼此相同,并且所述第一多层主体中的介电层包括具有比所述第二多层主体中的介电层的材料的介电常数高的介电常数的材料。14.如权利要求10所述的多层薄膜电容器,其中,包括在所述第一多层主体中的介电层中的每层的厚度小于包括在所述第二多层主体中的介电层中的每层的厚度。15.如权利要求10所述的多层薄膜电容器,其中,所述第一多层主体包括第一内电极层和具有与所述第一内电极层的极性不同的极性的第二内电极层,所述第一多层主体的所述第一内电极层通过第一过孔连接到所述第一外部端子,且所述第一多层主体的所述第二内电极层通过第二过孔连接到所述第二外部端子,并且所述第二多层主体包括第一内电极层和具有与所述第二多...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴鲁逸申铉浩林承模俞东植
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1