电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电容器，构成为具有：高比表面积导电性基材；电介质层，位于高比表面积导电性基材上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，高比表面积导电性基材整体由金属烧结体构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器及其制造方法
本专利技术涉及电容器及其制造方法。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的高密度安装化，要求具有更高的静电电容的电容器。作为这样的电容器，例如，在专利文献1中公开了一种使用了通过蚀刻处理被多孔化的高比表面积铝箔的电解电容器。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-270140号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题像在专利文献1记载的那样，作为得到电容器用的高比表面积导电性基材的方法，已知有对金属箔进行蚀刻处理的方法。蚀刻处理是化学处理，例如，通过将应处理的金属箔浸泡在电解液中并流过电流而进行。因此，在蚀刻箔的细孔内有可能残留用于化学处理的药品，例如来源于电解液的杂质。若在细孔内存在这样的杂质，则有可能产生电容器的耐电压下降等不良情况。本专利技术的专利技术人们为了得到细孔内杂质少的高比表面积导电性基材而进行了研究，结果想到了将金属烧结体用作电容器的高比表面积导电性基材。本专利技术的专利技术人们进一步推进了研究，结果注意到，只是仅使金属粉烧结，则存在如以下那样的问题，难以提供具有优异的性能的电容器。(1)只是仅使金属粉烧结，则不能兼顾充分的静电电容和强度。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，构成为具有：高比表面积导电性基材；电介质层，位于高比表面积导电性基材上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，所述高比表面积导电性基材整体由金属烧结体构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.12 JP 2015-1595811.一种电容器，构成为具有：高比表面积导电性基材；电介质层，位于高比表面积导电性基材上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，所述高比表面积导电性基材整体由金属烧结体构成。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述金属烧结体是平均粒径不同的至少两种金属粉的烧结体。3.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，平均粒径最小的金属粉的平均粒径相对于作为主成分的金属粉的平均粒径之比为1/3以下。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电容器，其特征在于，金属烧结体是熔点不同的至少两种金属粉的烧结体。5.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，构成至少一种金属粉的金属的熔点相对于构成作为主成分的金属粉的金属的熔点低100℃以上。6.一种电容器，构成为具有：高比表面积导电性基材；电介质层，位于高比表面积导电性基材上；以及上部电极，位于电介质层上，所述电容器的特征在于，所述高比表面积导电性基材构成为具有金属烧结体以及金属支承体，所述金属烧结体通过缩颈而支承于所述金属支承体，连结所述金属烧结体和所述金属支承体的缩颈的平均直径大于金属烧结体中的金属粉彼此的缩颈的平均直径，所述电介质层由与所述高比表面积导电性多孔基材不同的起源的原子形成。7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，构成所述金属烧结体与所述金属支承体的界面附近的金属的熔点比构成金属烧结体的大致中央部的金属的熔点低100℃以上。8.根据权利要求6或7所述的电容器，其特征在于，构成所述金属烧结体与所述金属支承体的界面附近的金属的熔点比构成金属支承体的金属的熔点低100℃以上。9.根据权利要求6～8中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述金属烧结体是平均粒径不同的至少两种金属粉的烧结体。10.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，平均粒径最小的金属粉的平均粒径相对于作为主成分的金属粉的平均粒径之比为1/3以下。11.根据权利要求6～10中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述金属烧结体是熔点不同的至少两种金属粉的烧结体。12.根据权利要求11所述的电容器，其特征在于，构成至少一种金属粉的金属的熔点相对于构成作为主成分的金属粉的金属的熔点低100℃以上。13.根据权利要求1～12中的任一项所述的电容器，其特征在于，构成所述金属烧结体的金属是从Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co以及Fe中选择的一种或一种以上的金属。14.根据权利要求1～13中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述电介质层通过原子层沉积法形成。15.根据权利要求1～14中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述上部电极通过原子层沉积法形成。16.根据权利要求1～5中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器是构成为具有高比表面积导电性基材、位于高比表面积导电性基材上的电介质层以及位于电介质层上的上部电极的电容器，在一个所述高比表面积导电性基材上具有由所述高比表面积导电性基材、所述电介质层以及所述上部电极构成的第一静电电容形成部、第二静电电容形成部、第三静电电容形成部以及第四静电电容形成部，第一静电电容形成部以及第二静电电容形成部存在于高比表面积导电性基材的一个主面上，第三静电电容形成部以及第四静电电容形成部存在于高比表面积导电性基材的另一个主面上，第一静电电容形成部以及第三静电电容形成部位于隔着高比表面积导电性基材对置的位置，第二静电电容形成部以及第四静电电容形成部位于隔着高比表面积导电性基材对置的位置。17.根据权利要求1～15中的任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器是构成为具有高比表面积导电性基材、位于高比表面积导电性基材上的电介质层以及位于电介质层上的上部电极的电容器，在所述高比表面积导电性基材的一个主面上具有由所述高比表面积导电性基材、所述电介质层以及所述上部电极构成的第一静电电容形成部以及第二静电电容形成部，在高比表面积导电性基材的另一个主面上具有绝缘层。18.一种基板，其特征在于，安装有权利要求1～17中的任一项所述的电容器。19.一种基板，其特征在于，配置有权利要求6～17中的任一项所述的电容器，使得其高比表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上德之，荒川建夫，青木健介，佐伯洋昌，神凉康一，鹤明大，森治彦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP