用于切割晶片的装置制造方法及图纸

根据一个实施例，用于切割晶片的装置，可包括：拍摄模块，拍摄形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息；图案化模块，对应于由所述拍摄模块拍摄的所述图案信息，在所述晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；及切割模块，照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通所述晶片的厚度，使将所述晶片分割为多个半导体芯片。

【技术实现步骤摘要】
用于切割晶片的装置
以下实施例涉及用于切割晶片的装置。技术背景在半导体基板处理工序中，IC形成在由典型的硅树脂或其他半导体材料构成的基板(或者，被指称为晶片)上。通常，为了形成IC，活用半导电性、导电性，或者绝缘性的多种材料的薄的薄膜层。在相同的基板上，为了并行地同时形成多个IC，如存储设备、逻辑设备、光电(photovoltaic)设备，使用多种熟知的工序，掺杂、金属化及蚀刻这些材料。形成设备之后，基板搭载在如经过薄膜框拉伸的(stretched)粘合剂(adhesive)薄膜的支撑部件上，且为了包装等，从相互间分离各个的各自设备或“模具(die)”，切割基板。在半导体包装组装(assembly)工序中，切割工序(dicingprocess)是指切断包括在晶片的多个半导体芯片的工序，且作为其他意思，可使晶片搭载于如引线框或印刷电路基板等，半导体包装用基本框上，分离为个别半导体芯片的工序。在切割工序可使用叶片(blade)、激光(laser)或者第一等离子体蚀刻等。最近，在晶片制造工序中，随着半导体元件的高容量化、高速化、细微化工序的发展，作为金属间绝缘材料的低介电材料(LowKmaterial)的使用逐渐增加的趋势。这些低介电材料通常是比硅树脂氧化物的介电常数，介电率低的物质的统称。在韩国专利2008-0015771号，公开了关于半导体装置的制造方法。
技术实现思路
技术课题根据一个实施例，其目的是提供为了将半导体驱动元件的高速化、根据低消费电力化的晶片集成化、超薄膜化，以非接触式切割晶片的装置。根据一个实施例，其目的是提供为了由晶片应力去除的芯片强度提高及由晶片内外的不纯物捕获的收率提高，以非接触式切割晶片的装置。技术方案根据一个实施例的晶片切割方法，其步骤包括：对应于形成在晶片一面的多个半导体元件之间间隔，在晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；及照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通所述晶片的厚度，使将所述晶片分割为多个半导体芯片。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：在晶片另一面形成图案的步骤之前，利用拍摄部拍摄形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息。在这种情况下，所述在晶片另一面形成图案的步骤，可对应于经所述拍摄部拍摄的所述图案信息，在晶片的另一面形成图案。将所述晶片分割为多个半导体芯片的切割步骤，可包括：去除在研磨晶片另一面的步骤形成的加工损伤层；蚀刻所述晶片的另一面进行薄膜化；及去除在晶片形成图案的步骤生成的所述晶片的图案化面的损伤。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：将所述晶片分割为多个半导体芯片的切割步骤之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层(Getteringlayer)。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：利用所述拍摄部拍摄图案信息的步骤之后，在形成半导体元件的晶片一面粘贴保护薄膜；及研磨所述晶片的另一面。在这种情况下，所述保护薄膜可包括：粘合剂层，一面粘合在形成半导体元件的所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂层另一面，对研磨晶片的步骤发生的机械式强度，保护所述晶片的一面。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：在所述晶片的另一面形成图案的步骤之后，脱落所述保护薄膜的所述保护层；及移送基板粘贴在所述粘合剂层另一面。所述移送基板透明时，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：形成吸气膜层(Getteringlayer)的步骤之后，在所述移送基板的下侧向所述移送基板照射UV光，使削弱所述粘合剂层和所述晶片之间的粘合力；及将分割的所述多个半导体芯片，从所述粘合剂层及所述移送基板装卸并包装。所述移送基板不透明时，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：形成吸气膜层(Getteringlayer)的步骤之后，在所述晶片的另一面贴切割薄片；使所述晶片的一面朝上翻覆；去除所述移送基板及所述粘合剂层；及将分割的所述多个半导体芯片，从所述切割薄片装卸并包装。在所述晶片的另一面形成图案的步骤中形成的所述槽的深度，可与所述切割步骤之后残留的晶片的厚度，具有相同的数值。将所述晶片分割为多个半导体芯片的切割步骤，还可包括形成在所述晶片，去除存在于多个半导体元件之间的街道部分。根据变形实施例的晶片切割方法，其步骤还包括：在所述晶片的另一面形成图案的步骤之前，在所述形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜及研磨所述晶片另一面。在这种情况下，所述保护薄膜可包括：粘合剂层，一面粘合在形成半导体元件的所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂层另一面，对研磨晶片步骤发生的机械式强度，保护所述晶片的一面。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：研磨所述晶片另一面的步骤之后，脱落所述保护薄膜的所述保护层；及透明的移送基板粘贴在所述粘合剂层的另一面。在这种情况下，在所述晶片的另一面形成图案的步骤，对应于通过所述透明的移送基板确认的，形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息，可在所述晶片的另一面形成图案。根据一个实施例的用于切割晶片的装置，可包括：拍摄模块，拍摄形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息；图案化模块，对应于由所述拍摄模块拍摄的所述图案信息，在所述晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；及切割模块，照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通所述晶片的厚度，使将所述晶片分割为多个半导体芯片。此外，所述用于切割晶片的装置，还可包括：粘贴模块，在所述晶片的一面形成图案之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；研磨模块，粘贴所述保护薄膜之后，研磨所述晶片的另一面；及吸气膜层形成模块，将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层(Getteringlayer)。所述保护薄膜可包括：粘合剂层，一面粘合在形成半导体元件的所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂层另一面，对研磨晶片期间发生的机械式强度，保护所述晶片的一面在这种情况下，所述用于切割晶片的装置，还可包括：移送基板，为了将所述晶片从所述图案化模块，向所述切割模块移送，以所述保护层被脱落的状态，粘贴在所述粘合剂层的另一面。所述移送基板透明时，所述用于切割晶片的装置还可包括：包装模块，在所述晶片的另一面形成吸气膜层(Getteringlayer)之后，从所述移送基板的下侧向所述移送基板照射紫外线光，使削弱所述粘合剂层和所述晶片之间的粘合力，且将分割的所述多个半导体芯片，从所述粘合剂层及所述移送基板装卸并包装。所述移送基板不透明时，所述用于切割晶片的装置还可包括：包装模块，在所述晶片的另一面形成吸气膜层(Getteringlayer)之后，在所述晶片的另一面贴切割薄片，使所述晶片的一面朝上翻覆，且去除所述移送基板及所述粘合剂层，将分割的所述多个半导体芯片，从所述切割薄片装卸并包装。根据变形实施例的用于切割晶片的装置，可包括：粘贴模块，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；研磨模块，研磨所述晶片的另一面；透明的移送基板，为了移送所述晶片，粘贴在所述保护薄膜的另一面；图案化模块，对应于通过所述透明的移送基板确认的，形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息，在所述晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；切割模块，照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切割晶片的装置，其包括：拍摄模块，拍摄形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息；图案化模块，对应于由所述拍摄模块拍摄的所述图案信息，在所述晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；及切割模块，照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通所述晶片的厚度，使将所述晶片分割为多个半导体芯片。

【技术特征摘要】
2017.07.28 KR 10-2017-00963141.一种用于切割晶片的装置，其包括：拍摄模块，拍摄形成在晶片一面的多个半导体元件之间的图案信息；图案化模块，对应于由所述拍摄模块拍摄的所述图案信息，在所述晶片的另一面形成具有一定深度槽的图案；及切割模块，照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面及所述槽，且所述槽贯通所述晶片的厚度，使将所述晶片分割为多个半导体芯片。2.根据权利要求1所述的用于切割晶片的装置，还包括：粘贴模块，在所述晶片的一面形成图案之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；研磨模块，粘贴所述保护薄膜之后，研磨所述晶片的另一面；及吸气膜层形成模块，将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层。3.根据权利要求2所述的用于切割晶片的装置，其中，所述保护薄膜包括：粘合剂层，一面粘合在形成半导体元件的所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂层另一面，对研磨晶片期间发生的机械式强度，保护所述晶片的一面，且所述用于切割晶片的装置，还包括：移送基板，为了将所述晶片从所述图案化模块，向所述切割模块移送，以所述保护层被脱落的状态，粘贴在所述粘合剂层的另一面。4.根据权利要求3所述的用于切...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镕燮，吴正根，郑贤永，李镇硕，
申请(专利权)人：热思特设备技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR