用于切割晶片的装置制造方法及图纸

根据一个实施例，用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为个别包括各个半导体元件的多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度，可形成槽。

A device for cutting wafers

According to one embodiment, a device for cutting a chip includes a patterned module that forms a pattern between a plurality of semiconductor components formed on one side of the wafer, and a cutting module that irradiate the first plasma on the other side of the wafer and divide the wafer into a plurality of semiconductors with individual semiconductor elements. The chip and the patterned module can form a slot to a certain depth of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
用于切割晶片的装置
以下实施例涉及用于切割晶片的装置。技术背景在半导体基板处理工序中，IC形成在由典型的硅树脂或其他半导体材料构成的基板(或者，被指称为晶片)上。通常，为了形成IC，活用半导电性、导电性，或者绝缘性的多种材料的薄的薄膜层。在相同的基板上，为了并行地同时形成多个IC，如存储设备、逻辑设备、光电(photovoltaic)设备，使用多种熟知的工序，掺杂、金属化及蚀刻这些材料。形成设备之后，基板搭载在如经过薄膜框拉伸的(stretched)粘合剂(adhesive)薄膜的支撑部件上，且为了包装等，从相互间分离各个的各自设备或“模具(die)”，切割基板。在半导体包装组装(assembly)工序中，切割工序(dicingprocess)是指切断包括在晶片的多个半导体芯片的工序，且作为其他意思，可使晶片搭载于如引线框或印刷电路基板等，半导体包装用基本框上，分离为个别半导体芯片的工序。在切割工序可使用叶片(blade)、激光(laser)或者第一等离子体蚀刻等。最近，在晶片制造工序中，随着半导体元件的高容量化、高速化、细微化工序的发展，作为金属间绝缘材料的低介电材料(LowKmaterial)的使用逐渐增加的趋势。这些低介电材料通常是比硅树脂氧化物的介电常数，介电率低的物质的统称。在韩国专利2008-0015771号，公开了关于半导体装置的制造方法。
技术实现思路
技术课题根据一个实施例，其目的是提供为了将半导体驱动元件的高速化、根据低消费电力化的晶片集成化、超薄膜化，以非接触式切割晶片的装置。根据一个实施例，其目的是提供为了由晶片应力去除的芯片强度提高及由晶片内外的不纯物捕获的收率提高，以非接触式切割晶片的装置。技术方案根据一个实施例的晶片切割方法，其步骤包括：在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案的步骤；及照射第一等离子体蚀刻所述晶片的另一面，使将所述晶片分割为个别地包括各个半导体元件的多个半导体芯片的切割步骤，且所述形成图案的步骤，可到所述晶片的移动深度形成槽。将所述晶片分割为多个半导体芯片的切割步骤，可包括：在研磨晶片另一面的步骤，去除形成的加工损伤层；蚀刻所述晶片的另一面薄膜化；及去除在晶片形成图案的步骤生成的所述晶片图案化面损伤。所述晶片切割方法，其步骤还可包括将所述晶片分割为多个半导体芯片的切割步骤之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层(Getteringlayer)。此外，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：在晶片的一面形成图案步骤之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；及研磨在一面形成半导体元件的晶片另一面。所述保护薄膜可包括保护层，具备在一面粘贴在形成半导体元件的所述晶片一面的粘合剂层及所述粘合剂层的另一面，且对研磨晶片的步骤发生的机械式强度，保护所述晶片的一面。所述晶片切割方法，其步骤还可包括：在所述晶片的一面形成图案步骤之前，脱落所述保护薄膜的所述保护层。在这种情况下，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：在所述晶片的一面形成图案的步骤之后，移送基板粘贴在所述粘合剂层另一面；及经所述移送基板使所述晶片另一面朝上翻覆。所述移送基板透明时，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：形成吸气膜层(Getteringlayer)的步骤之后，从所述移送基板的下侧向所述移送基板照射紫外线光，削弱所述粘合剂层和所述晶片之间的粘合力；及将分割的所述多个半导体芯片，从所述粘合剂层及所述移送基板装卸并包装。所述移送基板不透明时，所述晶片切割方法，其步骤还可包括：形成吸气膜层(Getteringlayer)的步骤之后，在所述晶片的另一面贴切割薄片的步骤；使所述晶片的一面朝上翻覆；去除所述移送基板及所述粘合剂层；及将分割的所述多个半导体芯片，从所述切割薄片装卸并包装。在所述晶片的里面形成图案的步骤，利用片锯(bladesaw)、激光或等离子体，可在晶片的一面形成图案。在所述晶片的一面形成图案的步骤，可在所述晶片形成相应于所述晶片厚度的40％至60％深度的槽。根据一个实施例，用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为个别包括各个半导体元件的多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度，可形成槽。此外，所述用于切割晶片的装置，还可包括：粘贴模块，在所述晶片的一面形成图案之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；及研磨模块，粘贴所述保护薄膜之后，研磨所述晶片的另一面。所述切割模块将所述晶片分割为多个半导体芯片之前，利用第一等离子体，去除在研磨晶片另一面的步骤形成的加工损伤层，且利用所述第一等离子体，蚀刻所述晶片另一面并进行薄膜化，且将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，利用所述第一等离子体，可去除在晶片形成图案的步骤生成的所述晶片的图案化面的损伤。所述用于切割晶片的装置，还可包括：吸气膜层形成模块，将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层(Getteringlayer)。所述保护薄膜可包括：粘合剂层，一面粘合在半导体元件形成的所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂层另一面，对研磨晶片期间发生的机械式强度，保护所述晶片的一面。所述用于切割晶片的装置，还可包括：移送基板，为了将所述晶片从所述图案化模块，向所述切割模块移送，以所述保护层被脱落的状态，粘贴在所述粘合剂层的另一面。所述移送基板透明时，所述用于切割晶片的装置还可包括：包装模块，在所述晶片的另一面形成吸气膜层(Getteringlayer)之后，从所述移送基板的下侧向所述移送基板照射UV光，使削弱所述粘合剂层和所述晶片之间的粘合力，且将分割的所述多个半导体芯片，从所述粘合剂层及所述移送基板装卸并包装。所述移送基板不透明时，所述用于切割晶片装置还可包括：包装模块，在所述晶片的另一面形成吸气膜层(Getteringlayer)之后，在所述晶片的另一面贴切割薄片，使所述晶片的一面朝上翻覆，且去除所述移送基板及所述粘合剂层，将分割的所述多个半导体芯片，从所述切割薄片装卸并包装。在这种情况下，所述第一等离子体源可以是六氟化硫(SF6)或者三氟化氮(NF3)，也可以是四氟甲烷(CF4)和氧(O2)混合的。第二等离子体源可以是氩(Ar)或氦(He)。技术效果根据一个实施例的用于切割晶片的装置，可体现根据半导体驱动元件的高速化、低消费电力化的晶片集成化、超薄膜化。根据一个实施例的用于切割晶片的装置，可经晶片应力去除提高芯片强度，且有助于经晶片内外的不纯物捕获的收率提高。附图说明图1是示出根据一个实施例的晶片切割方法及用于切割晶片的装置的工序流程图。图2是示出根据一个实施例的晶片切割方法及用于切割晶片的装置，在大气压的工序图。图3是示出根据一个实施例的晶片切割方法及用于切割晶片的装置，在真空状态的工序图。图4是示出移送基板透明时，根据一个实施例的包装模块的工序流程图。图5是示出移送基板透明时，根据一个实施例的包装模块的工序图。图6是示出移送基板不透明时，根据一个实施例的包装模块的流程图。图7是示出移送基板不透明时，根据一个实施例的包装模块的工序图。具体实施方式以下，参照附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度形成槽。

【技术特征摘要】
2017.07.28 KR 10-2017-00962531.一种用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度形成槽。2.根据权利要求1所述的用于切割晶片的装置，还包括：粘贴模块，在所述晶片的一面形成图案之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；及研磨模块，粘贴所述保护薄膜之后，研磨所述晶片的另一面。3.根据权利要求2所述的用于切割晶片的装置，还包括：吸气膜层形成模块，将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层。4.根据权利要求3所述的用于切割晶片的装置，其中，所述保护薄膜包括：粘合剂层，一面粘合在所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镕燮，吴正根，郑贤永，李镇硕，
申请(专利权)人：热思特设备技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR