用于切割晶片的装置制造方法及图纸

根据一个实施例，用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为个别包括各个半导体元件的多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度，可形成槽。

A device for cutting wafers

According to one embodiment, a device for cutting a chip includes a patterned module that forms a pattern between a plurality of semiconductor components formed on one side of the wafer, and a cutting module that irradiate the first plasma on the other side of the wafer and divide the wafer into a plurality of semiconductors with individual semiconductor elements. The chip and the patterned module can form a slot to a certain depth of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
用于切割晶片的装置
以下实施例涉及用于切割晶片的装置。技术背景在半导体基板处理工序中，IC形成在由典型的硅树脂或其他半导体材料构成的基板(或者，被指称为晶片)上。通常，为了形成IC，活用半导电性、导电性，或者绝缘性的多种材料的薄的薄膜层。在相同的基板上，为了并行地同时形成多个IC，如存储设备、逻辑设备、光电(photovoltaic)设备，使用多种熟知的工序，掺杂、金属化及蚀刻这些材料。形成设备之后，基板搭载在如经过薄膜框拉伸的(stretched)粘合剂(adhesive)薄膜的支撑部件上，且为了包装等，从相互间分离各个的各自设备或“模具(die)”，切割基板。在半导体包装组装(assembly)工序中，切割工序(dicingprocess)是指切断包括在晶片的多个半导体芯片的工序，且作为其他意思，可使晶片搭载于如引线框或印刷电路基板等，半导体包装用基本框上，分离为个别半导体芯片的工序。在切割工序可使用叶片(blade)、激光(laser)或者第一等离子体蚀刻等。最近，在晶片制造工序中，随着半导体元件的高容量化、高速化、细微化工序的发展，作为金属间绝缘材料的低介电材料(LowK本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度形成槽。

【技术特征摘要】
2017.07.28 KR 10-2017-00962531.一种用于切割晶片的装置，其包括：图案化模块，在晶片一面形成的多个半导体元件之间形成图案；及切割模块，在所述晶片的另一面照射第一等离子体，将所述晶片分割为多个半导体芯片，且所述图案化模块到所述晶片的一定深度形成槽。2.根据权利要求1所述的用于切割晶片的装置，还包括：粘贴模块，在所述晶片的一面形成图案之前，在形成半导体元件的晶片一面，粘贴保护薄膜；及研磨模块，粘贴所述保护薄膜之后，研磨所述晶片的另一面。3.根据权利要求2所述的用于切割晶片的装置，还包括：吸气膜层形成模块，将所述晶片分割为多个半导体芯片之后，在所述晶片的另一面照射第二等离子体，形成吸气膜层。4.根据权利要求3所述的用于切割晶片的装置，其中，所述保护薄膜包括：粘合剂层，一面粘合在所述晶片的一面；及保护层，具备在所述粘合剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镕燮，吴正根，郑贤永，李镇硕，
申请(专利权)人：热思特设备技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR