【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板载体
本技术涉及基板处理装置及基板载体,更具体而言,涉及一种能够抑制基板的弯曲并且能够形成均匀厚度的药液涂覆膜的基板处理装置及用于该基板处理装置的基板载体。
技术介绍
最近,正在进行旨在提高半导体收率及生产率的多样尝试。其中,板级封装(PanelLevelPackage;PLP)作为无需半导体封装用PCB(印刷电路板)而以低廉费用对输入输出多的高性能半导体芯片进行封装(将连接芯片与设备的线直接植于面板的封装)的技术,被评价为甚至领先于晶圆级封装(WLP)工序的技术。在制造半导体装置件的工序中,伴随着在待处理基板的表面涂覆抗蚀液等药液的涂覆工序。在以往待处理基板大小较小的情况下,使用旋转涂覆方法,即,借助于在待处理基板的中央部涂覆药液并使待处理基板旋转,在待处理基板的表面涂覆药液。但是,随着待处理基板大小的大型化,旋转涂覆方式几乎不再使用,而是使用以下方式的涂覆方法,即,在使具有与待处理基板宽度对应的长度的狭缝形态的狭缝喷嘴和待处理基板相对移动的同时,从狭缝喷嘴将药液涂覆于待处理基板的表面。更具体而言,制造半导体封装件的工序依次经过在待处理基板表面涂覆药液、使涂覆的药液干燥、在使药液干燥后以需要的图案进行曝光等工序而进行。另一方面,在基板上涂覆药液的工序中,如果发生基板的弯曲(warpage),则难以均匀地形成药液涂覆膜的厚度,收率低下,因而在工序中,应能够均匀地保持基板的平整度。但是在以往,存在由于基板材质及药液种类导致的导热率差异而发生基板弯曲(warpage)的问题,在发生基板弯曲的状态下,随着涂覆工序的进行,存在发生药液涂覆膜的厚度 ...
【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,包括:涂覆处理部,其进行对基板的药液涂覆工序;基板载体,其在所述涂覆处理部沿着预先设定的涂覆处理路径对所述基板进行处理期间,平整地支撑所述基板。
【技术特征摘要】
2017.06.14 KR 10-2017-00747191.一种基板处理装置,其特征在于,包括:涂覆处理部,其进行对基板的药液涂覆工序;基板载体,其在所述涂覆处理部沿着预先设定的涂覆处理路径对所述基板进行处理期间,平整地支撑所述基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板在沿着所述涂覆处理路径被处理期间,真空吸附于所述基板载体。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板载体包括:载体主体,用于安放所述基板;吸附孔,其形成于所述载体主体,使所述基板吸附于所述载体主体。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述吸附孔形成独立划分的多个吸附区。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,包括:控制部,其同时或依次控制所述多个吸附区对所述基板的吸附。6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,包括:真空单元,向所述吸附孔施加真空压。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,所述真空单元以可分离的方式选择性地结合于所述基板载体,在所述基板载体移动时,所述真空单元从所述基板载体分离。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,包括:真空维持部,其在所述真空单元从所述基板载体分离的状态下,维持所述吸附孔的真空状态。9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,所述真空维持部包括:耦合器主体,其以连通方式安装于所述吸附孔,所述真空单元可分离地结合于该耦合器主体;阀构件,其以能够直线移动的方式收纳于所述耦合器主体的内部,用于选择性地开闭所述吸附孔的入口;弹性构件,其在所述耦合器主体中弹性支撑所述阀构件的直线移动,当所述真空单元从所述耦合器主体分离时,所述阀构件通过弹性封堵所述吸附孔的入口。10.根据权利要求1-9中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述涂覆处理部包括:药液涂覆单元,其在所述基板的表面涂覆药液;加热干燥单元,其对所述药液进行加热干燥;所述基板在平整地搭载于所述基板载体的状态下,由所述药液涂覆单元和所述加热干燥单元进行处理。11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,包括:移送单元,其使所述基板载体沿着所述涂覆处理路径移动。12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,所述加热干燥单元以互不相同的温度,阶段性地加热所述基板。13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,所述加热干燥单元包括:第一加热部,其将涂覆了所述药液的所述基板加热到第一温度范围,以对涂覆在所述基板上的所述药液进行干燥;第二加热部,其将经过所述第一加热部的所述基板加热到不同于第一温度范围的第二温度范围。14.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵康一,
申请(专利权)人:凯斯科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:韩国,KR
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