一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺制造技术

技术编号:17899788 阅读:26 留言:0更新日期:2018-05-10 11:40
本发明专利技术涉及陶瓷领域,具体地说,涉及一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO2 64‑65%;Al2O3 16.5‑17.5%;Fe2O3 1.2‑1.5;CaO+MgO 6.5‑7.5%;K2O+Na2O2.0‑2.5%;烧失量5‑8%;所述的烧制过程中,温度为1140‑1150℃;烧制时间为75‑80min本发明专利技术的目的是提供基于一次烧的内墙砖的制备工艺,该工艺制备得到的内墙砖尺寸变形率低、釉面品质恒定不受坯体影响。

Preparation process of inner wall brick based on primary burning

The invention relates to the ceramic field, in particular to a preparation process of an inner wall brick based on a primary burning. The inner wall brick is obtained by ball milling, pressing, drying, glazing and firing. The material includes the following components: SiO2 64, 65%, 16.5, 17.5%; Fe2O3 1.2 1.5. 1.5 CaO+MgO 6.5, 7.5%; K2O+Na2O2.0 2.5%; burning loss 5, 8%; during the burning process, the temperature is 1140, 1150 C; the burning time 75, the invention is designed to provide a preparation process based on the one burning inner wall brick, which is prepared by the process of low dimension deformation rate and constant glaze quality obtained by this process. The effect of the blank body.

【技术实现步骤摘要】
一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺
本专利技术涉及陶瓷领域,具体地说,涉及一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺。
技术介绍
现有的瓷砖制备过程中,可以分为一次烧制和二次烧制工艺。一次烧制的工艺由于坯体排氮排气效果差,导致釉面品质和坯体品质难于控制。作为改进,业内大多采用二次烧制工艺,通过二次烧制工艺来保证釉面品质。但是二次烧制存在的问题也是不容忽视的,具体来说,能耗高、效率低、尺寸经过二次烧制后不容易控制、较低的尺寸精度要求对产品进行磨边。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,该工艺制备得到的内墙砖尺寸变形率低、釉面品质恒定不受坯体影响。本专利技术提供的技术方案为:一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO264-65%;Al2O316.5-17.5%;Fe2O31.2-1.5;CaO+MgO6.5-7.5%;K2O+Na2O2.0-2.5%;烧失量5-8%;优选地,述的原料包括如下组分:SiO264-65%;Al2O317-17.5%;Fe2O31.2-1.5;CaO+MgO6.5-7.5%;K2O+Na2O2.0-2.5%;烧失量7-8%;所述的烧制过程中,温度为1140-1150℃;烧制时间为75-80min。在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中,所述的压坯的压力为18000-20000KN,所述的压坯时间为6.5-8次/min。在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中,所述的干燥的温度为120-150℃,所述的干燥时间为65-75min。在上述的基于一次烧的内墙砖的制备工艺中,所述的烧制过程中,温度更为优选为1145℃;烧制时间更为优选为75min有益效果:本专利技术通过一次烧制工艺制备得到了符合标准的内墙砖产品,其边长尺寸偏差为0.5-0.8mm,厚度偏差为±0.2mm;产品精度控制效果好,无需磨边。表面平整度为0.4mm(相对于基准面,上凸或下凹距离);断裂模数为25-30MPa;莫氏硬度4。具体实施方式下面结合具体实施方式,对本专利技术的技术方案作进一步的详细说明,但不构成对本专利技术的任何限制。实施例一一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO264.5%;Al2O317%;Fe2O31.3;CaO+MgO7%;K2O+Na2O2.2%;烧失量8%;所述的烧制过程中,温度为1145℃;烧制时间为75-80min。所述的压坯的压力为19000KN,所述的压坯频率为7次/min。所述的干燥的温度为130℃,所述的干燥时间为70min。实施例二一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO265%;Al2O317.5%;Fe2O31.2;CaO+MgO6.5%;K2O+Na2O2%;烧失量7.8%;所述的烧制过程中,温度为1150℃;烧制时间为80min。所述的压坯的压力为20000KN,所述的压坯频率为8次/min。所述的干燥的温度为150℃,所述的干燥时间为65min。实施例三一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO264%;Al2O317.5%;Fe2O31.5;CaO+MgO7.5%;K2O+Na2O2.5%;烧失量7%;所述的烧制过程中,温度为1150℃;烧制时间为80min。所述的压坯的压力为20000KN,所述的压坯频率为8次/min。所述的干燥的温度为150℃,所述的干燥时间为65min。测试结果实施例1-3的边长尺寸偏差为0.5-0.8mm,厚度偏差为±0.2mm;产品精度控制效果好,无需磨边。表面平整度为0.4mm(相对于基准面,上凸或下凹距离);断裂模数为25-30MPa;莫氏硬度4。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式,但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制,其它的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,其特征在于:所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO2 64‑65%;Al2O3 16.5‑17.5%;Fe2O3 1.2‑1.5;CaO+MgO 6.5‑7.5%;K2O+Na2O2.0‑2.5%;烧失量5‑8%;所述的烧制过程中,温度为1140‑1150℃;烧制时间为75‑80min。

【技术特征摘要】
1.一种基于一次烧的内墙砖的制备工艺,其特征在于:所述的内墙砖通过将原料球磨、压坯、干燥、布釉和一次烧制后得到;其中,所述的原料包括如下组分:SiO264-65%;Al2O316.5-17.5%;Fe2O31.2-1.5;CaO+MgO6.5-7.5%;K2O+Na2O2.0-2.5%;烧失量5-8%;所述的烧制过程中,温度为1140-1150℃;烧制时间为75-80min。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:江想健万祖安杨九大黄德权谭荧坚陈彦龙汪先镇彭斐王丽红
申请(专利权)人:广东冠星陶瓷企业有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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