在集成电路中形成硅穿孔(TSV)制造技术

本公开提供了在集成电路中形成硅穿孔(TSV)。描述具有硅穿孔(TSV)的集成电路基板。TSV是延伸通过其中形成集成电路的硅基板的孔。TSV可以在集成电路基板上形成集成电路之前形成，从而允许使用可以以相对小的尺寸制造的通孔材料。集成电路基板可以与具有微机电系统(MEMS)器件的基板结合。在某些这种情况下，集成电路基板的电路可远离MEMS基板，因为TSV可以提供从集成电路基板的电路侧到MEMS器件的电连接。

Formation of silicon perforation (TSV) in integrated circuits

The present disclosure provides a silicon perforation (TSV) in the integrated circuit. An integrated circuit board with silicon perforation (TSV) is described. TSV is a hole that extends the silicon substrate through which integrated circuits are formed. TSV can be formed before forming integrated circuits on integrated circuit substrates, thus allowing the use of through-hole materials that can be made in relatively small dimensions. The integrated circuit substrate can be integrated with a substrate with a microelectromechanical system (MEMS) device. In some cases, the circuit of the integrated circuit board can be far away from the MEMS substrate, because the TSV can provide an electrical connection from the circuit side of the integrated circuit board to the MEMS device.

【技术实现步骤摘要】
在集成电路中形成硅穿孔(TSV)
本申请涉及在集成电路晶片上形成硅穿孔(TSV)。
技术介绍
硅穿孔是延伸通过基板以提供从基板的一侧到另一侧的电连接的孔。专用集成电路(ASIC)基板有时包括TSV以用于从基板的一侧向另一侧提供电气通信。微机电系统(MEMS)有时形成在与ASIC基板分开的基板上，然后与ASIC基板结合。
技术实现思路
描述具有硅穿孔(TSV)的集成电路基板。TSV是延伸通过其中形成集成电路的硅基板的孔。TSV可以在集成电路基板上形成集成电路之前形成，从而允许使用可以以相对小的尺寸制造的通孔材料。集成电路基板可以与具有微机电系统(MEMS)器件的基板结合。在某些这种情况下，集成电路基板的电路可远离MEMS基板，因为TSV可以提供从集成电路基板的电路侧到MEMS器件的电连接在某些实施方案中，公开设备。设备包括微机电系统(MEMS)基板。MEMS基板包括MEMS器件。设备还包括具有器件表面的专用集成电路(ASIC)基板、在所述器件表面对面的背面、器件表面上的ASIC、和使器件表面连接背面的硅穿孔(TSV)。MEMS基板和ASIC基板结合在ASIC基板的背面处，使得器件表面远离M本文档来自技高网...

【技术保护点】
设备，包括：微机电系统(MEMS)基板，包括MEMS器件；专用集成电路(ASIC)基板，具有器件表面、在所述器件表面对面的背面、所述器件表面上的ASIC、和使所述器件表面连接所述背面的硅穿孔(TSV)；其中所述MEMS基板和ASIC基板结合在所述ASIC基板的背面，使得所述器件表面远离所述MEMS基板。

【技术特征摘要】
2016.10.26 US 15/334,6191.设备，包括：微机电系统(MEMS)基板，包括MEMS器件；专用集成电路(ASIC)基板，具有器件表面、在所述器件表面对面的背面、所述器件表面上的ASIC、和使所述器件表面连接所述背面的硅穿孔(TSV)；其中所述MEMS基板和ASIC基板结合在所述ASIC基板的背面，使得所述器件表面远离所述MEMS基板。2.权利要求1所述的设备，其中所述TSV由导电多晶硅形成。3.权利要求2所述的设备，其中所述TSV的长宽比在12:1至30:1之间。4.权利要求1所述的设备，其中所述MEMS基板和ASIC基板在它们之间限定密封的腔体，其中设置有MEMS器件。5.权利要求4所述的设备，其中所述MEMS器件是惯性传感器。6.权利要求1所述的设备，其中所述MEMS基板是具有MEMS器件的多个实例的MEMS晶片，其中所述ASIC基板是具有多个ASIC实例的ASIC晶片，并且其中所述MEMS晶片和所述ASIC结合在一起。7.权利要求1所述的设备，其中所述TSV连接所述MEMS基板上的电气电路。8.一种形成包括专用集成电路(ASIC)的器件的方法，该方法包括：在基板上形成任何金属特征之前，在所述基板中形成硅穿孔(TSV)；和在所述基板中形成TSV之后，在所述基板的器件表面中形成ASIC部件。9.权利要求8所述的方法，其中在基板中形成TSV包括在所述基板的器件表面中形成任何ASIC部件之前，在基板中形成TSV。10.权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·K·努南，陈立，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US