低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法，由A料和B料组成，两者重量比为：A料∶B料＝90～95∶10～5，述A料由如下重量份的组分组成：线性低密度聚乙烯100份，乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物2～20份，空心玻璃微球5～50份，硅烷交联剂1～5份，引发剂0.1～0.2份，B料由如下重量份的组分组成：线性低密度聚乙烯100份，有机锡1～5份，抗氧剂1～5份，金属抑制剂1～5份。本发明专利技术大大降低了聚乙烯的介电常数；在降低介电常数的同时，又利用乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物的极性确保了空心玻璃微球的均匀分散，保持了优异的电性能和力学性能。该发明专利技术产品可提高射频同轴电缆的产品质量，拓展了硅烷交联聚乙烯电缆料的应用领域。

Low dielectric constant silane crosslinked polyethylene insulating material and preparation method thereof

The present invention provides a low dielectric constant silane crosslinked polyethylene insulating material and its preparation method, consisting of A material and B material. The weight ratio is A material: B = 90~95: 10~5. The A material is composed of the following weight components: 100 copies of linear low density polyethylene, 2~20 portions of vinyl acetate vinyl acetate copolymer and hollow glass. 5~50 copies of glass microspheres, 1~5 silane crosslinker and 0.1 to 0.2 initiators, B material is composed of the following weight components: linear low density polyethylene (LDPE) 100, organic tin 1~5, antioxidant 1~5, and metal inhibitor 1~5. The invention greatly reduces the dielectric constant of polyethylene; while reducing the dielectric constant, the polarity of vinyl acetate copolymer ensures the uniform dispersion of the hollow glass microspheres, and maintains excellent electrical and mechanical properties. The invention can improve the product quality of the radio frequency coaxial cable and expand the application field of the silane crosslinked polyethylene cable material.

【技术实现步骤摘要】
低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法
本专利技术涉及一种可应用于射频同轴电缆以及其它通信电缆内皮层的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法。
技术介绍
射频同轴电缆通常采用介电常数极低的发泡聚乙烯(介电常数在1.2～1.3)作为绝缘层以降低信号的衰减，用聚乙烯(介电常数2.3～2.4)作为电缆的内皮层。由于聚乙烯的介电常数较高，为了尽量降低对电缆信号传输的影响，射频同轴电缆的内皮层通常很薄。尽管如此，用聚乙烯做内皮层依然依然对电缆的整体性能产生了不利影响。基于以上背景，我司专利技术了一种可用于射频同轴电缆内皮层的硅烷交联聚乙烯绝缘料。该产品具有介电常数低(1.5～1.9)，力学强度好的特点，同时价格低廉，可改善射频同轴电缆以及其它通信电缆的信号传输性能。本专利技术将使得硅烷交联聚乙烯电缆料的应用拓展到一个新的领域。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法。本专利技术所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，由A料和B料组成，两者重量比为：A料∶B料＝90～95∶10～5，优选95∶5，所述A料由如下重量份的组分组成：所述B料由如下重量份本文档来自技高网...

【技术保护点】
低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，由A料和B料组成，两者重量比为：A料∶B料＝90～95∶10～5，优选95∶5；所述A料由如下重量份的组分组成：

【技术特征摘要】
1.低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，由A料和B料组成，两者重量比为：A料∶B料＝90～95∶10～5，优选95∶5；所述A料由如下重量份的组分组成：所述B料由如下重量份的组分组成：2.根据权利要求1所述的介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述A料由如下重量份的组分组成：所述B料由如下重量份的组分组成：3.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述线性低密度聚乙烯(LLDPE)的密度为0.916～0.924g/cm3；。4.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)的VA含量为26～50％，密度为0.945～0.975g/cm3，熔体流动指数为2～20g/10min。5.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述的空心玻璃微球，为碱石灰硼硅酸盐空心玻璃微球，密度为0.30～0.60g/cm3，中位粒径为30～40μm。6.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述硅烷交联剂为乙烯基三甲氧基硅烷(A171)。7.根据权利要求1或2所述的低介电常数硅烷交联聚乙烯绝缘料，其特征在于，所述的引发剂过氧化二异丙苯(DCP)、过氧化二叔丁基(DTBP)、2，5-二甲基-2，5-二...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓辉，嵇建忠，邓锋，唐艳芳，王琴，徐永卫，
申请(专利权)人：上海新上化高分子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31