一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钨青铜室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法，其具有室室温下具有优异的铁电性能和铁磁性能，并且具有强烈的磁电耦合效应。本发明专利技术提供的多铁性陶瓷厚膜原料来源广泛、价格便宜、环保；制备工艺简单，性能优异，具有极大的工业应用价值。

Tungsten bronze pure phase room temperature multiferroic ceramic thick film and preparation method thereof

The present invention discloses a tungsten bronze chamber temperature multiferric ceramic thick film and its preparation method, which has excellent ferroelectric and ferromagnetic properties at room temperature, and has strong magnetoelectric coupling effect. The multi iron ceramic thick film raw material provided by the invention has extensive source, cheap price, environmental protection, simple preparation process and excellent performance, and has great industrial application value.

【技术实现步骤摘要】
一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法
本专利技术涉及一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法。
技术介绍
多铁性材料是指同时具有铁电性、铁磁性和铁弹性三种特性中两种及以上的特性并且这种基本铁性间存在相互耦合作用而产生新效应的一类重要的功能材料，其基本特征是具有铁电性、铁磁性，在外电场的条件下其具有压电效应、铁电效应、热释电效应、非线性光学效应、磁电耦合效应等多种物理效应。这些特定性能使得多铁性材料广泛运用于压电声纳、铁电薄膜存储器、传感器、电光光阀等材料的重要材料。现在多铁性材料主要是同时具有铁电性和铁磁性，其自发极化和自发磁矩相互间能够相互耦合、调控。但是这种同时具有铁电性和铁磁性的单相化合物罕见，主要是由于同时具有自发极化与自发磁化的点群有且只有1、2΄、2、m΄、m、3m΄、3、4m΄m΄、4、m΄m΄2΄、m΄m2΄、6m΄m΄13和6这13种。如钙钛矿结构(ABO3)材料，氧八面体中心离子的d0电子构型在铁电畸变的稳定性方面起着非常重要的作用，例如Nb5+、W6+及Ti4+等铁电活性离子的d0电子构型在铁电畸变的稳定性方面起着非常重要的作用。然而对于磁性氧化物来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜的制备方法，其特征在于：所述多铁性陶瓷厚膜的化学组成表达式Ba4Sm2Fe2Nb8O30，缩写BSFN， 其制备方法包括如下步骤：1）以BaCO3、Sm2O3、Nb2O5、Fe2O3电子级粉末为制备陶瓷厚膜的原料，按照分子式称量配料，在去离子水或者酒精中高能球磨8‑24小时，烘干后在1100‑1200

【技术特征摘要】
1.一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜的制备方法，其特征在于：所述多铁性陶瓷厚膜的化学组成表达式Ba4Sm2Fe2Nb8O30，缩写BSFN，其制备方法包括如下步骤：1）以BaCO3、Sm2O3、Nb2O5、Fe2O3电子级粉末为制备陶瓷厚膜的原料，按照分子式称量配料，在去离子水或者酒精中高能球磨8-24小时，烘干后在1100-1200oC保温2-6小时，合成钨青铜单相BSFN粉体；2）将BSFN粉体在去离子水中再次高能球磨8-16小时，然后将浆料进行流延成0.1-0.5mm的膜，以0.1-1oC/min升温速率升温到90oC，保温24小时，然后冷却到室温，获得BSFN陶瓷厚膜坯体；3）将BSFN陶瓷厚膜坯体切割成边长10mm的方片，利用微波烧结法，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑兴华，罗国仕，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35