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一种中温烧结微波介质陶瓷及其制备方法技术

技术编号:17693729 阅读:75 留言:0更新日期:2018-04-14 10:13
本发明专利技术公开了一种中温烧结微波介质陶瓷MnSnTa2O8,先将MnCO3、SnO2、Ta2O5按化学计量式进行配料,再经球磨、烘干、过筛,于1000℃煅烧,再外加0.9%~1.1%的聚乙烯醇作进行造粒;再经磨罐、烘干、过筛后压制成型为坯体,坯体于1150℃~1200℃烧结,制成MnSnTa2O8微波介质陶瓷;再将制品于1050℃进行退火,保温10~15小时,对其结构进行调控。

Medium temperature sintered microwave dielectric ceramics and their preparation methods

The invention discloses a temperature sintering microwave dielectric ceramics of MnSnTa2O8 a, MnCO3, SnO2, Ta2O5 first according to the stoichiometry of the ingredients, and then by ball milling, drying and sieving, calcined at the temperature of 1000, plus 0.9% to 1.1% of PVA granulation; after grinding tank, drying and sieving after pressing formed into a blank, blank at 1150 to 1200 DEG C sintering, made of MnSnTa2O8 microwave dielectric ceramics; the products were annealed at 1050 DEG C, heat for 10~15 hours, the regulation of the structure.

【技术实现步骤摘要】
一种中温烧结微波介质陶瓷及其制备方法
本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,尤其涉及一种以MnSnTa2O8为化学式的中温烧结、具有良好微波介电性能的微波介质陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
随着信息时代无线移动通信向更高频率发展的趋势,电子元器件的小型化、高集成化成为了该领域关注的热点。其中,在微波频段的实际应用中,微波介质陶瓷因其优良的介电性能得到广泛关注,它的研发水平决定着未来微波无源器件的发展方向。随着科技的不断发展,为满足不同应用需求,各种性能优异的新材料不断涌现。在国内外研究中,晶体结构是影响微波介质陶瓷介电性能的最主要因素,制备出新颖的晶体结构往往会带动一系列微波介质陶瓷新体系的发展。理想的MnSnTa2O8具有阳离子有序度较高的底心单斜锡锰钽矿结构,是传统类金红石体系锰钽矿结构微波介质陶瓷的有序化形式,国内外还未见本专利技术的相关报道。本专利技术采用传统固相法,制备出了中温烧结的MnSnTa2O8微波介质陶瓷,并测试了其微波介电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的,以MnCO3、SnO2、Ta2O5为原料,采用传统固相法,在现有技术的基础上,制备一种具有更为良好微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中温烧结微波介质陶瓷,合成物表达式为:MnSnTa2O8;该中温烧结微波介质陶瓷的制备方法,具有如下步骤:(1)将MnCO3、SnO2、Ta2O5按化学计量式MnSnTa2O8进行配料;将粉料放入聚酯罐中,加入去离子水和锆球后,球磨4~8小时;(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中,于80~120℃烘干,然后过40目筛;(3)将烘干、过筛后的粉料放入中温炉中,于1000℃煅烧5~8小时;(4)在步骤(3)煅烧后的粉料中外加0.9%~1.1%的聚乙烯醇作为粘合剂进行造粒,将混合后的粉料放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水或无水乙醇,球磨9~12小时后烘干、过80目筛,再用粉末压片机以2~...

【技术特征摘要】
1.一种中温烧结微波介质陶瓷,合成物表达式为:MnSnTa2O8;该中温烧结微波介质陶瓷的制备方法,具有如下步骤:(1)将MnCO3、SnO2、Ta2O5按化学计量式MnSnTa2O8进行配料;将粉料放入聚酯罐中,加入去离子水和锆球后,球磨4~8小时;(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中,于80~120℃烘干,然后过40目筛;(3)将烘干、过筛后的粉料放入中温炉中,于1000℃煅烧5~8小时;(4)在步骤(3)煅烧后的粉料中外加0.9%~1.1%的聚乙烯醇作为粘合剂进行造粒,将混合后的粉料放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水或无水乙醇,球磨9~12小时后烘干、过80目筛,再用粉末压片机以2~4MPa的压力压制成坯体;(5)将步骤(4)的坯体于1150℃~1200℃烧结,保温2~8...

【专利技术属性】
技术研发人员:李玲霞罗伟嘉孙正张博文乔坚栗
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:天津,12

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