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本发明公开了一种钨青铜室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法，其具有室室温下具有优异的铁电性能和铁磁性能，并且具有强烈的磁电耦合效应。本发明提供的多铁性陶瓷厚膜原料来源广泛、价格便宜、环保；制备工艺简单，性能优异，具有极大的工业应用价值。...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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