一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法技术

本发明专利技术提供一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。采用本发明专利技术的方法，可以降低半导体衬底和背面金属层之间的接触电阻，进而降低饱和压降值，提高其饱和压降性能。

【技术实现步骤摘要】
一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法。
技术介绍
半导体功率器件由于具有驱动电路简单、驱动功率小、高输入阻抗和开关速度、良好的热稳定性等一系列优点而得到非常广泛的应用，常见的功率器件有VDMOS(VerticalDouble‐DiffusionMOSFET，垂直双扩散场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)和PowerBJT(PowerBipolarJunctionTransistors，功率双极晶体管)等。以IGBT为例，IGBT是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点，目前IGBT作为一种新型的电力电子器件被广泛应用于电机控制、工业调速、家用电器、照明、网络通信、计算机、汽车电子、国防、航空航天等多个领域。在半导体器件工艺中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述背面金属电极的步骤包括：在所述半导体衬底的背面上沉积金属层，然后使所述金属层与所述半导体衬底反应形成合金层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减薄处理的方法是研磨。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除微裂纹层的工艺是干法蚀刻工艺。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：何作鹏，杨素素，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31