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本发明提供一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。