一种用于强流氘‑氚中子发生器的大靶片双裂变电离室制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种用于强流氘-氚中子发生器的大靶片双裂变电离室
本技术属于中子应用
，涉及一种用于强流氘-氚中子发生器的大靶片双裂变电离室。
技术介绍
强流氘-氚聚变反应中子发生器是重要的单能加速器中子源，可以提供高通量的14MeV单能中子，广泛应用于核数据测量、核能基础研究、国防基础研究及核技术应用等领域。国内外的科研机构都在研发高产额的强流D-T/D-D中子发生器，目前美国和俄罗斯研发的中子发生器D-T中子产额均达到了1013n/s水平，国内最高为兰州大学的3.3×1012n/s，多家科研院所也在开展相关研制工作。测量高通量强流氘-氚(D-T)中子发生器中子产额的方法主要有伴随α粒子法，反冲质子法和裂变电离室法。对于高达1013n/s的中子产额一般都需要旋转大靶，伴随α粒子法由于需要固定通道将不能使用；国际上普遍采用的反冲质子望远镜由于对γ敏感，需要较庞大的屏蔽和真空系统同时需采用符合测量方法，成本高效率低；U裂变电离室测量装置简单，精度较高，并且对γ射线不灵敏，使用较为广泛。但是国内现有技术都是针对1012n/s及以下中子产额所开发的小型单238U气体裂变室，不能直...
【技术保护点】
一种用于强流氘‑氚中子发生器的大靶片双裂变电离室，其特征在于：包括圆柱状壳体，圆柱状外壳上设有进气口和出气口，圆柱状壳体内部设有绝缘柱，绝缘柱上安装有三个收集极，每两个收集极之间安装有一片
【技术特征摘要】
1.一种用于强流氘-氚中子发生器的大靶片双裂变电离室，其特征在于：包括圆柱状壳体，圆柱状外壳上设有进气口和出气口，圆柱状壳体内部设有绝缘柱，绝缘柱上安装有三个收集极，每两个收集极之间安装有一...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰长林，刘通，潘小东，鲍杰，史万峰，占许文，邱奕嘉，吴王锁，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：新型
国别省市：甘肃,62
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