一种中子探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种中子探测器，包括：入射窗、探测单元、处理单元；探测单元包括多层叠置探测头、平行设置探测通道，相邻的探测通道之间通过气体通道连通，每条探测通道内设置电极，用于施加正电压，用于对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号；所述探测头包括顺次连接的屏蔽外壳、中子探测元件、光导体、光电转换和电荷灵敏前置放大电路；所述处理模块包括顺次连接的放大器、甄别器、计数器、控制器和显示器，从而能够实时进行探测，不受环境的约束。

A neutron detector

The invention discloses a neutron detector, including incident window, detection unit, processing unit; detecting unit comprises a multi-layer stack probe, arranged in parallel detection channel between adjacent detection channels communicated through gas channels, each channel is arranged in the detection electrode for applying a positive voltage, amplifies the electrical signals output amplifier for the ionization signal on the neutron induced; the probe includes a shielding shell, sequentially connected neutron detection element, optical conductor, photoelectric conversion and charge sensitive preamplifier circuit; the processing module comprises sequentially connected with the amplifier, discriminator, counter, controller and display, which can real-time detect, not subject to environmental constraints.

【技术实现步骤摘要】
一种中子探测器
本专利技术涉及辐射检测仪
，尤其涉及一种中子探测器。
技术介绍
现有技术中，中子探测器一般采用核反应法进行探测，但是，这种探测方式受到环境的局限，无法随时随地进行探测。因此，现有的中子探测器无法有效实现实时探测的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种中子探测器，解决了现有技术中中子探测器无法有效实现实时探测的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：一种中子探测器，包括：入射窗、探测单元、处理单元；探测单元包括多层叠置探测头、平行设置探测通道，相邻的探测通道之间通过气体通道连通，每条探测通道内设置电极，用于施加正电压，用于对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号；所述探测头包括顺次连接的屏蔽外壳、中子探测元件、光导体。光电转换和电荷灵敏前置放大电路；所述处理器包括顺次连接的放大器、甄别器、技术器、控制器和显示器。进一步地，所述气体通道内充有三氟化硼气体。进一步地，所述探测通道壁厚为0.5～1mm。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况：本专利技术采用多层叠置的探测头、平行设置的探测通道，相邻的探测通道之间通过气体通道连通，每条探测通道内设置电极，用于施加正电压，对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号，其中，该探测头采用屏蔽外壳、中子探测元件、光导体、光电转换和电荷灵敏前置放大电路，处理模块采用顺次连接的放大器、甄别器、计数器、控制器和显示器，从而能够实时进行探测，不受环境的约束。附图说明图1是本专利技术实施例中中子探测器的模块示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种中子探测器，解决了现有技术中中子探测器无法有效实现实时探测的技术问题。为了解决上述技术问题，下面结合说明书附图进行详细说明。本专利技术实施例提供了一种中子探测器，包括：入射窗10、探测单元20、处理单元30；探测单元20包括多层叠置探测头201、平行设置探测通道202，相邻的探测通道202之间通过气体通道203连通，每条探测通道202内设置电极204，用于施加正电压，用于对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号；该探测头201包括顺次连接的屏蔽外壳、中子探测元件、光导体、光电转换和电荷灵敏前置放大电路；该处理模块30包括顺次连接的放大器301、甄别器302、计数器303、控制器304和显示器305。在具体的实施方式中，该气体通道203内充有三氟化硼气体。当探测到的中子穿过入射窗进入探测单元之后，由于该探测通道内的气体与中子发生反应，产生带点的粒子，从而在施加电压时，使得该带电粒子产生电离信号放大并输出。该探测通道壁厚为0.5～1mm。用于满足探测的需求。采用上述的技术方案能够实时对中子进行探测，不受环境的影响。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中子探测器，其特征在于，包括：入射窗、探测单元、处理单元；探测单元包括多层叠置探测头、平行设置探测通道，相邻的探测通道之间通过气体通道连通，每条探测通道内设置电极，用于施加正电压，用于对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号；所述探测头包括顺次连接的屏蔽外壳、中子探测元件、光导体、光电转换和电荷灵敏前置放大电路；所述处理模块包括顺次连接的放大器、甄别器、计数器、控制器和显示器。

【技术特征摘要】
1.一种中子探测器，其特征在于，包括：入射窗、探测单元、处理单元；探测单元包括多层叠置探测头、平行设置探测通道，相邻的探测通道之间通过气体通道连通，每条探测通道内设置电极，用于施加正电压，用于对中子引起的电离信号进行放大并输出放大后的电信号；所述探测头包括顺次连接的屏蔽外壳、中...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛良全，曾国强，郭生良，
申请(专利权)人：成都新核泰科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51