一种中子源制造技术

本实用新型专利技术提供了一种中子源，所述中子源采用多孔离子源，引出有特定形状及密度分布的氘离子或氘氚混合离子。每个引出孔都有对应的初始聚焦电极和加速电极，离子束完成加速后，经过电四极场，在Z方向上聚焦至所需要的小尺寸，同时在Y方向上散焦展开到一定长度，形成扇形离子束。扇形离子束轰击到移动靶上，在Y方向上，产生与小尺寸焦斑点状中子源等效的出射中子束。本实用新型专利技术的中子源适合应用于中子治疗、照相、爆炸物检测等对中子束有方向性和点源特性要求的领域。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于核技术及应用领域，具体涉及一种中子源。
技术介绍
加速器中子源是利用离子源产生的氘离子或氘氚混合离子，经过加速电场的加速，获得一定的能量，在靶上发生D/D或D/T聚变反应，并在4π方向上放出中子。加速器中子源产额高，关断电源后没有中子产生，使用方便，可控性好，安全性较高。利用加速器中子源产生的中子束进行中子照相、治疗、违禁品检测等工作时，可以实现小型化及可移动的中子源，应用前景广阔。用中子进行照相、治疗等工作时，通常希望中子产额越高越好，同时还希望焦斑小，提高中子束的准直特性。离子源的引出孔径一般只有几个毫米，束流强度几十毫安，增大孔径虽然可以提高引出的束流强度，但是会影响离子源的工作特性以及初始的离子束光学特性。另外，采用单孔引出的离子源产生的离子束，加速后的束斑截面束流密度呈高斯分布，峰值密度比平均密度高出60%，靶上高密度部分成为薄弱区，影响整个靶的使用寿命。一般在需要强流离子束输出时，多采用多孔引出，可以得到极高的离子束流强，比如：开孔数量足够多时，可以引出流强高达几个安培的离子束。但是，多孔引出离子束束斑截面都比较大，在需要产生点源特性中子束的应用领域，聚焦是一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中子源，其特征在于，所述中子源包括多孔离子源（1）、初始聚焦电极（2）、加速电极（3）、四极透镜（5）、移动靶（6），多孔离子源（1）输出的离子束（4），通过初始聚焦电极（2）和加速电极（3）后获得额定能量，然后穿过四极透镜（5），形成扇形离子束，扇形离子束轰击移动靶（6），产生与等效焦斑（7）相同特性的出射方向中子束（8）；所述的移动靶（6）的轰击面为斜面。

【技术特征摘要】
1.一种中子源，其特征在于，所述中子源包括多孔离子源（1）、初始聚焦电极（2）、加速电极（3）、四极透镜（5）、移动靶（6），多孔离子源（1）输出的离子束（4），通过初始聚焦电极（2）和加速电极（3）后获得额定能量，然后穿过四极透镜（5），形成扇形离子束，扇形离子束轰击移动靶（6），产生与等效焦斑（7）相同特性的出射方向中子束（8）；所述的移动靶（6）的轰击面为斜面。2.根据权利要求1所述的中子源，其特征在于，所述的多孔离子源（1）的输出孔排列成间距相同的矩形阵列。3.根据权利要求1所述的中子源，其特征在于，所述的初始聚焦电极（2）上开有聚焦孔，聚焦孔的数量和排列方式与多孔离子源（1）上的输出孔一一对应。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何小海，李彦，唐君，娄本超，薛小明，牟云峰，李小飞，胡永宏，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所，
类型：新型
国别省市：四川;51