球珊阵列（BGA）装置和方法制造方法及图纸

本文的实施例可以涉及一种具有球珊阵列（BGA）封装的装置，所述球珊阵列（BGA）封装包括非共晶材料的多个焊料球。在实施例中，所述多个焊料球中的相应焊料球可以在BGA的衬底与第二衬底之间形成焊料接头。在一些实施例中，接头可以距彼此小于近似0.6微米。可以描述和/或要求保护其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】球珊阵列（BGA）装置和方法相关申请本申请要求2015年9月4日提交的标题为“BALLGRIDARRAY(BGA)APPARATUSANDMETHODS”的美国专利申请14/846,489的优先权。
本公开一般地涉及焊料接头的领域，并且更具体地涉及包括非共晶材料的焊料接头。
技术介绍
球珊阵列（BGA）封装的表面安装可能面临由于回流工艺期间的封装动态翘曲所导致的桥接的高风险。例如，回流工艺可能包括把热量施加到封装，该施加进而可能使封装以某种方式翘曲使得BGA封装的不同焊料球可在回流工艺期间流动到彼此中，从而导致两个焊料接头之间的桥接。该翘曲和桥接现象已经被发现对于无芯客户端封装和中介层上封装（PoINT）服务器产品而言甚至更严重，对于无芯客户端封装和中介层上封装（PoINT）服务器产品，翘曲可能超过容许规范，诸如由联合电子设备工程委员会（JEDEC）设置的那些规范。附图说明通过以下详细描述连同附图，将容易理解各实施例。为了促进该描述，相似的附图标记标明相似的结构元件。作为示例而非作为限制，在附图的各图中图示各实施例。图1是根据各种实施例的BGA的简化视图。图2是根据各种实施例的非共晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一衬底；以及球珊阵列（BGA）封装，其包括第二衬底，所述第二衬底经由包括非共晶材料的多个焊料球焊接到所述第一衬底，使得所述多个焊料球中的相应焊料球在所述第一衬底与所述第二衬底之间形成相应接头，其中所述相应接头中的第一接头距所述相应接头中的第二接头小于0.6微米。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.04 US 14/8464891.一种装置，包括：第一衬底；以及球珊阵列（BGA）封装，其包括第二衬底，所述第二衬底经由包括非共晶材料的多个焊料球焊接到所述第一衬底，使得所述多个焊料球中的相应焊料球在所述第一衬底与所述第二衬底之间形成相应接头，其中所述相应接头中的第一接头距所述相应接头中的第二接头小于0.6微米。2.如权利要求1所述的装置，其中所述非共晶材料包括锡（Sn）和铋（Bi）。3.如权利要求1所述的装置，其中所述第一接头是内部接头并且所述相应接头中的第三接头是边缘接头，并且所述第一接头和第三接头具有从所述第一衬底到所述第二衬底测量的近似相等的高度。4.如权利要求3所述的装置，其中所述第一接头的高度大于或等于焊接工艺之前所述多个焊料球之一的高度。5.如权利要求1-4中任一项所述的装置，其中所述非共晶材料具有固相线温度和比所述固相线温度高的液相线温度。6.如权利要求5所述的装置，其中所述固相线温度是所述非共晶材料在冷却时从液体转变到固体所处的温度。7.如权利要求6所述的装置，其中所述固相线温度处于近似135摄氏度与近似145摄氏度之间。8.如权利要求5所述的装置，其中所述液相线温度是所述非共晶材料在加热时从固体转变到液体所处的温度。9.如权利要求8所述的装置，其中所述液相线温度处于近似170摄氏度与近似180摄氏度之间。10.如权利要求5所述的装置，其中所述第二衬底在所述固相线温度与所述液...

【专利技术属性】
技术研发人员：M索德，B刘，W谭，H徐，KJ米尔普里，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US