功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法
本实施方式涉及功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法。
技术介绍
以往，作为半导体模块之一，已知在引线框上装载有包含绝缘栅双极型晶体管（IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor）那样的半导体器件的功率芯片而系统整体由树脂成形的功率模块。在工作状态下，半导体器件发热，因此，通常在引线框的背面经由绝缘层配置散热器来冷却半导体器件。此外，也总知晓为了提高冷却性能而将散热器与冷却器接合的散热构造。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19599号公报；专利文献2：日本特开2006-32711号公报；专利文献3：日本特开2011-172483号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本实施方式提供能够确保充分的冷却性能并且能够抑制由于过热造成的劣化的、可靠性高的功率模块、功率模块的散热构造、以及功率模块的接合方法。用于解决课题的方案根据本实施方式的一个方式，提供一种功率模块，具备：散热板，接合有半导体器件；密封体，以使所述散热板的至少一部分露出的方式密封所述半导体器件...
【技术保护点】
一种功率模块，其特征在于，具备：散热板，接合有半导体器件；密封体，以使所述散热板的至少一部分露出的方式密封所述半导体器件的外围；以及限制部，设置于所述密封体，对使用导热材料将所述散热板与冷却体接合时的、所述导热材料的厚度进行限制。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.01 JP 2015-1717991.一种功率模块，其特征在于，具备：散热板，接合有半导体器件；密封体，以使所述散热板的至少一部分露出的方式密封所述半导体器件的外围；以及限制部，设置于所述密封体，对使用导热材料将所述散热板与冷却体接合时的、所述导热材料的厚度进行限制。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述限制部被设置在与所述冷却体对置的所述密封体的、所述散热板的露出面侧的周围。3.根据权利要求1或2所述的功率模块，其特征在于，所述限制部被配置在与所述冷却体对置的所述密封体的、所述散热板的露出面侧的4个角。4.根据权利要求1或2所述的功率模块，其特征在于，所述限制部为至少3个凸部。5.根据权利要求1~4的任一项所述的功率模块，其特征在于，所述限制部具有圆柱状或棱柱状。6.根据权利要求1~5的任一项所述的功率模块，其特征在于，所述限制部在所述散热板的露出面上形成用于使规定的容量的所述导热材料介入的空间区域。7.根据权利要求1~6的任一项所述的功率模块，其特征在于，在所述密封体的、所述散热板的露出面侧的周围还设置有至少3个定位用突起部。8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述至少3个定位用突起部被设置为贯通所述限制部。9.根据权利要求1或2所述的功率模块，其特征在于，所述限制部为被配置为从所述散热板的露出面突出的凸部。10.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述凸部在环绕所述散热板的周围的平面视中具有方形状或圆形状。11.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于，所述凸部在所述散热板的露出面上形成用于埋设规定的容量的所述导热材料的空间区域。12.根据权利要求11所述的功率模块，其特征在于，所述凸部具备将在所述空间区域内成为剩余的所述导热材料向所述空间区域外排出的排出沟。13.根据权利要求12所述的功率模块，其特征在于，沿与所述密封体的和所述冷却体对置的方向分别正交的第一方向、与所述第一方向不同的第二方向或与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向的、至少任一个方向设置所述排出沟。14.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述半导体器件被装载于将铜、铜合金、铝或铝合金的任一个作为布线的主成分的电路基板。15.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述半导体器件被装载于由金属、陶瓷和金属的接合体构成的电路基板。16.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述导热材料具有0.5W/mK~300W/mK的热导率。17.根据权利要求16所述的功率模块，其特征在于，所述导热材料为环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、聚氨酯树脂或者聚酰亚胺任一个有机物。18.根据权利要求16所述的功率模块，其特征在于，所述导热材料为在环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、聚氨酯树脂或者聚酰亚胺任一个有机物中混合金属粉或陶瓷粉后的合成树脂。19.根据权利要求16所述的功率...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。