操作铁电存储器单元的方法及相关的铁电存储器单元技术

本发明专利技术揭示操作铁电存储器单元的方法。所述方法包括：将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括电容器的铁电存储器单元，所述电容器包含上电极、下电极、所述上电极与所述下电极之间的铁电材料，及所述铁电材料与所述上电极及所述下电极中的一者之间的界面材料。所述方法进一步包括：将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，其中所述负偏置电压的绝对值不同于所述正偏置电压的绝对值。本发明专利技术还描述铁电存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】操作铁电存储器单元的方法及相关的铁电存储器单元优先权主张本申请案主张2015年9月1日申请的名称为“操作铁电存储器单元的方法及相关的铁电存储器单元(METHODSOFOPERATINGFERROELECTRICMEMORYCELLS,ANDRELATEDFERROELECTRICMEMORYCELLS)”的第14/842,124号美国专利申请案的申请日的权益。
本文所揭示的实施例涉及操作包含展现非对称铁电性质的铁电材料的铁电存储器单元的方法及此类铁电存储器单元。
技术介绍
已考虑将铁电随机存取存储器(FeRAM)单元用于许多存储器阵列中。FeRAM单元包含铁电材料，其具有可响应于施加电场(例如，偏置电压)而切换的极化。FeRAM单元中的铁电材料的极化状态可用于确定FeRAM单元的逻辑状态(例如，1或0)。在移除偏置电压之后，铁电材料的极化可保持。因此，FeRAM单元是非易失性的，从而无需周期性地刷新存储器单元。常规FeRAM单元理论上在施加电场下展现如图1中所说明的方形磁滞回线102，这是因为铁电材料的原子在两种同样有利状态之间转变。FeRAM单元通过将FeRAM单元暴露于切换偏置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作铁电存储器单元的方法，所述方法包括：将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元；及将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，所述负偏置电压具有不同于所述正偏置电压的量值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.01 US 14/842,1241.一种操作铁电存储器单元的方法，所述方法包括：将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元；及将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者施加到所述铁电存储器单元以切换所述铁电存储器单元的极化，所述负偏置电压具有不同于所述正偏置电压的量值。2.根据权利要求1所述的方法，其中施加正偏置电压及负偏置电压中的一者包括：施加具有小于等于所述正偏置电压的绝对值的约2/3的绝对值的所述负偏置电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中：施加正偏置电压及负偏置电压中的一者包括施加约1.8V的正电压；及施加所述正偏置电压及所述负偏置电压中的另一者包括施加约-1.2V的负偏置电压。4.根据权利要求1所述的方法，其中将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元包括将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的一者施加到所述铁电电容器的第一电极，所述第一电极具有不同于所述铁电电容器的第二电极的厚度。5.根据权利要求1所述的方法，其中将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元包括将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的一者施加到所述铁电电容器，所述铁电电容器包括界面材料，所述界面材料包括氮化钛铝、氧化钛或氮化铝。6.根据权利要求1到权利要求5中任一权利要求所述的方法，其中将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元包括将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的一者施加到所述铁电电容器，所述铁电电容器包括氮化钛铝作为其的第一电极或第二电极中的一者。7.根据权利要求1到权利要求5中任一权利要求所述的方法，其中将正偏置电压及负偏置电压中的一者施加到包括铁电电容器的铁电存储器单元包括将所述正偏置电压及所述负偏置电压中的一者施加到所述铁电电容器，所述铁电电容器包括介于第一电极与第二电极之间的氧化铪及氧化锆中的至少一者。8.根据权利要求1到权利要求5中任一权利要求所述的方法，其中施加正偏置电压及负偏置电压中的一者包括施加具有介于所述正偏置电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·C·尼科勒斯，A·A·恰范，M·N·洛克莱，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US