单晶金刚石、使用单晶金刚石的工具以及单晶金刚石的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种单晶金刚石，其包括一组彼此相对的主表面，其中，在主表面中，杂质浓度沿着第一方向变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶金刚石、使用单晶金刚石的工具以及单晶金刚石的制造方法
本专利技术涉及单晶金刚石、使用单晶金刚石的工具以及单晶金刚石的制造方法。本申请要求于2015年10月19日提交的日本专利申请No.2015-205482的优先权。日本专利申请No.2015-205482的全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
单晶金刚石具有高硬度、高导热性、高透光性等优异性能，因此被广泛用于工具、光学部件、半导体、电子部件等各种制品(以下也称为“金刚石制品”)。工具的实例包括切削工具、磨削工具、耐磨工具等。对于用于这种金刚石制品的单晶金刚石，可以使用天然金刚石和合成金刚石。天然金刚石品质变化大，供应量不稳定。因此，目前也使用了许多合成金刚石。作为生产这种合成金刚石的一种方法，高温高电压法(HPHT)是已知的。用这种方法生产的单晶金刚石品质变化小，并且供应量稳定；然而，不利的是，这种方法所使用的生产设备的成本高。另外，作为制造合成金刚石的其他方法，有化学气相沉积(CVD)法，如热丝CVD(化学气相沉积)法、微波激发等离子体CVD法和DC等离子体CVD法。在每种CVD法中，在基材的表面上生长单晶金刚石(外延生长层)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶金刚石，包括一对彼此相对的主表面，在各所述主表面中，杂质浓度沿着第一方向变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.19 JP 2015-2054821.一种单晶金刚石，包括一对彼此相对的主表面，在各所述主表面中，杂质浓度沿着第一方向变化。2.根据权利要求1所述的单晶金刚石，其中在各所述主表面中，所述杂质浓度沿着与所述第一方向垂直的第二方向基本上是均匀的。3.根据权利要求1或2所述的单晶金刚石，其中在各所述主表面中，所述第一方向和第二方向在晶体取向上是不同的。4.根据权利要求1或2所述的单晶金刚石，其中所述杂质浓度为10ppb以上10000ppm以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶金刚石，其中所述杂质浓度沿着所述第一方向具有周期性，并且各所述主表面中的一个周期的距离为0.1μm以上1000μm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的单晶金刚石，其中所述杂质浓度沿着所述第一方向具有中心对称性。7.根据权利要求2至5中任一项所述的单晶金刚石，其中所述单晶金刚石在沿着所述第二方向的侧表面上具有离子注入层。8.根据权利要求7所述的单晶金刚石，其中所述侧表面相对于各所述主表面的角度为55°以上125°以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的单晶金刚石，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：西林良树，辰巳夏生，野原拓也，小林丰，植田晓彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，住友电工硬质合金株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP