阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括一基底；设置在基底上的第一栅极绝缘层；设置在第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层，第一栅极金属层包括扫描线；设置在第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层覆盖第一栅极绝缘层，第二栅极绝缘层具有第一通孔；设置在第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层；设置在第二栅极金属层上的层间介质层，层间介质层覆盖第二栅极绝缘层，层间介质层具有第二通孔；设置在层间介质层上的包括源漏走线的源漏走线层，源漏走线通过第一通孔、第二通孔与扫描线连接。本发明专利技术的阵列基板及显示装置通过将第一栅极金属层的扫描线与源漏走线层的源漏走线连接，提高了显示装置在扫描线方向上的弯折性能。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光显示器(OLED)具有自发光、低耗电、反应速度快等优点，被广泛应用于显示
其中，以柔性材料作为基板的柔性OLED(FlexibleOLED，FOLED)由于其具有一定形变承受力，可以卷起、折叠的特点，被广泛应用在手机、电视机显示屏中。OLED既可以沿数据线方向折叠，也可以沿扫描线方向折叠。由于扫描线的材质为Mo金属，其延展性能较差，容易造成断线。如果直接将扫描线的材质换成Mo/Al/Mo,在进行ILD活化氢化时，会有400摄氏度制程，Mo/Al/Mo材质的扫描线将无法耐受400摄氏度制程。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，提高了显示装置在扫描线方向上的耐弯折性能。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：一基底；设置在所述基底上的第一栅极绝缘层；设置在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层，所述第一栅极金属层包括扫描线；设置在所述第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层具有第一通孔；设置在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：一基底；设置在所述基底上的第一栅极绝缘层；设置在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层，所述第一栅极金属层包括扫描线；设置在所述第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层具有第一通孔；设置在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层；设置在所述第二栅极金属层上的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第二栅极绝缘层，所述层间介质层具有第二通孔；设置在所述层间介质层上的源漏走线层，所述源漏走线层包括源漏走线，所述源漏走线通过所述第一通孔、所述第二通孔与所述扫描线连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一基底；设置在所述基底上的第一栅极绝缘层；设置在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层，所述第一栅极金属层包括扫描线；设置在所述第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层具有第一通孔；设置在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层；设置在所述第二栅极金属层上的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第二栅极绝缘层，所述层间介质层具有第二通孔；设置在所述层间介质层上的源漏走线层，所述源漏走线层包括源漏走线，所述源漏走线通过所述第一通孔、所述第二通孔与所述扫描线连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏走线层具有通孔，所述阵列基板还包括有机平坦层和阳极走线层，所述有机平坦层具有第三通孔，所述阳极走线层包括阳极走线；所述有机平坦层设置在所述源漏走线层上；所述阳极走线层设置在所述有机平坦层上，所述阳极走线层的所述阳极走线通过所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔与所述扫描线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层包括无机绝缘子层和有机填充子层；所述无机绝缘子层设置在所述第二栅极金属层上，所述无机绝缘子层覆盖所述第二栅极绝缘层；所述有机填充子层设置在所述无机绝缘子层上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设有凹槽；所述凹槽从所述无机绝缘子层延伸至所述基底，所述凹槽内填充有机物，形成所述有机填充子层。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述无机绝缘子层和所述有机绝缘子层采用同一道光罩制成或分别采用一道光罩制成。6.一种显示装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢炎，林建宏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42