基板处理方法、基板处理装置以及记录介质制造方法及图纸
Substrate treatment method, substrate treatment device and recording medium
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法、基板处理装置以及记录介质
本专利技术涉及一种使用超临界状态的处理流体来将附着于基板的表面的液体去除的技术。
技术介绍
在作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用药液等清洗液将晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜去除等利用液体来对晶圆表面进行处理的液处理工序。已知如下一种方法：当在这样的液处理工序中将附着于晶圆的表面的液体等去除时，使用超临界状态的处理流体。例如，专利文献1中公开了一种使超临界状态的流体与基板接触来将附着于基板的液体去除的基板处理装置。另外，专利文献2公开了一种利用超临界流体来从基板上将有机溶剂溶解并使基板干燥的基板处理装置。在使用超临界状态的处理流体来将液体从基板去除的干燥处理中，期望抑制基板上形成的半导体图案的损坏(即，由于图案之间的液体的表面张力而引起的图案损坏)的发生，并且尽可能地缩短处理时间。另外，期望尽可能地抑制干燥处理中使用的处理流体的消耗量。专利文献1：日本特开2013-12538号公报专利文献2：日本特开2013-16798号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本...
【技术保护点】
一种基板处理方法，在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理，所述基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起所述处理容器内存在的超临界状态的所述处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第一排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第一供给到达压力为止；以及第二处理工序，在所述第一处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化的与所述第一排出到达压力不同的第二排出到...
【技术特征摘要】
2016.10.04 JP 2016-1966301.一种基板处理方法，在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理，所述基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起所述处理容器内存在的超临界状态的所述处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第一排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第一供给到达压力为止；以及第二处理工序，在所述第一处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化的与所述第一排出到达压力不同的第二排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第二排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第二供给到达压力为止。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一排出到达压力比所述第二排出到达压力高。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一排出到达压力比所述第二排出到达压力低。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，还包括第三处理工序，在该第三处理工序中，在所述第二处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化并且比所述第二排出到达压力低的第三排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第三排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第三供给到达压力为止。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，基于预先进行的实验的结果，来决定将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第一排出到达压力为止的定时以及将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第二排出到达压力为止的定时中的至少一方。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一供给到达压力和所述第二供给到达压力是比所述处理容器内的所述处理流体的临界压力的最大值高的压力。7.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：五师源太郎，清濑浩巳，清原康雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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