磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片制造技术

提供一种表面缺陷难以发生，可形成平滑的表面的镀膜的磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片。磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片中，含有Mg：3.5～6.2质量％，并在满足Ti：0.0005～0.0020质量％、V：0.0005～0.0020质量％、Zr：0.0002～0.0020质量％、以及关系式：Ti+V+Zr≤0.0020质量％的范围内，含有Ti、V和Zr之中的至少一种，余量由Al和不可避免的杂质构成，表面的Al－(Ti,V,Zr)系金属间化合物的绝对最大长度为1μm以下。

Aluminium alloy substrates for disks with aluminum alloy bodies and disks

An aluminum alloy substrate with aluminum alloy bodies and disks is used to provide a surface defect that is difficult to occur and can form a smooth surface. Disk with Aluminum Alloy body and disk with Aluminum Alloy substrate, containing Mg:3.5 to 6.2 mass%, and in order to meet Ti:0.0005 to 0.0020 mass%, V:0.0005 to 0.0020 mass%, Zr:0.0002 to 0.0020 mass%, and the relation between the range of Ti+V+Zr is less than or equal to 0.0020 mass%, containing at least one of Ti, V and Zr, the remainder comprising Al and inevitable impurities, the surface of the Al (Ti, V, Zr) the absolute maximum length of intermetallic compound is less than 1 m.

【技术实现步骤摘要】
磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片
本专利技术涉及磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片。
技术介绍
计算机的外部记录装置等所具备的磁盘，具有磁性层、保护层等层叠于基板上的构造。作为磁盘的基板，与玻璃基板同样为非磁性，轻量而加工性也良好的铝合金板被广泛使用。作为铝合金板，使用的是具有高强度，加工精度高，还具备耐高速旋转的刚性的Al－Mg系合金。例如，代表性的有JISH4000：2014所规定的5086合金及其改良合金。在磁盘的制造中，作为原材的铝合金板，经冲孔加工、矫直退火等的处理，制造为带孔圆盘状的母板材料。然后，对于母板材料的侧面进行端面加工，主面进行磨削加工等，制造为表面粗糙度小，具有平滑的主面的基片材。以前，磁盘的磁性层是通过在经过镜面加工的基片材的表面，直接涂布分散有磁体的涂料的方法而形成。另一方面，近年来，磁性层以溅射等的干式成膜法形成。在成膜以前，对于基片材的表面预先实施化学镀Ni－P。通过形成由镀膜构成的衬底层，从而磁性层的基底的表面缺陷减少，成膜于其上的磁性层的精度和密接性等提高。化学镀Ni－P是在对于基片材进行脱脂处理后，经蚀刻处理，并通过剥黑膜处理除去污物，进行锌酸盐处理之后进行。锌酸盐处理用于提高镀膜的密接性而实施，多数情况下，实施双重锌酸盐处理。在双重锌酸盐处理中，通过1st锌酸盐处理在基片材的表面使锌析出后，通过硝酸剥离处理先使锌的大半溶解。其后，进行2nd锌酸盐处理而使锌再析出，由此形成适于成膜镀膜的平坦而致密的皮膜。近年来，磁盘的记录密度进一步的高密度化推进，使磁头的浮起高度保持得更低。随之而来的是，对于形成基片材上的镀膜，要求有更高度的平滑性。这是由于在镀膜的表面，会发生呈现凹状的麻点、呈现半球凸状的结瘤等的表面缺陷，这样的表面缺陷，成为引起磁头碰撞和记录错误的要因。作为麻点和结瘤形成的一个原因，已知是铝的母相中产生的晶化物和析出物。麻点其形成主要是因磨削加工而在表面露出的晶化物等的粒子脱落或在蚀刻处理时溶解而产生凹坑，成膜于其上的镀膜也会凹陷。另外，结瘤其形成主要是因磨削加工而在表面露出的晶化物等在锌酸盐处理中发生锌皮膜的不均匀化，被锌置换而析出的镀膜异常生长。关于浅的麻点和小的结瘤，通过研磨处理镀膜的表面，可容易地使之平坦化。可是，晶化物等的粒子粗大生长时，麻点和结瘤也大型化，因此为了额外设置研磨余量而产生预先增加镀覆厚度的需要，或产生研磨处理的所需时间长期化等问题。因此，在制造磁盘用的原材时，为了避免引起表面缺陷的粒子的生成，提出有调整铝合金的化学组成，或控制热处理条件的技术。例如，在专利文献1中，公开有一种磁盘基板用铝合金板的制造方法，其中，包括如下工序：在保温炉中以700～850℃保持铝合金的熔液30分钟以上的熔液保温工序；对于在该熔液保温工序中保持的铸块进行铸造的铸造工序，其中，使铸造开始时的熔液温度为700～850℃；对于经过铸造的铸块进行热轧的热轧工序；对热轧板进行冷轧的冷轧工序。作为铝合金，可列举含有Mg：3.0～8.0mass％、Cu：0.005～0.150mass％、Zn：0.05～0.60mass％、Cr：0.010～0.300mass％、Fe：0.001～0.030mass％、Si：0.001～0.030mass％，此外还含有(Ti+V+Zr)：0.0010～0.0100mass％、B：0.0001～0.0010mass％，余量由Al和不可避免的杂质构成的合金。在专利文献1中，作为不可避免的杂质定位的Ti、V和Zr，出于使Ti－V－B－Zr系夹杂物的存在密度降低的目的，可调整其含量。在铝合金板中，使具有高于5μm的最长直径的Ti－V－B－Zr系夹杂物的存在密度为0个/6000mm2，通过使具有3～5μm的最长直径的Ti－V－B－Zr系夹杂物的存在密度为1个/6000mm2以下，被认为能够得到麻点少的平滑的镀膜表面。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本国专利第5762612号公报在磁盘用的铝合金的母相中，如专利文献1公开的，不仅Ti－V－B－Zr系夹杂物生成，而且Al－Fe系金属间化合物、Mg－Si系金属间化合物等的晶化物也生成，或铸造以后的析出物生成。因此，即使高于3～5μm的Ti－V－B－Zr系夹杂物的存在密度降低，仍能够以3μm以下左右的粒子为核而生成粗大的粒子。因此，在专利文献1所公开的技术中，这样的粒子容易处于残留在磁盘的原材的表面状态，在成膜于原材的表面的镀膜中发生表面缺陷的可能性高。另外，在专利文献1所公开的技术中，通过将熔液以700～850℃保持30分钟以上而减少Ti－V－B－Zr系夹杂物。但是，在这样的方法中，极端加热熔液等情况下需要极大的加热成本，花费保持熔液的时间有可能牺牲生产率。另一方面，也有使基体金属高纯度化而减少夹杂物等的生成的应对法，但原料成本增大，因此实用上采用困难。特别是在母相中晶化的Al－Fe系金属间化合物等的粒子，从原材的表面脱落，不仅产生作为麻点的要因的凹坑，而且以未脱落的状态被浸渍到蚀刻液中时，与母相之间形成局部电池。若形成电位差大的局部电池，则优先于金属间化合物，母相的溶解大幅进行，另一方面，金属间化合物难以溶解，越是粗大的粒子越容易剩余。其结果是，深的蚀坑沿着母相与金属间化合物的边界发生，或尽管经过了蚀刻处理，表面仍剩余金属间化合物。于是，如此生成的深的蚀坑，使成膜于其上的镀膜也凹陷，使镀膜的表面发生麻点。另外，如此生成的蚀坑，在锌酸盐处理中，有容易析出粗大的锌粒子的倾向。若在蚀坑的内部产生粗大的锌粒子，则在镀覆处理的初期，该粒子成为析出起点，镀膜异常生长，因此容易形成大型的结瘤。另外，剩余在表面的粗大的金属间化合物，被在周围生长的镀膜覆盖，从而是容易生成大型的结瘤。另外，若金属间化合物留在表面，则镀液与金属间化合物反应而发生氢气，因为在氢气的扩散区域镀膜无法成膜，所以容易形成孔状的气蚀坑。由于局部电池的形成引起的这些表面缺陷，以专利文献1所述的技术难以解除。另外，在镀膜中产生需要预先设置额外的研磨余量，或研磨处理的所需时间长期化，因此有可能招致制造成本的增大。特别是近年来，出于形成高度平滑的表面的镀膜的目的，还希望以温和条件的软蚀刻进行氧化皮膜的除去，预先降低镀膜的衬底受到的蚀刻损伤。可是，进行软蚀刻时，Al－Fe系金属间化合物等的粒子容易剩余在表面，局部电池会继续起作用，因此难以形成平滑的表面的镀膜。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种难以发生表面缺陷，可以形成平滑的表面的镀膜的磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片。为了解决所述课题，本专利技术的磁盘用铝合金坯体，含有Mg：3.5～6.2质量％，在满足Ti：0.0005～0.0020质量％、V：0.0005～0.0020质量％、Zr：0.0002～0.0020质量％，以及关系式：Ti+V+Zr≤0.0020质量％的范围，含有Ti、V和Zr之中的至少一种，余量由Al和不可避免的杂质构成，表面的Al－(Ti，V，Zr)系金属间化合物的绝对最大长度为1μm以下。根据这样的磁盘用铝合金坯体，因为在规定的含量的范围含有Mg以及Ti、V和Zr之中的至少一种，所以各元素良好地固溶，能够提高磁盘的基板所要求的镀覆性。详细地说，由于Ti、V和Zr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁盘用铝合金坯体，其中，含有Mg：3.5～6.2质量％，并在满足Ti：0.0005～0.0020质量％、V：0.0005～0.0020质量％、Zr：0.0002～0.0020质量％、以及关系式：Ti+V+Zr≤0.0020质量％的范围内，含有Ti、V和Zr之中的至少一种，余量由Al和不可避免的杂质构成，表面的Al－(Ti,V,Zr)系金属间化合物的绝对最大长度为1μm以下。

【技术特征摘要】
2016.10.03 JP 2016-195744;2017.04.25 JP 2017-086591.一种磁盘用铝合金坯体，其中，含有Mg：3.5～6.2质量％，并在满足Ti：0.0005～0.0020质量％、V：0.0005～0.0020质量％、Zr：0.0002～0.0020质量％、以及关系式：Ti+V...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田佳织，梅田秀俊，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP