上电复位电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
上电复位电路
本专利技术属于集成电路电源检测领域，具体涉及一种上电复位电路。
技术介绍
上电复位电路用于复位数字电路的状态机使其从确定状态初始。对于模拟和混合信号电路，它能够用作启动信号来强制电路从一个确定的状态启动。一些传统的上电复位电路用RC延迟来产生上电信号，此种方式并不能适用于上电速度变化的电源。另一些用两种类型的MOSFET参数来反应电源电压值而导致大规模生产中的参数漂移。更进一步的说，它可能会导致更高的电源电压翻转点，不适合于低电压应用。一些老的电路用参考模块设定一个准确的电源电压翻转点电压值。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提出了一种上电复位电路，采用拓扑结构，使输出的上电复位信号随环境温度的变化具有补偿特性，并且电源电压翻转点仅与单类型的有源器件比值和电阻器件比值相关，大大降低了在大规模生产过程中由于器件离散型因素和实际工作过程中的环境温度变化因素导致的电源电压翻转点偏移问题。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种上电复位电路包括电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个...
【技术保护点】
一种上电复位电路，其特征在于，包括：电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，所述电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；电流镜电路，用于处理产生的电流信号；电流...
【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，所述电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；电流镜电路，用于处理产生的电流信号；电流比较电路，用于产生上电复位信号。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管，所述第一MOS晶体管和第三MOS晶体管镜像连接，所述第四MOS晶体管和所述第五MOS晶体管镜像连接。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管都工作在亚阈值区。4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括设置于该电路输出端的一个反相器，所述反相器用于完成反向功能，使输出信号恢复到逻辑电平值。5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管的宽长比大于所述第二MOS晶体管的宽长比。6.根据权利要求3-5任一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管MP101；所述第二MOS晶体管为PMOS晶体管MP102；所述第三MOS晶体管为PMOS晶体管MP103；所述第四MOS晶体管为NMOS晶体管MN101；所述第五MOS晶体管为NMOS晶体管MN102；所述第一电阻为电阻R101；所述第二电阻为电阻R102。7.根据权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，PMOS晶体管MP101的源极连接到第一电源线，其栅极和漏极连接到电阻R101的一端；PMOS晶体管MP102的源极连接到第一电源线，其栅极连接到电阻R101的一端的另一端，其漏极连接到NMOS晶体管MN101的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶冬毅，
申请(专利权)人：苏州菲达旭微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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