【技术实现步骤摘要】
一种MOS型器件及其制造方法
本专利技术涉及一种功率半导体及其制造方法,特别涉及一种MOS型器件及其制造方法。
技术介绍
MOS型器件结构有着栅极控制电路简单、开启时间和关断时间较短等优点,使得MOS型器件极大的利于电路的集成。MOS型器件的阱区域和源极区域通常是由离子注入等工艺来完成的。离子注入需要极大的能量,会对材料的晶格造成损伤。尽管可以通过高温退火等工艺得到一定程度的修复,但是会留下永久性的晶格损伤。另外离子注入工艺的要求相对较高。
技术实现思路
专利技术目的:为了解决离子注入形成阱区域和源极区域对材料晶格造成的损伤,本专利技术提出了一种MOS型器件及其制造方法,该方法不需要离子注入工艺,仅仅用外延和刻蚀等工艺可以制造出MOS型器件的阱区域和源极区域。技术方案:本专利技术所述一种MOS型器件,包括外延层,位于外延层上方的台面,位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域,刻蚀阱区域得到槽区域,在所得槽区域内外延生长得到源区域,在台面上方依次生长栅氧化层和栅极,在阱区域上方设置源极,外延层下方设置漏极。所述阱区域高度与台面高度相同。所述槽区域的深度和宽度均小于阱区域的宽度和深度。所述源区域高度与台面高度相同。所述外延层为第一导电类型;所述阱区域为第二导电类型;所述源极区为第一导电类型。所述第一导电类型为n型,第二导电类型为p型。所述第一导电类型为p型,第二导电类型为n型。上述MOS型器件的制造方法,包含以下步骤:(1)在外延层上刻蚀形成台面;(2)在台面上方外延生长初始阱区域,通过CMP工艺对阱区域进行处理,形成表面光滑的阱区域;(3)对阱区域刻蚀形成槽区域; ...
【技术保护点】
一种MOS型器件,其特征在于:包括外延层(1),位于外延层上方的台面(2),位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域(3),刻蚀阱区域得到槽区域(4),在所得槽区域(4)内外延生长得到源区域(5),在台面上方依次生长栅氧化层(6)和栅极(7),在阱区域(3)上方设置源极(8),外延层下方设置漏极(10)。
【技术特征摘要】
1.一种MOS型器件,其特征在于:包括外延层(1),位于外延层上方的台面(2),位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域(3),刻蚀阱区域得到槽区域(4),在所得槽区域(4)内外延生长得到源区域(5),在台面上方依次生长栅氧化层(6)和栅极(7),在阱区域(3)上方设置源极(8),外延层下方设置漏极(10)。2.根据权利要求1所述的MOS型器件,其特征在于所述阱区域(3)高度与台面(2)高度相同。3.根据权利要求1所述的MOS型器件,其特征在于所述槽区域(4)的深度和宽度均小于阱区域(3)的宽度和深度。4.根据权利要求1所述的MOS型器件,其特征在于所述源区域(5)高度与台面(2)高度相同。5.根据权利要求1所述的MOS型器件,其特征在于所述外延层(1)为第一导电类型;所述阱区域(3)为第二导电类型;所述源极区(5)为第一导电类型。6.根据权利要求5所述的MOS型器件,其特征在于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨同同,柏松,黄润华,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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