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本发明公开了一种MOS型器件及其制造方法，该MOS器件包括外延层，位于外延层上方的台面，位于外延层上方并分布于台面两侧的阱区域，刻蚀阱区域得到槽区域，在所得槽区域内外延生长得到源区域，在台面上方依次生长栅氧化层和栅极，在阱区域上方设置源极，...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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